Spanning bij minimale EDP Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van CMOS-circuits

Array Datapath-subsysteem

CMOS-omvormers

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖De drempelspanning van de transistor is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is om een geleidend pad tussen de source- en drain-terminals te creëren.ⓘ Drempelspanning [V_t]			+10% -10%
✖De activiteitsfactor wordt gedefinieerd als de belastingscapaciteit die wordt opgeladen en energie opslaat tijdens 3/16 van alle ingangsovergangen. Deze fractie wordt de activiteitsfactor of alfa genoemd.ⓘ Activiteitsfactor [α]			+10% -10%

✖De spanning bij minimale EDP wordt gedefinieerd als de minimale spanning die wordt ervaren wanneer het Energy Delay Product minimaal is.ⓘ Spanning bij minimale EDP [V_edp]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Spanning bij minimale EDP

Formule

`"V"_{"edp"} = (3*"V"_{"t"})/(3-"α")`

Voorbeeld

`"0.666667V"=(3*"0.3V")/(3-"1.65")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van CMOS-circuits Formules Pdf PDF Image

Spanning bij minimale EDP Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)
V_edp = (3*V_t)/(3-α)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Spanning bij minimale EDP - (Gemeten in Volt) - De spanning bij minimale EDP wordt gedefinieerd als de minimale spanning die wordt ervaren wanneer het Energy Delay Product minimaal is.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is om een geleidend pad tussen de source- en drain-terminals te creëren.
Activiteitsfactor - De activiteitsfactor wordt gedefinieerd als de belastingscapaciteit die wordt opgeladen en energie opslaat tijdens 3/16 van alle ingangsovergangen. Deze fractie wordt de activiteitsfactor of alfa genoemd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Drempelspanning: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Geen conversie vereist
Activiteitsfactor: 1.65 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_edp = (3*V_t)/(3-α) --> (3*0.3)/(3-1.65)

Evalueren ... ...

V_edp = 0.666666666666667

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.666666666666667 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.666666666666667 ≈ 0.666667 Volt <-- Spanning bij minimale EDP

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » Kenmerken van CMOS-circuits » Spanning bij minimale EDP

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 15 Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

Effectieve capaciteit in CMOS

Gaan Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)

Permittiviteit van oxidelaag

Gaan Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)

Dikte van de oxidelaag

Gaan Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit

Breedte van poort:

Gaan Poortbreedte = Ingangspoortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Lengte van de poort)

Kritisch elektrisch veld

Gaan Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen

Zijwand Omtrek van bronverspreiding

Gaan Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)

Breedte uitputtingsgebied

Gaan Breedte uitputtingsregio = PN-verbindingslengte-Effectieve kanaallengte

Effectieve kanaallengte

Gaan Effectieve kanaallengte = PN-verbindingslengte-Breedte uitputtingsregio

PN-verbindingslengte

Gaan PN-verbindingslengte = Breedte uitputtingsregio+Effectieve kanaallengte

Overgangsbreedte van CMOS

Gaan Overgangsbreedte = MOS-poortoverlappingscapaciteit/MOS-poortcapaciteit

Spanning bij minimale EDP

Gaan Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)

CMOS kritische spanning

Gaan Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad

CMOS betekent vrij pad

Gaan Bedoel vrij pad = Kritische spanning in CMOS/Kritisch elektrisch veld

Breedte van bronverspreiding

Gaan Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron

Gebied van bronverspreiding

Gaan Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte

Spanning bij minimale EDP Formule

Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)
V_edp = (3*V_t)/(3-α)

Wat is minimale energie onder een vertragingsbeperking?

Het stroomverbruik van het systeem wordt beperkt door overwegingen met betrekking tot de batterij of de koeling en de ontwerper streeft naar minimale vertraging onder een beperking van het energieverbruik.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!