Densidade total de carga Calculadora

✖Densidade de carga de elétrons DC refere-se à medida da densidade de elétrons livres em um material ou meio em estado estacionário ou condição DC (corrente contínua).ⓘ Densidade de carga eletrônica DC [ρ_o]			+10% -10%
✖A densidade de carga de RF instantânea refere-se à distribuição de carga elétrica em um sistema em um momento específico quando o campo elétrico está oscilando em alta frequência.ⓘ Densidade de carga RF instantânea [ρ_rf]			+10% -10%

✖A densidade total de carga refere-se à distribuição geral da carga elétrica dentro de uma determinada região do espaço.ⓘ Densidade total de carga [ρ_tot]

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Fórmula

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Densidade total de carga

Fórmula

`"ρ"_{"tot"} = -"ρ"_{"o"}+"ρ"_{"rf"}`

Exemplo

`"2.5kg/m³"=-"10e-11C/m³"+"2.5kg/m³"`

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Densidade total de carga Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Densidade total de carga = -Densidade de carga eletrônica DC+Densidade de carga RF instantânea
ρ_tot = -ρ_o+ρ_rf
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Densidade total de carga - (Medido em Quilograma por Metro Cúbico) - A densidade total de carga refere-se à distribuição geral da carga elétrica dentro de uma determinada região do espaço.
Densidade de carga eletrônica DC - (Medido em Coulomb por metro cúbico) - Densidade de carga de elétrons DC refere-se à medida da densidade de elétrons livres em um material ou meio em estado estacionário ou condição DC (corrente contínua).
Densidade de carga RF instantânea - (Medido em Quilograma por Metro Cúbico) - A densidade de carga de RF instantânea refere-se à distribuição de carga elétrica em um sistema em um momento específico quando o campo elétrico está oscilando em alta frequência.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Densidade de carga eletrônica DC: 1E-10 Coulomb por metro cúbico --> 1E-10 Coulomb por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Densidade de carga RF instantânea: 2.5 Quilograma por Metro Cúbico --> 2.5 Quilograma por Metro Cúbico Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

ρ_tot = -ρ_o+ρ_rf --> -1E-10+2.5

Avaliando ... ...

ρ_tot = 2.4999999999

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

2.4999999999 Quilograma por Metro Cúbico --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

2.4999999999 ≈ 2.5 Quilograma por Metro Cúbico <-- Densidade total de carga

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Simran Shravan Nishad

Faculdade de Engenharia Sinhgad (SCOE), Puna

Simran Shravan Nishad criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Ritwik Tripathi

Instituto de Tecnologia de Vellore (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi verificou esta calculadora e mais 100+ calculadoras!

< 20 Tubo de Feixe Calculadoras

Tensão de microondas em Buncher Gap

Vai Tensão de microondas no Buncher Gap = (Amplitude do sinal/(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Tempo médio de trânsito))*(cos(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Inserindo hora)-cos(Frequência Angular Ressonante+(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Distância da lacuna de Buncher)/Velocidade do elétron))

Potência de saída de RF

Vai Potência de saída de RF = Potência de entrada RF*exp(-2*Constante de atenuação de RF*Comprimento do circuito RF)+int((Energia RF gerada/Comprimento do circuito RF)*exp(-2*Constante de atenuação de RF*(Comprimento do circuito RF-x)),x,0,Comprimento do circuito RF)

Tensão do repelente

Vai Tensão do repelente = sqrt((8*Frequência angular^2*Comprimento do espaço de deriva^2*Tensão de feixe pequeno)/((2*pi*Número de oscilação)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Tensão de feixe pequeno

Esgotamento total para sistema WDM

Vai Esgotamento total para um sistema WDM = sum(x,2,Número de canais,Coeficiente de Ganho Raman*Potência do canal*Comprimento efetivo/Área Efetiva)

Perda média de potência no ressonador

Vai Perda média de potência no ressonador = (Resistência superficial do ressonador/2)*(int(((Valor de pico de intensidade magnética tangencial)^2)*x,x,0,Raio do ressonador))

Frequência de Plasma

Vai Frequência Plasmática = sqrt(([Charge-e]*Densidade de carga eletrônica DC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))

Energia total armazenada no ressonador

Vai Energia total armazenada no ressonador = int((Permissividade do Meio/2*Intensidade do Campo Elétrico^2)*x,x,0,Volume do ressonador)

Profundidade da Pele

Vai Profundidade da pele = sqrt(Resistividade/(pi*Permeabilidade relativa*Frequência))

Densidade total da corrente do feixe de elétrons

Vai Densidade total da corrente do feixe de elétrons = -Densidade de corrente do feixe CC+Perturbação instantânea da corrente do feixe de RF

Frequência portadora na linha espectral

Vai Frequência da portadora = Frequência da Linha Espectral-Número de amostras*Frequência de repetição

Velocidade total do elétron

Vai Velocidade total do elétron = Velocidade do elétron DC+Perturbação instantânea da velocidade do elétron

Densidade total de carga

Vai Densidade total de carga = -Densidade de carga eletrônica DC+Densidade de carga RF instantânea

Frequência Plasmática Reduzida

Vai Frequência Plasmática Reduzida = Frequência Plasmática*Fator de redução de carga espacial

Energia obtida da fonte de alimentação CC

Vai Fonte de alimentação CC = Energia gerada no circuito anódico/Eficiência Eletrônica

Potência Gerada no Circuito Ânodo

Vai Energia gerada no circuito anódico = Fonte de alimentação CC*Eficiência Eletrônica

Ganho máximo de tensão na ressonância

Vai Ganho máximo de tensão na ressonância = Transcondutância/Condutância

Potência de pico de pulso de microondas retangular

Vai Potência de pico de pulso = Potencia média/Ciclo de trabalho

Perda de retorno

Vai Perda de retorno = -20*log10(Coeficiente de reflexão)

Alimentação CA fornecida pela tensão do feixe

Vai Fonte de alimentação CA = (Tensão*Atual)/2

Energia DC fornecida pela tensão do feixe

Vai Fonte de alimentação CC = Tensão*Atual

Densidade total de carga Fórmula

Densidade total de carga = -Densidade de carga eletrônica DC+Densidade de carga RF instantânea
ρ_tot = -ρ_o+ρ_rf

Que fatores afetam a densidade total de carga?

Dopagem em semicondutores, campo elétrico, propriedades do material, tipo e densidade de portadores de carga são alguns fatores dos quais depende a densidade total de carga.

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