Calculadora Voltaje en EDP Mínimo

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✖El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente requerida para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.ⓘ Voltaje umbral [V_t]			+10% -10%
✖El factor de actividad se define como la capacitancia de carga que se carga y almacena energía durante 3/16 de todas las transiciones de entrada. Esta fracción se llama factor de actividad o alfa.ⓘ Factor de actividad [α]			+10% -10%

✖El voltaje al mínimo EDP se define como el voltaje mínimo que se experimenta cuando el producto de retardo de energía es mínimo.ⓘ Voltaje en EDP Mínimo [V_edp]

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Fórmula

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Voltaje en EDP Mínimo

Fórmula

`"V"_{"edp"} = (3*"V"_{"t"})/(3-"α")`

Ejemplo

`"0.666667V"=(3*"0.3V")/(3-"1.65")`

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Voltaje en EDP Mínimo Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Tensión al mínimo EDP = (3*Voltaje umbral)/(3-Factor de actividad)
V_edp = (3*V_t)/(3-α)
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Tensión al mínimo EDP - (Medido en Voltio) - El voltaje al mínimo EDP se define como el voltaje mínimo que se experimenta cuando el producto de retardo de energía es mínimo.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente requerida para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.
Factor de actividad - El factor de actividad se define como la capacitancia de carga que se carga y almacena energía durante 3/16 de todas las transiciones de entrada. Esta fracción se llama factor de actividad o alfa.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje umbral: 0.3 Voltio --> 0.3 Voltio No se requiere conversión
Factor de actividad: 1.65 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_edp = (3*V_t)/(3-α) --> (3*0.3)/(3-1.65)

Evaluar ... ...

V_edp = 0.666666666666667

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.666666666666667 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.666666666666667 ≈ 0.666667 Voltio <-- Tensión al mínimo EDP

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 15 Características del circuito CMOS Calculadoras

Capacitancia efectiva en CMOS

Vamos Capacitancia efectiva en CMOS = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^(Voltaje base del colector)))/(Puertas en el camino crítico*[BoltZ]*Voltaje base del colector)

Permitividad de la capa de óxido

Vamos Permitividad de la capa de óxido = Espesor de la capa de óxido*Capacitancia de la puerta de entrada/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)

Espesor de la capa de óxido

Vamos Espesor de la capa de óxido = Permitividad de la capa de óxido*Ancho de la puerta*Longitud de la puerta/Capacitancia de la puerta de entrada

Ancho de la puerta

Vamos Ancho de la puerta = Capacitancia de la puerta de entrada/(Capacitancia de la capa de óxido de puerta*Longitud de la puerta)

Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión

Vamos Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral = (2*Ancho de transición)+(2*Longitud de la fuente)

Ancho de transición de CMOS

Vamos Ancho de transición = Capacitancia de superposición de puerta MOS/Capacitancia de puerta MOS

Ancho de la región de agotamiento

Vamos Ancho de la región de agotamiento = Longitud de unión PN-Longitud efectiva del canal

Longitud efectiva del canal

Vamos Longitud efectiva del canal = Longitud de unión PN-Ancho de la región de agotamiento

Longitud de unión PN

Vamos Longitud de unión PN = Ancho de la región de agotamiento+Longitud efectiva del canal

Campo eléctrico crítico

Vamos Campo eléctrico crítico = (2*Saturación de velocidad)/Movilidad del electrón

Ancho de difusión de la fuente

Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente

Área de difusión de fuentes

Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición

CMOS significa ruta libre

Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico

Voltaje crítico CMOS

Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio

Voltaje en EDP Mínimo

Vamos Tensión al mínimo EDP = (3*Voltaje umbral)/(3-Factor de actividad)

Voltaje en EDP Mínimo Fórmula

Tensión al mínimo EDP = (3*Voltaje umbral)/(3-Factor de actividad)
V_edp = (3*V_t)/(3-α)

¿Cuál es la energía mínima bajo una restricción de retardo?

El consumo de energía del sistema está limitado por consideraciones de batería o enfriamiento y el diseñador busca lograr un retraso mínimo bajo una restricción de energía eléctrica.

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