Densità di carica totale calcolatrice

✖La densità di carica degli elettroni CC si riferisce alla misura della densità degli elettroni liberi in un materiale o un mezzo in uno stato stazionario o in una condizione CC (corrente continua).ⓘ Densità di carica elettronica CC [ρ_o]			+10% -10%
✖La densità di carica RF istantanea si riferisce alla distribuzione della carica elettrica in un sistema in un momento specifico nel tempo in cui il campo elettrico oscilla ad alta frequenza.ⓘ Densità di carica RF istantanea [ρ_rf]			+10% -10%

✖La densità di carica totale si riferisce alla distribuzione complessiva della carica elettrica all’interno di una data regione dello spazio.ⓘ Densità di carica totale [ρ_tot]

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Formula

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Densità di carica totale

Formula

`"ρ"_{"tot"} = -"ρ"_{"o"}+"ρ"_{"rf"}`

Esempio

`"2.5kg/m³"=-"10e-11C/m³"+"2.5kg/m³"`

Calcolatrice

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Densità di carica totale Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Densità di carica totale = -Densità di carica elettronica CC+Densità di carica RF istantanea
ρ_tot = -ρ_o+ρ_rf
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Densità di carica totale - (Misurato in Chilogrammo per metro cubo) - La densità di carica totale si riferisce alla distribuzione complessiva della carica elettrica all’interno di una data regione dello spazio.
Densità di carica elettronica CC - (Misurato in Coulomb per metro cubo) - La densità di carica degli elettroni CC si riferisce alla misura della densità degli elettroni liberi in un materiale o un mezzo in uno stato stazionario o in una condizione CC (corrente continua).
Densità di carica RF istantanea - (Misurato in Chilogrammo per metro cubo) - La densità di carica RF istantanea si riferisce alla distribuzione della carica elettrica in un sistema in un momento specifico nel tempo in cui il campo elettrico oscilla ad alta frequenza.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Densità di carica elettronica CC: 1E-10 Coulomb per metro cubo --> 1E-10 Coulomb per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Densità di carica RF istantanea: 2.5 Chilogrammo per metro cubo --> 2.5 Chilogrammo per metro cubo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

ρ_tot = -ρ_o+ρ_rf --> -1E-10+2.5

Valutare ... ...

ρ_tot = 2.4999999999

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

2.4999999999 Chilogrammo per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

2.4999999999 ≈ 2.5 Chilogrammo per metro cubo <-- Densità di carica totale

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Simran Shravan Nishad

Sinhgad College of Engineering (SCOE), Puna

Simran Shravan Nishad ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Ritwik Tripati

Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore

Ritwik Tripati ha verificato questa calcolatrice e altre 100+ altre calcolatrici!

< 20 Tubo del raggio Calcolatrici

Tensione delle microonde nel gap di buncher

Partire Tensione delle microonde nel Buncher Gap = (Ampiezza del segnale/(Frequenza angolare della tensione a microonde*Tempo di transito medio))*(cos(Frequenza angolare della tensione a microonde*Entrando nel tempo)-cos(Frequenza angolare di risonanza+(Frequenza angolare della tensione a microonde*Distanza del gap del bunker)/Velocità dell'elettrone))

Potenza di uscita RF

Partire Potenza di uscita RF = Potenza in ingresso RF*exp(-2*Costante di attenuazione RF*Lunghezza del circuito RF)+int((Potenza RF generata/Lunghezza del circuito RF)*exp(-2*Costante di attenuazione RF*(Lunghezza del circuito RF-x)),x,0,Lunghezza del circuito RF)

Tensione repeller

Partire Voltaggio del repeller = sqrt((8*Frequenza angolare^2*Lunghezza dello spazio alla deriva^2*Tensione del fascio piccolo)/((2*pi*Numero di oscillazioni)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Tensione del fascio piccolo

Esaurimento totale per il sistema WDM

Partire Esaurimento totale per un sistema WDM = sum(x,2,Numero di canali,Coefficiente di guadagno Raman*Potenza del canale*Lunghezza effettiva/Area effettiva)

Perdita di potenza media nel risonatore

Partire Perdita di potenza media nel risonatore = (Resistenza superficiale del risonatore/2)*(int(((Valore di picco dell'intensità magnetica tangenziale)^2)*x,x,0,Raggio del risonatore))

Frequenza plasmatica

Partire Frequenza del plasma = sqrt(([Charge-e]*Densità di carica elettronica CC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))

Energia totale immagazzinata nel risonatore

Partire Energia totale immagazzinata nel risonatore = int((Permittività del mezzo/2*Intensità del campo elettrico^2)*x,x,0,Volume del risonatore)

Profondità della pelle

Partire Profondità della pelle = sqrt(Resistività/(pi*Permeabilità relativa*Frequenza))

Densità di corrente totale del fascio di elettroni

Partire Densità di corrente totale del fascio di elettroni = -Densità di corrente del fascio CC+Perturbazione istantanea della corrente del raggio RF

Frequenza portante in linea spettrale

Partire Frequenza portante = Frequenza della linea spettrale-Numero di campioni*Frequenza di ripetizione

Velocità totale degli elettroni

Partire Velocità totale degli elettroni = Velocità dell'elettrone DC+Perturbazione istantanea della velocità degli elettroni

Frequenza plasmatica ridotta

Partire Frequenza del plasma ridotta = Frequenza del plasma*Fattore di riduzione della carica spaziale

Densità di carica totale

Partire Densità di carica totale = -Densità di carica elettronica CC+Densità di carica RF istantanea

Alimentazione ottenuta dall'alimentatore CC

Partire Alimentazione CC = Potenza generata nel circuito anodico/Efficienza elettronica

Potenza generata nel circuito dell'anodo

Partire Potenza generata nel circuito anodico = Alimentazione CC*Efficienza elettronica

Guadagno di tensione massimo alla risonanza

Partire Guadagno di tensione massimo alla risonanza = Transconduttanza/Conduttanza

Potenza di picco dell'impulso microonde rettangolare

Partire Potenza di picco dell'impulso = Potenza media/Ciclo di lavoro

Perdita di ritorno

Partire Perdita di ritorno = -20*log10(Coefficiente di riflessione)

Alimentazione CA fornita dalla tensione del fascio

Partire Alimentazione CA = (Voltaggio*Attuale)/2

Alimentazione CC fornita dalla tensione del fascio

Partire Alimentazione CC = Voltaggio*Attuale

Densità di carica totale Formula

Densità di carica totale = -Densità di carica elettronica CC+Densità di carica RF istantanea
ρ_tot = -ρ_o+ρ_rf

Quali fattori influenzano la densità di carica totale?

Il drogaggio nei semiconduttori, il campo elettrico, le proprietà dei materiali, il tipo e la densità dei portatori di carica sono alcuni dei fattori da cui dipende la densità di carica totale.

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