Potenziale di superficie Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Potenziale di superficie = 2*Differenza di potenziale del corpo sorgente*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca)
Φs = 2*Vsb*ln(NA/Ni)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 4 Variabili
Funzioni utilizzate
ln - Logarytm naturalny, znany również jako logarytm o podstawie e, jest funkcją odwrotną do naturalnej funkcji wykładniczej., ln(Number)
Variabili utilizzate
Potenziale di superficie - (Misurato in Volt) - Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.
Differenza di potenziale del corpo sorgente - (Misurato in Volt) - La differenza di potenziale del corpo della sorgente viene calcolata quando un potenziale applicato esternamente è uguale alla somma della caduta di tensione attraverso lo strato di ossido e della caduta di tensione attraverso il semiconduttore.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.
Concentrazione intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione intrinseca si riferisce alla concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un semiconduttore intrinseco all'equilibrio termico.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Differenza di potenziale del corpo sorgente: 1.36 Volt --> 1.36 Volt Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dell'accettore: 1E+16 1 per centimetro cubo --> 1E+22 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)
Concentrazione intrinseca: 14500000000 1 per centimetro cubo --> 1.45E+16 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Φs = 2*Vsb*ln(NA/Ni) --> 2*1.36*ln(1E+22/1.45E+16)
Valutare ... ...
Φs = 36.5675358441665
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
36.5675358441665 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
36.5675358441665 36.56754 Volt <-- Potenziale di superficie
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

25 Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI
Partire Densità di carica della regione di esaurimento di massa = -(1-((Estensione laterale della regione di esaurimento con la sorgente+Estensione laterale della regione di esaurimento con drenaggio)/(2*Lunghezza del canale)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentrazione dell'accettore*abs(2*Potenziale di superficie))
Coefficiente di effetto corporeo
Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))
Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI
Partire Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensione incorporata di giunzione)/([Charge-e]*Concentrazione dell'accettore))
Tensione incorporata di giunzione VLSI
Partire Tensione incorporata di giunzione = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori/(Concentrazione intrinseca)^2)
Capacità parassita della sorgente totale
Partire Capacità parassita della sorgente = (Capacità tra giunzione del corpo e sorgente*Area di diffusione della sorgente)+(Capacità tra la giunzione del corpo e la parete laterale*Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente)
Corrente di saturazione del canale corto VLSI
Partire Corrente di saturazione del canale corto = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*Capacità di ossido per unità di area*Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione
Corrente di giunzione
Partire Corrente di giunzione = (Potenza statica/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente del cancello)
Potenziale di superficie
Partire Potenziale di superficie = 2*Differenza di potenziale del corpo sorgente*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca)
Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate
Partire Lunghezza del cancello = Capacità del cancello/(Capacità dello strato di ossido di gate*Larghezza del cancello)
Capacità dell'ossido di gate
Partire Capacità dello strato di ossido di gate = Capacità del cancello/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)
Tensione di soglia quando la sorgente è al potenziale corporeo
Partire Tensione di soglia DIBL = Coefficiente DIBL*Drenare al potenziale di origine+Soglia di voltaggio
Coefficiente DIBL
Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine
Soglia di voltaggio
Partire Soglia di voltaggio = Voltaggio da gate a canale-(Carica del canale/Capacità del cancello)
Capacità del gate
Partire Capacità del cancello = Carica del canale/(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
Pendenza sottosoglia
Partire Pendenza sottosoglia = Differenza di potenziale del corpo sorgente*Coefficiente DIBL*ln(10)
Channel Charge
Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo = Capacità di ossido per unità di area*Fattore di scala
Profondità di giunzione dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire Profondità della giunzione dopo il ridimensionamento completo = Profondità di giunzione/Fattore di scala
Spessore dell'ossido di gate dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire Spessore dell'ossido di gate dopo la scalatura completa = Spessore dell'ossido di gate/Fattore di scala
Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo = Lunghezza del canale/Fattore di scala
Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo = Larghezza del canale/Fattore di scala
Tensione critica
Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale
Capacità intrinseca di gate
Partire Capacità di sovrapposizione del gate MOS = Capacità del gate MOS*Larghezza di transizione
Mobilità in Mosfet
Partire Mobilità nei MOSFET = K Primo/Capacità dello strato di ossido di gate
K-Prime
Partire K Primo = Mobilità nei MOSFET*Capacità dello strato di ossido di gate

Potenziale di superficie Formula

Potenziale di superficie = 2*Differenza di potenziale del corpo sorgente*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca)
Φs = 2*Vsb*ln(NA/Ni)

Perché calcoliamo il potenziale superficiale?

Il potenziale superficiale viene calcolato per determinare il livello di tensione sulla superficie del semiconduttore. Aiuta a valutare le prestazioni del dispositivo, la tensione di soglia e il consumo energetico nei transistor CMOS, aiutando nella progettazione e nell'ottimizzazione dei circuiti.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!