Gesamtladungsdichte Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gesamtladungsdichte = -DC-Elektronenladungsdichte+Momentane HF-Ladungsdichte
ρtot = -ρo+ρrf
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Gesamtladungsdichte - (Gemessen in Kilogramm pro Kubikmeter) - Die Gesamtladungsdichte bezieht sich auf die Gesamtverteilung der elektrischen Ladung innerhalb eines bestimmten Raumbereichs.
DC-Elektronenladungsdichte - (Gemessen in Coulomb pro Kubikmeter) - Die DC-Elektronenladungsdichte bezieht sich auf das Maß der Dichte freier Elektronen in einem Material oder Medium im stationären Zustand oder unter DC-Bedingungen (Gleichstrom).
Momentane HF-Ladungsdichte - (Gemessen in Kilogramm pro Kubikmeter) - Die momentane HF-Ladungsdichte bezieht sich auf die Verteilung der elektrischen Ladung in einem System zu einem bestimmten Zeitpunkt, wenn das elektrische Feld mit hoher Frequenz schwingt.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
DC-Elektronenladungsdichte: 1E-10 Coulomb pro Kubikmeter --> 1E-10 Coulomb pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Momentane HF-Ladungsdichte: 2.5 Kilogramm pro Kubikmeter --> 2.5 Kilogramm pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
ρtot = -ρorf --> -1E-10+2.5
Auswerten ... ...
ρtot = 2.4999999999
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
2.4999999999 Kilogramm pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
2.4999999999 2.5 Kilogramm pro Kubikmeter <-- Gesamtladungsdichte
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Simran Shravan Nishad
Sinhgad College of Engineering (SCOE), Pune
Simran Shravan Nishad hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Ritwik Tripathi
Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 100+ weitere Rechner verifiziert!

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Mikrowellenspannung im Buncher-Spalt
​ Gehen Mikrowellenspannung im Buncher-Lückenbereich = (Signalamplitude/(Winkelfrequenz der Mikrowellenspannung*Durchschnittliche Transitzeit))*(cos(Winkelfrequenz der Mikrowellenspannung*Zeit eingeben)-cos(Resonanz-Winkelfrequenz+(Winkelfrequenz der Mikrowellenspannung*Buncher-Lückenabstand)/Elektronengeschwindigkeit))
HF-Ausgangsleistung
​ Gehen HF-Ausgangsleistung = HF-Eingangsleistung*exp(-2*HF-Dämpfungskonstante*HF-Schaltungslänge)+int((Erzeugte HF-Leistung/HF-Schaltungslänge)*exp(-2*HF-Dämpfungskonstante*(HF-Schaltungslänge-x)),x,0,HF-Schaltungslänge)
Repeller-Spannung
​ Gehen Repellerspannung = sqrt((8*Winkelfrequenz^2*Länge des Driftraums^2*Kleine Strahlspannung)/((2*pi*Anzahl der Schwingungen)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Kleine Strahlspannung
Totale Erschöpfung für WDM-System
​ Gehen Totale Erschöpfung für ein WDM-System = sum(x,2,Anzahl der Kanäle,Raman-Verstärkungskoeffizient*Kanalleistung*Effektive Länge/Nutzfläche)
Durchschnittlicher Leistungsverlust im Resonator
​ Gehen Durchschnittlicher Leistungsverlust im Resonator = (Oberflächenwiderstand des Resonators/2)*(int(((Spitzenwert der tangentialen magnetischen Intensität)^2)*x,x,0,Radius des Resonators))
Plasmafrequenz
​ Gehen Plasmafrequenz = sqrt(([Charge-e]*DC-Elektronenladungsdichte)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Gesamte im Resonator gespeicherte Energie
​ Gehen Gesamte im Resonator gespeicherte Energie = int((Permittivität des Mediums/2*Elektrische Feldstärke^2)*x,x,0,Resonatorvolumen)
Hauttiefe
​ Gehen Hauttiefe = sqrt(Widerstand/(pi*Relative Permeabilität*Frequenz))
Trägerfrequenz in der Spektrallinie
​ Gehen Trägerfrequenz = Spektrallinienfrequenz-Anzahl von Beispielen*Wiederholungsfrequenz
Gesamtstromdichte des Elektronenstrahls
​ Gehen Gesamtstromdichte des Elektronenstrahls = -Gleichstromdichte des Strahls+Momentane Störung des HF-Strahlstroms
Gesamtelektronengeschwindigkeit
​ Gehen Gesamtelektronengeschwindigkeit = DC-Elektronengeschwindigkeit+Momentane Störung der Elektronengeschwindigkeit
Im Anodenstromkreis erzeugter Strom
​ Gehen Im Anodenstromkreis erzeugter Strom = Gleichstromquelle*Elektronische Effizienz
Strom aus DC-Netzteil bezogen
​ Gehen Gleichstromquelle = Im Anodenstromkreis erzeugter Strom/Elektronische Effizienz
Gesamtladungsdichte
​ Gehen Gesamtladungsdichte = -DC-Elektronenladungsdichte+Momentane HF-Ladungsdichte
Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz
​ Gehen Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz = Transkonduktanz/Leitfähigkeit
Reduzierte Plasmafrequenz
​ Gehen Reduzierte Plasmafrequenz = Plasmafrequenz*Raumladungsreduktionsfaktor
Rechteckige Mikrowellenimpuls-Spitzenleistung
​ Gehen Pulsspitzenleistung = Durchschnittliche Kraft/Auslastungsgrad
Rückflussdämpfung
​ Gehen Rückflussdämpfung = -20*log10(Reflexionsfaktor)
Gleichstromversorgung durch Strahlspannung
​ Gehen Gleichstromquelle = Stromspannung*Aktuell
Wechselstromversorgung durch Strahlspannung
​ Gehen AC-Netzteil = (Stromspannung*Aktuell)/2

Gesamtladungsdichte Formel

Gesamtladungsdichte = -DC-Elektronenladungsdichte+Momentane HF-Ladungsdichte
ρtot = -ρo+ρrf

Welche Faktoren beeinflussen die Gesamtladungsdichte?

Dotierung in Halbleitern, elektrisches Feld, Materialeigenschaften, Art und Dichte der Ladungsträger sind einige Faktoren, von denen die Gesamtladungsdichte abhängt.

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