Całkowita gęstość ładunku Kalkulator

✖Gęstość ładunku elektronów prądu stałego odnosi się do miary gęstości wolnych elektronów w materiale lub ośrodku w stanie ustalonym lub w stanie prądu stałego (prądu stałego).ⓘ Gęstość ładunku elektronów prądu stałego [ρ_o]			+10% -10%
✖Chwilowa gęstość ładunku RF odnosi się do rozkładu ładunku elektrycznego w systemie w określonym momencie, gdy pole elektryczne oscyluje z dużą częstotliwością.ⓘ Chwilowa gęstość ładunku RF [ρ_rf]			+10% -10%

✖Całkowita gęstość ładunku odnosi się do całkowitego rozkładu ładunku elektrycznego w danym obszarze przestrzeni.ⓘ Całkowita gęstość ładunku [ρ_tot]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Całkowita gęstość ładunku

Formuła

`"ρ"_{"tot"} = -"ρ"_{"o"}+"ρ"_{"rf"}`

Przykład

`"2.5kg/m³"=-"10e-11C/m³"+"2.5kg/m³"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Rurki i obwody mikrofalowe Formułę PDF PDF Image

Całkowita gęstość ładunku Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Całkowita gęstość ładunku = -Gęstość ładunku elektronów prądu stałego+Chwilowa gęstość ładunku RF
ρ_tot = -ρ_o+ρ_rf
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Całkowita gęstość ładunku - (Mierzone w Kilogram na metr sześcienny) - Całkowita gęstość ładunku odnosi się do całkowitego rozkładu ładunku elektrycznego w danym obszarze przestrzeni.
Gęstość ładunku elektronów prądu stałego - (Mierzone w Kulomb na metr sześcienny) - Gęstość ładunku elektronów prądu stałego odnosi się do miary gęstości wolnych elektronów w materiale lub ośrodku w stanie ustalonym lub w stanie prądu stałego (prądu stałego).
Chwilowa gęstość ładunku RF - (Mierzone w Kilogram na metr sześcienny) - Chwilowa gęstość ładunku RF odnosi się do rozkładu ładunku elektrycznego w systemie w określonym momencie, gdy pole elektryczne oscyluje z dużą częstotliwością.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Gęstość ładunku elektronów prądu stałego: 1E-10 Kulomb na metr sześcienny --> 1E-10 Kulomb na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Chwilowa gęstość ładunku RF: 2.5 Kilogram na metr sześcienny --> 2.5 Kilogram na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

ρ_tot = -ρ_o+ρ_rf --> -1E-10+2.5

Ocenianie ... ...

ρ_tot = 2.4999999999

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

2.4999999999 Kilogram na metr sześcienny --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

2.4999999999 ≈ 2.5 Kilogram na metr sześcienny <-- Całkowita gęstość ładunku

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Teoria mikrofalowa » Rurki i obwody mikrofalowe » Rurka wiązki » Całkowita gęstość ładunku

Kredyty

Stworzone przez Simran Shravan Nishad

Sinhgad College of Engineering (SKO), Pune

Simran Shravan Nishad utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Ritwik Tripathi

Vellore Instytut Technologiczny (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi zweryfikował ten kalkulator i 100+ więcej kalkulatorów!

< 23 Rurka wiązki Kalkulatory

Napięcie mikrofalowe w szczelinie Bunchera

Iść Napięcie mikrofalowe w szczelinie Bunchera = (Amplituda sygnału/(Częstotliwość kątowa napięcia mikrofalowego*Średni czas tranzytu))*(cos(Częstotliwość kątowa napięcia mikrofalowego*Wprowadzanie czasu)-cos(Rezonansowa częstotliwość kątowa+(Częstotliwość kątowa napięcia mikrofalowego*Odległość szczeliny Buncher'a)/Prędkość elektronu))

Moc wyjściowa RF

Iść Moc wyjściowa RF = Moc wejściowa RF*exp(-2*Stała tłumienia RF*Długość obwodu RF)+int((Wygenerowana moc RF/Długość obwodu RF)*exp(-2*Stała tłumienia RF*(Długość obwodu RF-x)),x,0,Długość obwodu RF)

Wzmocnienie mocy dwuwnękowego wzmacniacza klistronowego

Iść Wzmocnienie mocy dwuwnękowego wzmacniacza klistronowego = (1/4)*(((Prąd zbiorczy katod*Częstotliwość kątowa)/(Napięcie zbiorcze katody*Zmniejszona częstotliwość plazmy))^2)*(Współczynnik sprzężenia belki^4)*Całkowita rezystancja bocznikowa wnęki wejściowej*Całkowita rezystancja bocznikowa wnęki wyjściowej

