Hole Huidige Dichtheid Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

✖Totale draaggolfstroomdichtheid wordt gedefinieerd als de hoeveelheid lading per tijdseenheid die door een oppervlakte-eenheid van een gekozen doorsnede stroomt.ⓘ Totale draaggolfstroomdichtheid [J_T]			+10% -10%
✖Elektronenstroomdichtheid, ook wel stroomdichtheid genoemd, is een fysieke grootheid die de stroom van elektrische lading per oppervlakte-eenheid door een geleidend materiaal beschrijft.ⓘ Elektronenstroomdichtheid [J_e]			+10% -10%

✖Hole Current Density wordt gedefinieerd als Beweging van gaten is altijd tegengesteld aan die van overeenkomstige elektronen.ⓘ Hole Huidige Dichtheid [J_h]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Hole Huidige Dichtheid

Formule

`"J"_{"h"} = "J"_{"T"}-"J"_{"e"}`

Voorbeeld

`"0.09A/m²"="0.12A/m²"-"0.03A/m²"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden elektronen Formules Pdf PDF Image

Hole Huidige Dichtheid Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gat huidige dichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Elektronenstroomdichtheid
J_h = J_T-J_e
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Gat huidige dichtheid - (Gemeten in Ampère per vierkante meter) - Hole Current Density wordt gedefinieerd als Beweging van gaten is altijd tegengesteld aan die van overeenkomstige elektronen.
Totale draaggolfstroomdichtheid - (Gemeten in Ampère per vierkante meter) - Totale draaggolfstroomdichtheid wordt gedefinieerd als de hoeveelheid lading per tijdseenheid die door een oppervlakte-eenheid van een gekozen doorsnede stroomt.
Elektronenstroomdichtheid - (Gemeten in Ampère per vierkante meter) - Elektronenstroomdichtheid, ook wel stroomdichtheid genoemd, is een fysieke grootheid die de stroom van elektrische lading per oppervlakte-eenheid door een geleidend materiaal beschrijft.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Totale draaggolfstroomdichtheid: 0.12 Ampère per vierkante meter --> 0.12 Ampère per vierkante meter Geen conversie vereist
Elektronenstroomdichtheid: 0.03 Ampère per vierkante meter --> 0.03 Ampère per vierkante meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

J_h = J_T-J_e --> 0.12-0.03

Evalueren ... ...

J_h = 0.09

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.09 Ampère per vierkante meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.09 Ampère per vierkante meter <-- Gat huidige dichtheid

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » elektronen » Hole Huidige Dichtheid

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 18 elektronen Rekenmachines

Phi-afhankelijke golffunctie

Gaan Φ Afhankelijke golffunctie = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Golfkwantumnummer*Golffunctie Hoek))

Straal van de N-de baan van het elektron

Gaan Straal van de n-de baan van het elektron = ([Coulomb]*Kwantum nummer^2*[hP]^2)/(Massa van deeltjes*[Charge-e]^2)

Quantum staat

Gaan Energie in kwantumtoestand = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa van deeltjes*Potentiële putlengte^2)

Hole Component

Gaan Gatencomponent = Elektronencomponent*Efficiëntie van emitterinjectie/(1-Efficiëntie van emitterinjectie)

Volgorde van diffractie

Gaan Orde van diffractie = (2*Enten Ruimte*sin(Invalshoek))/Golflengte van Ray

AC-geleiding

Gaan AC-geleiding = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatuur))*Elektrische stroom

Elektronenfluxdichtheid

Gaan Elektronenfluxdichtheid = (Gemiddeld vrij pad-elektron/(2*Tijd))*Verschil in elektronenconcentratie

Gemiddeld vrij pad

Gaan Gemiddeld vrij pad-elektron = (Elektronenfluxdichtheid/(Verschil in elektronenconcentratie))*2*Tijd

Elektronencomponent

Gaan Elektronencomponent = ((Gatencomponent)/Efficiëntie van emitterinjectie)-Gatencomponent

Elektronenvermenigvuldiging

Gaan Vermenigvuldiging van elektronen = Aantal elektronen buiten regio/Aantal elektronen in regio

Elektron buiten regio

Gaan Aantal elektronen buiten regio = Vermenigvuldiging van elektronen*Aantal elektronen in regio

Elektron in regio

Gaan Aantal elektronen in regio = Aantal elektronen buiten regio/Vermenigvuldiging van elektronen

Gemiddelde tijdsbesteding per hole

Gaan Gemiddelde tijdsbesteding per hole = Optische generatiesnelheid*Meerderheid Carrier Decay

Verschil in elektronenconcentratie

Gaan Verschil in elektronenconcentratie = Elektronenconcentratie 1-Elektronenconcentratie 2

Totale stroomdichtheid van de draaggolf

Gaan Totale draaggolfstroomdichtheid = Elektronenstroomdichtheid+Gat huidige dichtheid

Elektronenstroomdichtheid

Gaan Elektronenstroomdichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Gat huidige dichtheid

Hole Huidige Dichtheid

Gaan Gat huidige dichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Elektronenstroomdichtheid

Amplitude golffunctie

Gaan Amplitude van golffunctie = sqrt(2/Potentiële putlengte)

< 15 Halfgeleider dragers Rekenmachines

Intrinsieke dragerconcentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve staatsdichtheid in valentieband*Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband)*exp(-Energie kloof/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Levensduur van de drager

Gaan Levensduur vervoerder = 1/(Evenredigheid voor recombinatie*(Gaten Concentratie in Valance Band+Elektronenconcentratie in geleidingsband))

Straal van de N-de baan van het elektron

Gaan Straal van de n-de baan van het elektron = ([Coulomb]*Kwantum nummer^2*[hP]^2)/(Massa van deeltjes*[Charge-e]^2)

Quantum staat

Gaan Energie in kwantumtoestand = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa van deeltjes*Potentiële putlengte^2)

Elektronenfluxdichtheid

Gaan Elektronenfluxdichtheid = (Gemiddeld vrij pad-elektron/(2*Tijd))*Verschil in elektronenconcentratie

Distributiecoëfficiënt

Gaan Verdelingscoëfficiënt = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof

Fermi-functie

Gaan Fermi-functie = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband

Effectieve dichtheidstoestand in valentieband

Gaan Effectieve staatsdichtheid in valentieband = Gaten Concentratie in Valance Band/(1-Fermi-functie)

Elektronenvermenigvuldiging

Gaan Vermenigvuldiging van elektronen = Aantal elektronen buiten regio/Aantal elektronen in regio

Gemiddelde tijdsbesteding per hole

Gaan Gemiddelde tijdsbesteding per hole = Optische generatiesnelheid*Meerderheid Carrier Decay

Overmatige dragerconcentratie

Gaan Overmatige dragerconcentratie = Optische generatiesnelheid*Levensduur recombinatie

Elektronenstroomdichtheid

Gaan Elektronenstroomdichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Gat huidige dichtheid

Hole Huidige Dichtheid

Gaan Gat huidige dichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Elektronenstroomdichtheid

Foto-elektronen energie

Gaan Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht

Geleidingsband energie

Gaan Geleidingsband energie = Energie kloof+Valentieband energie

Hole Huidige Dichtheid Formule

Gat huidige dichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Elektronenstroomdichtheid
J_h = J_T-J_e

Wat is driftstroom?

Driftstroom is de elektrische stroom die wordt veroorzaakt doordat deeltjes worden getrokken door een elektrisch veld. De term wordt het meest gebruikt in de context van elektronen en gaten in halfgeleiders, hoewel hetzelfde concept ook van toepassing is op metalen, elektrolyten, enzovoort.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!