Napięcie przy minimalnym EDP Kalkulator

✖Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła wymagane do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.ⓘ Próg napięcia [V_t]			+10% -10%
✖Współczynnik aktywności definiuje się jako pojemność obciążenia, która jest ładowana i magazynuje energię podczas 3/16 wszystkich przejść wejściowych. Ułamek ten nazywany jest współczynnikiem aktywności lub alfa.ⓘ Czynnik aktywności [α]			+10% -10%

✖Napięcie przy minimalnym EDP definiuje się jako minimalne napięcie występujące, gdy produkt opóźnienia energetycznego jest minimalny.ⓘ Napięcie przy minimalnym EDP [V_edp]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka obwodu CMOS Formuły PDF PDF Image

Napięcie przy minimalnym EDP Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie przy minimalnym EDP = (3*Próg napięcia)/(3-Czynnik aktywności)
V_edp = (3*V_t)/(3-α)
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Napięcie przy minimalnym EDP - (Mierzone w Wolt) - Napięcie przy minimalnym EDP definiuje się jako minimalne napięcie występujące, gdy produkt opóźnienia energetycznego jest minimalny.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła wymagane do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.
Czynnik aktywności - Współczynnik aktywności definiuje się jako pojemność obciążenia, która jest ładowana i magazynuje energię podczas 3/16 wszystkich przejść wejściowych. Ułamek ten nazywany jest współczynnikiem aktywności lub alfa.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Próg napięcia: 0.3 Wolt --> 0.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Czynnik aktywności: 1.65 --> Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_edp = (3*V_t)/(3-α) --> (3*0.3)/(3-1.65)

Ocenianie ... ...

V_edp = 0.666666666666667

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.666666666666667 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.666666666666667 ≈ 0.666667 Wolt <-- Napięcie przy minimalnym EDP

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Charakterystyka obwodu CMOS » Napięcie przy minimalnym EDP

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Charakterystyka obwodu CMOS Kalkulatory

Średnia wolna ścieżka CMOS

LaTeX Iść Średnia darmowa ścieżka = Krytyczne napięcie w CMOS/Krytyczne pole elektryczne

Krytyczne napięcie CMOS

LaTeX Iść Krytyczne napięcie w CMOS = Krytyczne pole elektryczne*Średnia darmowa ścieżka

Szerokość dyfuzji źródła

LaTeX Iść Szerokość przejścia = Obszar dyfuzji źródła/Długość źródła

Obszar dyfuzji źródła

LaTeX Iść Obszar dyfuzji źródła = Długość źródła*Szerokość przejścia

Zobacz więcej >>

Napięcie przy minimalnym EDP Formułę

LaTeX Iść

Napięcie przy minimalnym EDP = (3*Próg napięcia)/(3-Czynnik aktywności)
V_edp = (3*V_t)/(3-α)

Jaka jest minimalna energia przy ograniczeniu opóźnienia?

Zużycie energii przez system jest ograniczone ze względu na baterię lub chłodzenie, a projektant stara się osiągnąć minimalne opóźnienie w przypadku ograniczenia energii.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!