Szerokość bramy Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Charakterystyka obwodu CMOS

Charakterystyka czasu CMOS

Charakterystyka opóźnienia CMOS

Charakterystyka projektu CMOS

Falowniki CMOS

Podsystem ścieżki danych tablicowych

Podsystem specjalnego przeznaczenia CMOS

Wskaźniki mocy CMOS

✖Pojemność bramki wejściowej w CMOS odnosi się do pojemności pomiędzy zaciskami wejściowymi obwodu CMOS a potencjałem odniesienia (zwykle masą).ⓘ Pojemność bramki wejściowej [C_in]			+10% -10%
✖Pojemność warstwy tlenku bramki definiuje się jako pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.ⓘ Pojemność warstwy tlenku bramki [C_ox]			+10% -10%
✖Długość bramy to pomiar lub zasięg czegoś od końca do końca.ⓘ Długość bramy [L_g]			+10% -10%

✖Szerokość bramki odnosi się do odległości pomiędzy krawędzią metalowej elektrody bramki a sąsiadującym materiałem półprzewodnikowym w CMOS.ⓘ Szerokość bramy [W_g]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Szerokość bramy

Formuła

`"W"_{"g"} = "C"_{"in"}/("C"_{"ox"}*"L"_{"g"})`

Przykład

`"0.285667mm"="60.01μF"/("30.01μF/mm²"*"7mm")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka obwodu CMOS Formuły PDF PDF Image

Szerokość bramy Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Szerokość bramy = Pojemność bramki wejściowej/(Pojemność warstwy tlenku bramki*Długość bramy)
W_g = C_in/(C_ox*L_g)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Szerokość bramy - (Mierzone w Metr) - Szerokość bramki odnosi się do odległości pomiędzy krawędzią metalowej elektrody bramki a sąsiadującym materiałem półprzewodnikowym w CMOS.
Pojemność bramki wejściowej - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki wejściowej w CMOS odnosi się do pojemności pomiędzy zaciskami wejściowymi obwodu CMOS a potencjałem odniesienia (zwykle masą).
Pojemność warstwy tlenku bramki - (Mierzone w Farad na metr kwadratowy) - Pojemność warstwy tlenku bramki definiuje się jako pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.
Długość bramy - (Mierzone w Metr) - Długość bramy to pomiar lub zasięg czegoś od końca do końca.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Pojemność bramki wejściowej: 60.01 Mikrofarad --> 6.001E-05 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność warstwy tlenku bramki: 30.01 Mikrofarad na milimetr kwadratowy --> 30.01 Farad na metr kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)
Długość bramy: 7 Milimetr --> 0.007 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

W_g = C_in/(C_ox*L_g) --> 6.001E-05/(30.01*0.007)

Ocenianie ... ...

W_g = 0.000285666682534393

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.000285666682534393 Metr -->0.285666682534393 Milimetr (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.285666682534393 ≈ 0.285667 Milimetr <-- Szerokość bramy

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Charakterystyka obwodu CMOS » Szerokość bramy

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 15 Charakterystyka obwodu CMOS Kalkulatory

Efektywna pojemność w CMOS

Iść Efektywna pojemność w CMOS = Cykl pracy*(Wyłączony prąd*(10^(Podstawowe napięcie kolektora)))/(Bramy na ścieżce krytycznej*[BoltZ]*Podstawowe napięcie kolektora)

Przenikalność warstwy tlenkowej

Iść Przenikalność warstwy tlenkowej = Grubość warstwy tlenku*Pojemność bramki wejściowej/(Szerokość bramy*Długość bramy)

Grubość warstwy tlenku

Iść Grubość warstwy tlenku = Przenikalność warstwy tlenkowej*Szerokość bramy*Długość bramy/Pojemność bramki wejściowej

Szerokość bramy

Iść Szerokość bramy = Pojemność bramki wejściowej/(Pojemność warstwy tlenku bramki*Długość bramy)

Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji

Iść Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji = (2*Szerokość przejścia)+(2*Długość źródła)

Średnia wolna ścieżka CMOS

Iść Średnia darmowa ścieżka = Krytyczne napięcie w CMOS/Krytyczne pole elektryczne

Szerokość przejścia CMOS

Iść Szerokość przejścia = Pojemność nakładania się bramki MOS/Pojemność bramki MOS

Krytyczne napięcie CMOS

Iść Krytyczne napięcie w CMOS = Krytyczne pole elektryczne*Średnia darmowa ścieżka

Szerokość regionu wyczerpania

Iść Szerokość obszaru wyczerpania = Długość złącza PN-Efektywna długość kanału

Efektywna długość kanału

Iść Efektywna długość kanału = Długość złącza PN-Szerokość obszaru wyczerpania

Długość złącza PN

Iść Długość złącza PN = Szerokość obszaru wyczerpania+Efektywna długość kanału

Krytyczne pole elektryczne

Iść Krytyczne pole elektryczne = (2*Nasycenie prędkością)/Mobilność elektronu

Napięcie przy minimalnym EDP

Iść Napięcie przy minimalnym EDP = (3*Próg napięcia)/(3-Czynnik aktywności)

Szerokość dyfuzji źródła

Iść Szerokość przejścia = Obszar dyfuzji źródła/Długość źródła

Obszar dyfuzji źródła

Iść Obszar dyfuzji źródła = Długość źródła*Szerokość przejścia

Szerokość bramy Formułę

Szerokość bramy = Pojemność bramki wejściowej/(Pojemność warstwy tlenku bramki*Długość bramy)
W_g = C_in/(C_ox*L_g)

Jakie są obszary działania tranzystorów MOS?

Tranzystory MOS mają trzy obszary działania. Są to region odcięcia lub podprogowy, region liniowy i region nasycenia.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!