Concentrazione portante intrinseca calcolatrice

Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))
n_i = sqrt(N_v*N_c)*exp(-E_g/(2*[BoltZ]*T))
Questa formula utilizza 1 Costanti, 2 Funzioni, 5 Variabili
[BoltZ] - Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23exp - In una funzione esponenziale, il valore della funzione cambia di un fattore costante per ogni variazione unitaria della variabile indipendente., exp(Number)
sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)Concentrazione portante intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione portante intrinseca viene utilizzata per descrivere la concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un materiale semiconduttore intrinseco o non drogato all'equilibrio termico.
Densità di stato effettiva in banda di valenza - (Misurato in 1 per metro cubo) - La densità di stato effettiva nella banda di valenza è definita come la banda di orbitali elettronici da cui gli elettroni possono saltare fuori, spostandosi nella banda di conduzione quando eccitati.
Densità di stato effettiva in banda di conduzione - (Misurato in 1 per metro cubo) - La densità di stato effettiva nella banda di conduzione è definita come il numero di minimi di energia equivalenti nella banda di conduzione.
Divario Energetico - (Misurato in Joule) - Gap energetico nella fisica dello stato solido, un gap energetico è un intervallo di energia in un solido in cui non esistono stati di elettroni.
Temperatura - (Misurato in Kelvin) - La temperatura è il grado o l'intensità del calore presente in una sostanza o oggetto.

(Calcolo completato in 00.004 secondi)