Gęstość prądu w otworze Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Elektrony

Nośniki półprzewodnikowe

Zespół energetyczny

Złącze SSD

✖Całkowita gęstość prądu nośnika jest zdefiniowana jako ilość ładunku w jednostce czasu, który przepływa przez jednostkową powierzchnię wybranego przekroju.ⓘ Całkowita gęstość prądu nośnej [J_T]			+10% -10%
✖Gęstość prądu elektronowego, zwana gęstością prądu, jest wielkością fizyczną opisującą przepływ ładunku elektrycznego na jednostkę powierzchni przez materiał przewodzący.ⓘ Gęstość prądu elektronowego [J_e]			+10% -10%

✖Gęstość prądu dziury jest zdefiniowana jako Ruch dziur jest zawsze przeciwny do ruchu odpowiadających im elektronów.ⓘ Gęstość prądu w otworze [J_h]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Gęstość prądu w otworze

Formuła

`"J"_{"h"} = "J"_{"T"}-"J"_{"e"}`

Przykład

`"0.09A/m²"="0.12A/m²"-"0.03A/m²"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektrony Formuły PDF PDF Image

Gęstość prądu w otworze Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Gęstość prądu otworu = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu elektronowego
J_h = J_T-J_e
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Gęstość prądu otworu - (Mierzone w Amper na metr kwadratowy) - Gęstość prądu dziury jest zdefiniowana jako Ruch dziur jest zawsze przeciwny do ruchu odpowiadających im elektronów.
Całkowita gęstość prądu nośnej - (Mierzone w Amper na metr kwadratowy) - Całkowita gęstość prądu nośnika jest zdefiniowana jako ilość ładunku w jednostce czasu, który przepływa przez jednostkową powierzchnię wybranego przekroju.
Gęstość prądu elektronowego - (Mierzone w Amper na metr kwadratowy) - Gęstość prądu elektronowego, zwana gęstością prądu, jest wielkością fizyczną opisującą przepływ ładunku elektrycznego na jednostkę powierzchni przez materiał przewodzący.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Całkowita gęstość prądu nośnej: 0.12 Amper na metr kwadratowy --> 0.12 Amper na metr kwadratowy Nie jest wymagana konwersja
Gęstość prądu elektronowego: 0.03 Amper na metr kwadratowy --> 0.03 Amper na metr kwadratowy Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

J_h = J_T-J_e --> 0.12-0.03

Ocenianie ... ...

J_h = 0.09

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.09 Amper na metr kwadratowy --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.09 Amper na metr kwadratowy <-- Gęstość prądu otworu

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Urządzenia półprzewodnikowe » Elektrony » Gęstość prądu w otworze

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 18 Elektrony Kalkulatory

Zależna od Phi funkcja fali

Iść Φ Zależna funkcja falowa = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Falowa liczba kwantowa*Kąt funkcji falowej))

Porządek dyfrakcji

Iść Kolejność dyfrakcji = (2*Przestrzeń szczepienia*sin(Kąt padania))/Długość fali promienia

Gęstość strumienia elektronów

Iść Gęstość strumienia elektronów = (Średni elektron na swobodnej ścieżce/(2*Czas))*Różnica w koncentracji elektronów

Średnia wolna ścieżka

Iść Średni elektron na swobodnej ścieżce = (Gęstość strumienia elektronów/(Różnica w koncentracji elektronów))*2*Czas

Stan kwantowy

Iść Energia w stanie kwantowym = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa cząstek*Potencjalna długość studni^2)

Przewodność AC

Iść Przewodność AC = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatura))*Prąd elektryczny

Promień N-tej orbity elektronu

Iść Promień n-tej orbity elektronu = ([Coulomb]*Liczba kwantowa^2*[hP]^2)/(Masa cząstek*[Charge-e]^2)

Komponent otworu

Iść Komponent otworu = Składnik elektronowy*Wydajność wtrysku emitera/(1-Wydajność wtrysku emitera)

Składnik elektronowy

Iść Składnik elektronowy = ((Komponent otworu)/Wydajność wtrysku emitera)-Komponent otworu

Średni czas spędzony przez dziurę

Iść Średni czas spędzony przez dziurę = Szybkość generacji optycznej*Upadek przewoźnika większościowego

Różnica w koncentracji elektronów

Iść Różnica w koncentracji elektronów = Koncentracja elektronów 1-Koncentracja elektronów 2

Elektron poza regionem

Iść Liczba elektronów poza regionem = Mnożenie elektronów*Liczba elektronów w regionie

Elektron w regionie

Iść Liczba elektronów w regionie = Liczba elektronów poza regionem/Mnożenie elektronów

Mnożenie elektronów

Iść Mnożenie elektronów = Liczba elektronów poza regionem/Liczba elektronów w regionie

Całkowita gęstość prądu nośnego

Iść Całkowita gęstość prądu nośnej = Gęstość prądu elektronowego+Gęstość prądu otworu

Gęstość prądu elektronowego

Iść Gęstość prądu elektronowego = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu otworu

Gęstość prądu w otworze

Iść Gęstość prądu otworu = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu elektronowego

Amplituda funkcji falowej

Iść Amplituda funkcji falowej = sqrt(2/Potencjalna długość studni)

< 15 Nośniki półprzewodnikowe Kalkulatory

Wewnętrzne stężenie nośnika

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa)*exp(-Przerwa energetyczna/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Iść Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))

Gęstość strumienia elektronów

Iść Gęstość strumienia elektronów = (Średni elektron na swobodnej ścieżce/(2*Czas))*Różnica w koncentracji elektronów

Stan kwantowy

Iść Energia w stanie kwantowym = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa cząstek*Potencjalna długość studni^2)

Promień N-tej orbity elektronu

Iść Promień n-tej orbity elektronu = ([Coulomb]*Liczba kwantowa^2*[hP]^2)/(Masa cząstek*[Charge-e]^2)

Funkcja Fermiego

Iść Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa

Efektywny stan gęstości w paśmie walencyjnym

Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym = Koncentracja dziur w paśmie Valance'a/(1-Funkcja Fermiego)

Średni czas spędzony przez dziurę

Iść Średni czas spędzony przez dziurę = Szybkość generacji optycznej*Upadek przewoźnika większościowego

Współczynnik dystrybucji

Iść Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy

Mnożenie elektronów

Iść Mnożenie elektronów = Liczba elektronów poza regionem/Liczba elektronów w regionie

Gęstość prądu elektronowego

Iść Gęstość prądu elektronowego = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu otworu

Gęstość prądu w otworze

Iść Gęstość prądu otworu = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu elektronowego

Nadmierne stężenie nośnika

Iść Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji

Energia pasma przewodnictwa

Iść Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego

Energia fotoelektronów

Iść Energia fotoelektronów = [hP]*Częstotliwość padającego światła

Gęstość prądu w otworze Formułę

Gęstość prądu otworu = Całkowita gęstość prądu nośnej-Gęstość prądu elektronowego
J_h = J_T-J_e

Co to jest prąd dryfu?

Prąd dryftu to prąd elektryczny powodowany przez cząstki ciągnięte przez pole elektryczne. Termin ten jest najczęściej używany w kontekście elektronów i dziur w półprzewodnikach, chociaż ta sama koncepcja dotyczy również metali, elektrolitów i tak dalej.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!