Napięcie odstraszacza

Iść Napięcie odrzutnika = sqrt((8*Częstotliwość kątowa^2*Długość przestrzeni dryfu^2*Małe napięcie wiązki)/((2*pi*Liczba oscylacji)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Małe napięcie wiązki

Impedancja charakterystyczna linii koncentrycznej

Iść Impedancja charakterystyczna kabla koncentrycznego = (1/(2*pi))*(sqrt(Względna przepuszczalność/Przepuszczalność dielektryka))*ln(Zewnętrzny promień przewodnika/Wewnętrzny promień przewodnika)

Prędkość fazowa w kierunku osiowym

Iść Prędkość fazowa w kierunku osiowym = Skok Helixa/(sqrt(Względna przepuszczalność*Przepuszczalność dielektryka*((Skok Helixa^2)+(pi*Średnica helisy)^2)))

Całkowite wyczerpanie systemu WDM

Iść Całkowite wyczerpanie systemu WDM = sum(x,2,Liczba kanałów,Współczynnik wzmocnienia Ramana*Moc kanału*Efektywna długość/Obszar efektywny)

Średnia strata mocy w rezonatorze

Iść Średnia strata mocy w rezonatorze = (Rezystancja powierzchniowa rezonatora/2)*(int(((Wartość szczytowa stycznego natężenia magnetycznego)^2)*x,x,0,Promień rezonatora))

Częstotliwość plazmy

Iść Częstotliwość plazmy = sqrt(([Charge-e]*Gęstość ładunku elektronów prądu stałego)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))

Całkowita energia zmagazynowana w rezonatorze

Iść Całkowita energia zmagazynowana w rezonatorze = int((Przepuszczalność medium/2*Natężenie pola elektrycznego^2)*x,x,0,Głośność rezonatora)

Głębokość skóry

Iść Głębokość skóry = sqrt(Oporność/(pi*Względna przepuszczalność*Częstotliwość))

Częstotliwość nośna w linii widmowej

Iść Częstotliwość nośna = Częstotliwość linii widmowej-Liczba przykładów*Częstotliwość powtórzeń

Całkowita gęstość prądu wiązki elektronów

Iść Całkowita gęstość prądu wiązki elektronów = -Gęstość prądu wiązki prądu stałego+Natychmiastowe zakłócenia prądu wiązki RF

Całkowita prędkość elektronów

Iść Całkowita prędkość elektronów = Prędkość elektronów prądu stałego+Chwilowe zaburzenie prędkości elektronów

Zmniejszona częstotliwość plazmy

Iść Zmniejszona częstotliwość plazmy = Częstotliwość plazmy*Współczynnik redukcji ładunku kosmicznego

Całkowita gęstość ładunku

Iść Całkowita gęstość ładunku = -Gęstość ładunku elektronów prądu stałego+Chwilowa gęstość ładunku RF

Maksymalne wzmocnienie napięcia przy rezonansie

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia przy rezonansie = Transkonduktancja/Przewodnictwo

Zasilanie uzyskiwane z zasilacza prądu stałego

Iść Zasilacz = Moc generowana w obwodzie anodowym/Wydajność elektroniczna

Moc generowana w obwodzie anodowym

Iść Moc generowana w obwodzie anodowym = Zasilacz*Wydajność elektroniczna

Utrata zwrotu

Iść Strata zwrotu = -20*log10(Współczynnik odbicia)

Prostokątna moc szczytowa impulsu mikrofalowego

Iść Moc szczytowa impulsu = Średnia moc/Cykl pracy

Zasilanie prądem zmiennym dostarczane przez napięcie wiązki

Iść Zasilanie sieciowe = (Napięcie*Aktualny)/2

Zasilanie prądem stałym dostarczane przez napięcie wiązki

Iść Zasilacz = Napięcie*Aktualny

Całkowita gęstość ładunku Formułę

Całkowita gęstość ładunku = -Gęstość ładunku elektronów prądu stałego+Chwilowa gęstość ładunku RF
ρ_tot = -ρ_o+ρ_rf

Jakie czynniki wpływają na całkowitą gęstość ładunku?

Domieszkowanie półprzewodników, pole elektryczne, właściwości materiału, rodzaj i gęstość nośników ładunku to tylko kilka czynników, od których zależy całkowita gęstość ładunku.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!