Calculatrice A à Z

Largeur de la porte Calculatrice

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✖La capacité de porte d'entrée dans CMOS fait référence à la capacité entre les bornes d'entrée d'un circuit CMOS et le potentiel de référence (généralement la masse).ⓘ Capacité de la porte d'entrée [Cin]
+10%
-10%
✖La capacité de la couche d'oxyde de grille est définie comme la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.ⓘ Capacité de la couche d'oxyde de grille [Cox]
+10%
-10%
✖La longueur de la porte est la mesure ou l'étendue de quelque chose d'un bout à l'autre.ⓘ Longueur de la porte [Lg]
+10%
-10%
✖La largeur de grille fait référence à la distance entre le bord d'une électrode de grille métallique et le matériau semi-conducteur adjacent dans un CMOS.ⓘ Largeur de la porte [Wg]
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Formule
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Largeur de la porte

Formule
`"W"_{"g"} = "C"_{"in"}/("C"_{"ox"}*"L"_{"g"}) `

Exemple
`"0.285667mm"="60.01μF"/("30.01μF/mm²"*"7mm") `

Calculatrice
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Largeur de la porte Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Largeur du portail = Capacité de la porte d'entrée/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Longueur de la porte)
Wg = Cin/(Cox*Lg)
Cette formule utilise 4 Variables
Variables utilisées
Largeur du portail - (Mesuré en Mètre) - La largeur de grille fait référence à la distance entre le bord d'une électrode de grille métallique et le matériau semi-conducteur adjacent dans un CMOS.
Capacité de la porte d'entrée - (Mesuré en Farad) - La capacité de porte d'entrée dans CMOS fait référence à la capacité entre les bornes d'entrée d'un circuit CMOS et le potentiel de référence (généralement la masse).
Capacité de la couche d'oxyde de grille - (Mesuré en Farad par mètre carré) - La capacité de la couche d'oxyde de grille est définie comme la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.
Longueur de la porte - (Mesuré en Mètre) - La longueur de la porte est la mesure ou l'étendue de quelque chose d'un bout à l'autre.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Capacité de la porte d'entrée: 60.01 microfarades --> 6.001E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Capacité de la couche d'oxyde de grille: 30.01 Microfarad par millimètre carré --> 30.01 Farad par mètre carré (Vérifiez la conversion ici)
Longueur de la porte: 7 Millimètre --> 0.007 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Wg = Cin/(Cox*Lg) --> 6.001E-05/(30.01*0.007)
Évaluer ... ...
Wg = 0.000285666682534393
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.000285666682534393 Mètre -->0.285666682534393 Millimètre (Vérifiez la conversion ici)
RÉPONSE FINALE
0.285666682534393 ≈ 0.285667 Millimètre <-- Largeur du portail
(Calcul effectué en 00.020 secondes)
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Crédits

Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

15 Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Capacité effective en CMOS
Aller Capacité effective en CMOS = Cycle de service*(Hors courant*(10^(Tension du collecteur de base)))/(Portes sur le chemin critique*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)
Permittivité de la couche d'oxyde
Aller Permittivité de la couche d'oxyde = Épaisseur de la couche d'oxyde*Capacité de la porte d'entrée/(Largeur du portail*Longueur de la porte)
Épaisseur de la couche d'oxyde
Aller Épaisseur de la couche d'oxyde = Permittivité de la couche d'oxyde*Largeur du portail*Longueur de la porte/Capacité de la porte d'entrée
Largeur de la porte
Aller Largeur du portail = Capacité de la porte d'entrée/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Longueur de la porte)
Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source
Aller Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source = (2*Largeur de transition)+(2*Longueur de la source)
Largeur de la région d'appauvrissement
Aller Largeur de la région d'épuisement = Longueur de jonction PN-Longueur effective du canal
Largeur de transition du CMOS
Aller Largeur de transition = Capacité de chevauchement de porte MOS/Capacité de la porte MOS
Longueur effective du canal
Aller Longueur effective du canal = Longueur de jonction PN-Largeur de la région d'épuisement
Longueur de jonction PN
Aller Longueur de jonction PN = Largeur de la région d'épuisement+Longueur effective du canal
Champ électrique critique
Aller Champ électrique critique = (2*Saturation de la vitesse)/Mobilité de l'électron
Largeur de diffusion de la source
Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source
CMOS Moyenne Parcours Libre
Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique
Zone de diffusion de la source
Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition
Tension critique CMOS
Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen
Tension au minimum EDP
Aller Tension à l'EDP minimum = (3*Tension de seuil)/(3-Facteur d'activité)

Largeur de la porte Formule

Largeur du portail = Capacité de la porte d'entrée/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Longueur de la porte)
Wg = Cin/(Cox*Lg)

Quelles sont les régions de fonctionnement des transistors MOS ?

Les transistors MOS ont trois régions de fonctionnement. Ce sont la région de coupure ou sous-seuil, la région linéaire et la région de saturation.

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