Tensione al minimo EDP calcolatrice

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Caratteristiche del circuito CMOS

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Metriche di potenza CMOS

Sottosistema CMOS per scopi speciali

Sottosistema del percorso dati dell'array

✖La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [V_t]			+10% -10%
✖Il fattore di attività è definito come la capacità di carico che viene caricata e immagazzina energia durante 3/16 di tutte le transizioni di ingresso. Questa frazione è chiamata fattore di attività o alfa.ⓘ Fattore di attività [α]			+10% -10%

✖La tensione al minimo EDP è definita come la tensione minima sperimentata quando il prodotto di ritardo energetico è minimo.ⓘ Tensione al minimo EDP [V_edp]

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Formula

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Tensione al minimo EDP

Formula

`"V"_{"edp"} = (3*"V"_{"t"})/(3-"α")`

Esempio

`"0.666667V"=(3*"0.3V")/(3-"1.65")`

Calcolatrice

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Tensione al minimo EDP Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)
V_edp = (3*V_t)/(3-α)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione al minimo EDP - (Misurato in Volt) - La tensione al minimo EDP è definita come la tensione minima sperimentata quando il prodotto di ritardo energetico è minimo.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
Fattore di attività - Il fattore di attività è definito come la capacità di carico che viene caricata e immagazzina energia durante 3/16 di tutte le transizioni di ingresso. Questa frazione è chiamata fattore di attività o alfa.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Soglia di voltaggio: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Nessuna conversione richiesta
Fattore di attività: 1.65 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_edp = (3*V_t)/(3-α) --> (3*0.3)/(3-1.65)

Valutare ... ...

V_edp = 0.666666666666667

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.666666666666667 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.666666666666667 ≈ 0.666667 Volt <-- Tensione al minimo EDP

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 15 Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Capacità effettiva in CMOS

Partire Capacità effettiva nel CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)

Permittività dello strato di ossido

Partire Permittività dello strato di ossido = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)

Spessore dello strato di ossido

Partire Spessore dello strato di ossido = Permittività dello strato di ossido*Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello/Capacità del gate di ingresso

Larghezza del cancello

Partire Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)

Perimetro laterale della diffusione della sorgente

Partire Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente = (2*Larghezza di transizione)+(2*Lunghezza della fonte)

Larghezza della regione di svuotamento

Partire Larghezza della regione di esaurimento = Lunghezza giunzione PN-Lunghezza effettiva del canale

Lunghezza effettiva del canale

Partire Lunghezza effettiva del canale = Lunghezza giunzione PN-Larghezza della regione di esaurimento

Lunghezza giunzione PN

Partire Lunghezza giunzione PN = Larghezza della regione di esaurimento+Lunghezza effettiva del canale

Larghezza di transizione del CMOS

Partire Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS

Larghezza della diffusione della sorgente

Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte

Area di diffusione della sorgente

Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione

Campo elettrico critico

Partire Campo elettrico critico = (2*Saturazione della velocità)/Mobilità dell'elettrone

CMOS percorso libero medio

Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico

Tensione critica CMOS

Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio

Tensione al minimo EDP

Partire Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)

Tensione al minimo EDP Formula

Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)
V_edp = (3*V_t)/(3-α)

Qual è l'energia minima con un vincolo di ritardo?

Il consumo energetico del sistema è limitato da considerazioni sulla batteria o sul raffreddamento e il progettista cerca di ottenere un ritardo minimo in base a un vincolo di energia elettrica.

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