Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Halfgeleiderkenmerken

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Kenmerken van ladingdragers

Transistor-bedrijfsparameters

✖Intrinsieke dragerconcentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.ⓘ Intrinsieke dragerconcentratie [n_i]			+10% -10%
✖Minority Carrier Concentration is het aantal dragers in de valentieband zonder extern toegepaste bias.ⓘ Concentratie van minderheidsdragers [p₀]			+10% -10%

✖Majority Carrier Concentration is het aantal dragers in de geleidingsband zonder extern toegepaste bias.ⓘ Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders [n₀]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders

Formule

`"n"_{"0"} = "n"_{"i"}^2/"p"_{"0"}`

Voorbeeld

`"1.6E^8/m³"=("1.2e8/m³")^2/"9.1e7/m³"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Halfgeleiderkenmerken Formules Pdf PDF Image

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers
n₀ = n_i^2/p₀
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Meerderheid Carrier Concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Majority Carrier Concentration is het aantal dragers in de geleidingsband zonder extern toegepaste bias.
Intrinsieke dragerconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke dragerconcentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Concentratie van minderheidsdragers - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Minority Carrier Concentration is het aantal dragers in de valentieband zonder extern toegepaste bias.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Intrinsieke dragerconcentratie: 120000000 1 per kubieke meter --> 120000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Concentratie van minderheidsdragers: 91000000 1 per kubieke meter --> 91000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

n₀ = n_i^2/p₀ --> 120000000^2/91000000

Evalueren ... ...

n₀ = 158241758.241758

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

158241758.241758 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

158241758.241758 ≈ 1.6E+8 1 per kubieke meter <-- Meerderheid Carrier Concentratie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Halfgeleiderkenmerken » Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 13 Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders

Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)

Fermi Dirac-distributiefunctie

Gaan Fermi Dirac-distributiefunctie = 1/(1+e^((Fermi-niveau energie-Fermi-niveau energie)/([BoltZ]*Temperatuur)))

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) = Acceptor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten

Lengte elektronendiffusie

Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)

Energiebandkloof

Gaan Energiebandkloof = Energiebandafstand bij 0K-(Temperatuur*Materiaalspecifieke constante)

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders

Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2

Drift huidige dichtheid

Gaan Drift huidige dichtheid = Gaten Huidige Dichtheid+Elektronenstroomdichtheid

Mobiliteit van ladingdragers

Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldintensiteit

Verzadigingsspanning met behulp van drempelspanning

Gaan Verzadigingsspanning = Poortbronspanning-Drempelspanning

Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning

Gaan Zaal elektrisch veld = Zaal spanning/Dirigent Breedte

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders Formule

Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers
n₀ = n_i^2/p₀

Wat is een massale actiewet?

In een halfgeleider onder thermisch evenwicht (bij constante temperatuur) is het product van gaten en elektronen altijd constant en gelijk aan het kwadraat van de intrinsieke halfgeleider.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!