Larghezza del cancello Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)
Wg = Cin/(Cox*Lg)
Questa formula utilizza 4 Variabili
Variabili utilizzate
Larghezza del cancello - (Misurato in metro) - La larghezza del gate si riferisce alla distanza tra il bordo di un elettrodo di gate metallico e il materiale semiconduttore adiacente in un CMOS.
Capacità del gate di ingresso - (Misurato in Farad) - La capacità del gate di ingresso nel CMOS si riferisce alla capacità tra i terminali di ingresso di un circuito CMOS e il potenziale di riferimento (solitamente terra).
Capacità dello strato di ossido di gate - (Misurato in Farad per metro quadrato) - La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
Lunghezza del cancello - (Misurato in metro) - La lunghezza del cancello è la misura o l'estensione di qualcosa da un'estremità all'altra.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Capacità del gate di ingresso: 60.01 Microfarad --> 6.001E-05 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità dello strato di ossido di gate: 30.01 Microfarad per millimetro quadrato --> 30.01 Farad per metro quadrato (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del cancello: 7 Millimetro --> 0.007 metro (Controlla la conversione qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Wg = Cin/(Cox*Lg) --> 6.001E-05/(30.01*0.007)
Valutare ... ...
Wg = 0.000285666682534393
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.000285666682534393 metro -->0.285666682534393 Millimetro (Controlla la conversione qui)
RISPOSTA FINALE
0.285666682534393 0.285667 Millimetro <-- Larghezza del cancello
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

15 Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Capacità effettiva in CMOS
Partire Capacità effettiva nel CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Permittività dello strato di ossido
Partire Permittività dello strato di ossido = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)
Spessore dello strato di ossido
Partire Spessore dello strato di ossido = Permittività dello strato di ossido*Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello/Capacità del gate di ingresso
Larghezza del cancello
Partire Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)
Perimetro laterale della diffusione della sorgente
Partire Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente = (2*Larghezza di transizione)+(2*Lunghezza della fonte)
Larghezza della regione di svuotamento
Partire Larghezza della regione di esaurimento = Lunghezza giunzione PN-Lunghezza effettiva del canale
Lunghezza effettiva del canale
Partire Lunghezza effettiva del canale = Lunghezza giunzione PN-Larghezza della regione di esaurimento
Lunghezza giunzione PN
Partire Lunghezza giunzione PN = Larghezza della regione di esaurimento+Lunghezza effettiva del canale
Larghezza di transizione del CMOS
Partire Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS
Larghezza della diffusione della sorgente
Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte
Area di diffusione della sorgente
Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione
Campo elettrico critico
Partire Campo elettrico critico = (2*Saturazione della velocità)/Mobilità dell'elettrone
CMOS percorso libero medio
Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico
Tensione critica CMOS
Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio
Tensione al minimo EDP
Partire Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)

Larghezza del cancello Formula

Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)
Wg = Cin/(Cox*Lg)

Quali sono le regioni di funzionamento nei transistor MOS?

I transistor MOS hanno tre regioni di funzionamento. Sono la regione di taglio o sottosoglia, la regione lineare e la regione di saturazione.

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