Densidad de carga total Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Densidad de carga total = -Densidad de carga de electrones CC+Densidad de carga de RF instantánea
ρtot = -ρo+ρrf
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Densidad de carga total - (Medido en Kilogramo por metro cúbico) - La densidad de carga total se refiere a la distribución general de la carga eléctrica dentro de una región determinada del espacio.
Densidad de carga de electrones CC - (Medido en Culombio por metro cúbico) - La densidad de carga de electrones de CC se refiere a la medida de la densidad de electrones libres en un material o medio en estado estacionario o en condiciones de CC (corriente continua).
Densidad de carga de RF instantánea - (Medido en Kilogramo por metro cúbico) - La densidad de carga de RF instantánea se refiere a la distribución de carga eléctrica en un sistema en un momento específico cuando el campo eléctrico oscila a alta frecuencia.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Densidad de carga de electrones CC: 1E-10 Culombio por metro cúbico --> 1E-10 Culombio por metro cúbico No se requiere conversión
Densidad de carga de RF instantánea: 2.5 Kilogramo por metro cúbico --> 2.5 Kilogramo por metro cúbico No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
ρtot = -ρorf --> -1E-10+2.5
Evaluar ... ...
ρtot = 2.4999999999
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
2.4999999999 Kilogramo por metro cúbico --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
2.4999999999 2.5 Kilogramo por metro cúbico <-- Densidad de carga total
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

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Facultad de Ingeniería de Sinhgad (SCOE), Pune
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Verificada por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore
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23 tubo de haz Calculadoras

Voltaje de microondas en el espacio del Buncher
​ Vamos Voltaje de microondas en la brecha del Buncher = (Amplitud de señal/(Frecuencia angular del voltaje de microondas*Tiempo promedio de tránsito))*(cos(Frecuencia angular del voltaje de microondas*Introducir la hora)-cos(Frecuencia angular resonante+(Frecuencia angular del voltaje de microondas*Distancia de separación del apilador)/Velocidad del electrón))
Potencia de salida de RF
​ Vamos Potencia de salida de RF = Potencia de entrada de RF*exp(-2*Constante de atenuación de RF*Longitud del circuito de RF)+int((Energía de RF generada/Longitud del circuito de RF)*exp(-2*Constante de atenuación de RF*(Longitud del circuito de RF-x)),x,0,Longitud del circuito de RF)
Ganancia de potencia del amplificador Klystron de dos cavidades
​ Vamos Ganancia de potencia del amplificador Klystron de dos cavidades = (1/4)*(((Corriente del acumulador del cátodo*Frecuencia angular)/(Voltaje del agrupador catódico*Frecuencia plasmática reducida))^2)*(Coeficiente de acoplamiento de vigas^4)*Resistencia total de derivación de la cavidad de entrada*Resistencia total de derivación de la cavidad de salida
Voltaje del repelente
​ Vamos Voltaje repelente = sqrt((8*Frecuencia angular^2*Longitud del espacio de deriva^2*Voltaje de haz pequeño)/((2*pi*Número de oscilación)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Voltaje de haz pequeño
Impedancia característica de la línea coaxial
​ Vamos Impedancia característica del cable coaxial = (1/(2*pi))*(sqrt(Permeabilidad relativa/Permitividad del dieléctrico))*ln(Radio del conductor exterior/Radio del conductor interno)
Velocidad de fase en dirección axial
​ Vamos Velocidad de fase en dirección axial = Paso de hélice/(sqrt(Permeabilidad relativa*Permitividad del dieléctrico*((Paso de hélice^2)+(pi*Diámetro de hélice)^2)))
Agotamiento total del sistema WDM
​ Vamos Agotamiento total de un sistema WDM = sum(x,2,número de canales,Coeficiente de ganancia Raman*Poder del canal*Longitud efectiva/Area efectiva)
Pérdida de potencia promedio en el resonador
​ Vamos Pérdida de potencia promedio en el resonador = (Resistencia superficial del resonador/2)*(int(((Valor máximo de intensidad magnética tangencial)^2)*x,x,0,Radio del resonador))
Frecuencia de plasma
​ Vamos Frecuencia plasmática = sqrt(([Charge-e]*Densidad de carga de electrones CC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Energía total almacenada en el resonador
​ Vamos Energía total almacenada en el resonador = int((Permitividad del medio/2*Intensidad del campo eléctrico^2)*x,x,0,Volumen del resonador)
Profundo en la piel
​ Vamos Profundo en la piel = sqrt(Resistividad/(pi*Permeabilidad relativa*Frecuencia))
Densidad de corriente total del haz de electrones
​ Vamos Densidad de corriente total del haz de electrones = -Densidad de corriente del haz de CC+Perturbación instantánea de la corriente del haz de RF
Frecuencia portadora en línea espectral
​ Vamos Frecuencia de carga = Frecuencia de línea espectral-Número de muestras*Frecuencia de repetición
Velocidad total de los electrones
​ Vamos Velocidad total de los electrones = Velocidad del electrón CC+Perturbación instantánea de la velocidad del electrón
Densidad de carga total
​ Vamos Densidad de carga total = -Densidad de carga de electrones CC+Densidad de carga de RF instantánea
Frecuencia de plasma reducida
​ Vamos Frecuencia plasmática reducida = Frecuencia plasmática*Factor de reducción de carga espacial
Energía obtenida de la fuente de alimentación de CC
​ Vamos Fuente de alimentación DC = Energía generada en el circuito anódico/Eficiencia Electrónica
Potencia generada en el circuito del ánodo
​ Vamos Energía generada en el circuito anódico = Fuente de alimentación DC*Eficiencia Electrónica
Ganancia máxima de voltaje en resonancia
​ Vamos Ganancia máxima de voltaje en resonancia = Transconductancia/Conductancia
Pico de potencia de pulso de microondas rectangular
​ Vamos Potencia máxima de pulso = Energía promedio/Ciclo de trabajo
Pérdida de retorno
​ Vamos Pérdida de retorno = -20*log10(Coeficiente de reflexión)
Energía CA suministrada por el voltaje del haz
​ Vamos Fuente de alimentación de CA = (Voltaje*Actual)/2
Energía CC suministrada por el voltaje del haz
​ Vamos Fuente de alimentación DC = Voltaje*Actual

Densidad de carga total Fórmula

Densidad de carga total = -Densidad de carga de electrones CC+Densidad de carga de RF instantánea
ρtot = -ρo+ρrf

¿Qué factores afectan la densidad de carga total?

El dopaje en semiconductores, el campo eléctrico, las propiedades de los materiales, el tipo y la densidad de los portadores de carga son algunos de los factores de los que depende la densidad de carga total.

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