Breedte van poort: Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van CMOS-circuits

Array Datapath-subsysteem

CMOS-omvormers

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖Ingangspoortcapaciteit in CMOS verwijst naar de capaciteit tussen de ingangsklemmen van een CMOS-circuit en het referentiepotentiaal (meestal aarde).ⓘ Ingangspoortcapaciteit [C_in]			+10% -10%
✖De capaciteit van de poortoxidelaag wordt gedefinieerd als de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.ⓘ Capaciteit van Gate Oxide Layer [C_ox]			+10% -10%
✖Lengte van de poort is de maat of omvang van iets van begin tot eind.ⓘ Lengte van de poort [L_g]			+10% -10%

✖Poortbreedte verwijst naar de afstand tussen de rand van een metalen poortelektrode en het aangrenzende halfgeleidermateriaal in een CMOS.ⓘ Breedte van poort: [W_g]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Breedte van poort:

Formule

`"W"_{"g"} = "C"_{"in"}/("C"_{"ox"}*"L"_{"g"})`

Voorbeeld

`"0.285667mm"="60.01μF"/("30.01μF/mm²"*"7mm")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van CMOS-circuits Formules Pdf PDF Image

Breedte van poort: Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Poortbreedte = Ingangspoortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Lengte van de poort)
W_g = C_in/(C_ox*L_g)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Poortbreedte - (Gemeten in Meter) - Poortbreedte verwijst naar de afstand tussen de rand van een metalen poortelektrode en het aangrenzende halfgeleidermateriaal in een CMOS.
Ingangspoortcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Ingangspoortcapaciteit in CMOS verwijst naar de capaciteit tussen de ingangsklemmen van een CMOS-circuit en het referentiepotentiaal (meestal aarde).
Capaciteit van Gate Oxide Layer - (Gemeten in Farad per vierkante meter) - De capaciteit van de poortoxidelaag wordt gedefinieerd als de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.
Lengte van de poort - (Gemeten in Meter) - Lengte van de poort is de maat of omvang van iets van begin tot eind.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Ingangspoortcapaciteit: 60.01 Microfarad --> 6.001E-05 Farad (Bekijk de conversie hier)
Capaciteit van Gate Oxide Layer: 30.01 Microfarad per vierkante millimeter --> 30.01 Farad per vierkante meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van de poort: 7 Millimeter --> 0.007 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

W_g = C_in/(C_ox*L_g) --> 6.001E-05/(30.01*0.007)

Evalueren ... ...

W_g = 0.000285666682534393

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.000285666682534393 Meter -->0.285666682534393 Millimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.285666682534393 ≈ 0.285667 Millimeter <-- Poortbreedte

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » Kenmerken van CMOS-circuits » Breedte van poort:

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 15 Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

Effectieve capaciteit in CMOS

Gaan Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)

Permittiviteit van oxidelaag

Gaan Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)

Dikte van de oxidelaag

Gaan Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit

Breedte van poort:

Gaan Poortbreedte = Ingangspoortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Lengte van de poort)

Kritisch elektrisch veld

Gaan Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen

Zijwand Omtrek van bronverspreiding

Gaan Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)

Breedte uitputtingsgebied

Gaan Breedte uitputtingsregio = PN-verbindingslengte-Effectieve kanaallengte