Concentrazione del vettore maggioritario nei semiconduttori calcolatrice

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Caratteristiche dei semiconduttori

Caratteristiche del diodo

Caratteristiche del portatore di carica

Parametri elettrostatici

Parametri operativi del transistor

✖La concentrazione portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.ⓘ Concentrazione portante intrinseca [n_i]			+10% -10%
✖La concentrazione di portatori di minoranza è il numero di portatori nella banda di valenza senza distorsioni applicate esternamente.ⓘ Concentrazione di portatori di minoranza [p₀]			+10% -10%

✖La concentrazione portante maggioritaria è il numero di portanti nella banda di conduzione senza distorsioni applicate esternamente.ⓘ Concentrazione del vettore maggioritario nei semiconduttori [n₀]

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Formula

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Concentrazione del vettore maggioritario nei semiconduttori

Formula

`"n"_{"0"} = "n"_{"i"}^2/"p"_{"0"}`

Esempio

`"1.6E^8/m³"=("1.2e8/m³")^2/"9.1e7/m³"`

Calcolatrice

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Concentrazione del vettore maggioritario nei semiconduttori Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza
n₀ = n_i^2/p₀
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Concentrazione di portatori maggioritari - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione portante maggioritaria è il numero di portanti nella banda di conduzione senza distorsioni applicate esternamente.
Concentrazione portante intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
Concentrazione di portatori di minoranza - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di portatori di minoranza è il numero di portatori nella banda di valenza senza distorsioni applicate esternamente.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione portante intrinseca: 120000000 1 per metro cubo --> 120000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione di portatori di minoranza: 91000000 1 per metro cubo --> 91000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

n₀ = n_i^2/p₀ --> 120000000^2/91000000

Valutare ... ...

n₀ = 158241758.241758

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

158241758.241758 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

158241758.241758 ≈ 1.6E+8 1 per metro cubo <-- Concentrazione di portatori maggioritari

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 13 Caratteristiche dei semiconduttori Calcolatrici

Conduttività nei semiconduttori

Partire Conducibilità = (Densità elettronica*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone)+(Densità dei fori*[Charge-e]*Mobilità dei fori)

Funzione di distribuzione di Fermi Dirac

Partire Funzione di distribuzione di Fermi Dirac = 1/(1+e^((Energia del livello di Fermi-Energia del livello di Fermi)/([BoltZ]*Temperatura)))

Conducibilità dei semiconduttori estrinseci per il tipo N

Partire Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n) = Concentrazione dei donatori*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone

Conduttività del semiconduttore estrinseco per il tipo P

Partire Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo p) = Concentrazione dell'accettore*[Charge-e]*Mobilità dei fori

Lunghezza di diffusione elettronica

Partire Lunghezza di diffusione elettronica = sqrt(Costante di diffusione elettronica*Portatore di minoranza a vita)

Gap di banda energetica

Partire Gap di banda energetica = Energy Band Gap a 0K-(Temperatura*Costante specifica del materiale)

Concentrazione di portatori maggioritari in semiconduttore per tipo p

Partire Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza

Concentrazione del vettore maggioritario nei semiconduttori

Partire Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza

Livello di Fermi dei semiconduttori intrinseci

Partire Semiconduttore intrinseco di livello Fermi = (Energia della banda di conduzione+Energia della banda di mantovana)/2

Densità di corrente di deriva

Partire Densità di corrente di deriva = Densità di corrente dei fori+Densità di corrente elettronica

Mobilità dei vettori di carica

Partire Portatori di carica Mobilità = Velocità di deriva/Intensità del campo elettrico

Tensione di saturazione utilizzando la tensione di soglia

Partire Tensione di saturazione = Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio

Campo elettrico dovuto alla tensione di Hall

Partire Campo elettrico di Hall = Tensione di sala/Larghezza del conduttore

Concentrazione del vettore maggioritario nei semiconduttori Formula

Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza
n₀ = n_i^2/p₀

Che cos'è una legge sulle azioni di massa?

In un semiconduttore in equilibrio termico (a temperatura costante) il prodotto di buchi ed elettroni è sempre costante e uguale al quadrato del semiconduttore intrinseco.

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