Transconductance वर शरीर प्रभाव कॅल्क्युलेटर

✖थ्रेशोल्ड मधील बेस व्होल्टेजमध्ये बदल हे बेस व्होल्टेजच्या संदर्भात थ्रेशोल्ड व्होल्टेज बदलते त्या दराची व्याख्या करते.ⓘ थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल [Χ]			+10% -10%
✖गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.ⓘ Transconductance [g_m]			+10% -10%

✖बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स हे इनपुट व्होल्टेजमधील बदलाच्या प्रतिसादात डिव्हाइसचे आउटपुट प्रवाह किती बदलते या मोजमापाचा संदर्भ देते. .ⓘ Transconductance वर शरीर प्रभाव [g_mb]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

Transconductance वर शरीर प्रभाव

सुत्र

`"g"_{"mb"} = "Χ"*"g"_{"m"}`

उदाहरण

`"0.1mS"="0.2"*"0.5mS"`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

Transconductance वर शरीर प्रभाव उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance
g_mb = Χ*g_m
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स हे इनपुट व्होल्टेजमधील बदलाच्या प्रतिसादात डिव्हाइसचे आउटपुट प्रवाह किती बदलते या मोजमापाचा संदर्भ देते. .
थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल - थ्रेशोल्ड मधील बेस व्होल्टेजमध्ये बदल हे बेस व्होल्टेजच्या संदर्भात थ्रेशोल्ड व्होल्टेज बदलते त्या दराची व्याख्या करते.
Transconductance - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल: 0.2 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
Transconductance: 0.5 मिलिसीमेन्स --> 0.0005 सीमेन्स (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

g_mb = Χ*g_m --> 0.2*0.0005

मूल्यांकन करत आहे ... ...

g_mb = 0.0001

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.0001 सीमेन्स -->0.1 मिलिसीमेन्स (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

0.1 मिलिसीमेन्स <-- बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » Transconductance » Transconductance वर शरीर प्रभाव

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 16 Transconductance कॅल्क्युलेटर

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर वापरून

जा प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance/(प्रसर गुणोत्तर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))

Transconductance दिलेला प्रक्रिया Transconductance पॅरामीटर

जा Transconductance = प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

ड्रेन करंट दिलेला ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = sqrt(2*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*ड्रेन करंट)

प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर आणि ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स

जा प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance/(प्रसर गुणोत्तर*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज)

प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर आणि ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

निचरा वर्तमान दिलेली प्रक्रिया transconductance आणि transconductance

जा ड्रेन करंट = Transconductance^2/(2*प्रसर गुणोत्तर*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर)

ट्रान्सकंडक्टन्स आणि ड्रेन करंट दिलेली प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स

जा प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance^2/(2*प्रसर गुणोत्तर*ड्रेन करंट)

MOSFET Transconductance दिलेले Transconductance पॅरामीटर

जा Transconductance = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स वापरून

जा ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर

Transconductance वर शरीर प्रभाव

जा बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेला MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

MOSFET चे प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर

जा ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

बॅक गेट ट्रान्सकंडक्टन्स

जा बॅक गेट ट्रान्सकंडक्टन्स = Transconductance*व्होल्टेज कार्यक्षमता

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = ड्रेन करंट मध्ये बदल/गेट-स्रोत व्होल्टेज

Transconductance वापरून प्रवाह काढून टाका

जा ड्रेन करंट = (ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज)*Transconductance/2

MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

< 16 MOSFET वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण

जा चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

जा MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स = sqrt(2*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(ट्रान्झिस्टरची रुंदी/ट्रान्झिस्टरची लांबी)*ड्रेन करंट)

MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे

जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता

जा संक्रमण वारंवारता = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स))

बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ

जा कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)

लहान सिग्नल वापरून व्होल्टेज वाढवणे

जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*1/(1/लोड प्रतिकार+1/मर्यादित प्रतिकार)

MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट

जा चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)

ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन

जा व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज

MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज

जा ड्रेन आणि स्त्रोत संपृक्तता व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज

Transconductance वर शरीर प्रभाव

जा बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance

MOSFET चे बायस व्होल्टेज

जा एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज = डीसी बायस व्होल्टेज+डीसी व्होल्टेज

सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ

जा कमाल व्होल्टेज वाढ = (पुरवठा व्होल्टेज-0.3)/थर्मल व्होल्टेज

MOSFET चे ट्रेशोल्ड व्होल्टेज

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज

MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलमध्ये प्रवर्धन घटक

जा प्रवर्धन घटक = Transconductance*आउटपुट प्रतिकार

MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण

जा चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार

Transconductance वर शरीर प्रभाव सुत्र

बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance
g_mb = Χ*g_m

व्होल्टेज वाढ म्हणजे काय?

डेसिबलमधील आउटपुट सिग्नल व्होल्टेज पातळी आणि डेसिबलमधील इनपुट सिग्नल व्होल्टेज पातळी दरम्यान फरक; हे मूल्य इनपुट व्होल्टेजच्या आऊटपुट व्होल्टेजच्या गुणोत्तरांच्या सामान्य पटॅरिथ्मपेक्षा 20 पट आहे.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!