CMOS म्हणजे फ्री पाथ उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
मीन फ्री पाथ = CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज/गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड
L = Vc/Ec
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
मीन फ्री पाथ - (मध्ये मोजली मीटर) - मीन फ्री पाथची व्याख्या एकामागून एक हलणार्‍या कणाने केलेले सरासरी अंतर असे केले जाते, ज्यामुळे त्याची दिशा किंवा ऊर्जा किंवा इतर कण गुणधर्म बदलतात.
CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - CMOS मधील क्रिटिकल व्होल्टेज हा न्यूट्रल व्होल्टेजचा किमान टप्पा आहे जो लाईन कंडक्टरच्या बाजूने चमकतो आणि दिसतो.
गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड - (मध्ये मोजली व्होल्ट प्रति मीटर) - क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्डची व्याख्या प्रति युनिट चार्ज इलेक्ट्रिक फोर्स म्हणून केली जाते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज: 2.79 व्होल्ट --> 2.79 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड: 0.004 व्होल्ट प्रति मिलीमीटर --> 4 व्होल्ट प्रति मीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
L = Vc/Ec --> 2.79/4
मूल्यांकन करत आहे ... ...
L = 0.6975
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.6975 मीटर -->697.5 मिलिमीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
697.5 मिलिमीटर <-- मीन फ्री पाथ
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित शोभित दिमरी
बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान (बीटीकेआयटी), द्वाराहाट
शोभित दिमरी यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 900+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

15 CMOS सर्किट वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

सीएमओएसमध्ये प्रभावी कॅपेसिटन्स
​ जा CMOS मध्ये प्रभावी क्षमता = कार्यकालचक्र*(चालू बंद*(10^(बेस कलेक्टर व्होल्टेज)))/(गेट्स ऑन क्रिटिकल पाथ*[BoltZ]*बेस कलेक्टर व्होल्टेज)
ऑक्साइड लेयरची परवानगी
​ जा ऑक्साइड लेयरची परवानगी = ऑक्साईड थर जाडी*इनपुट गेट कॅपेसिटन्स/(गेट रुंदी*गेटची लांबी)
ऑक्साईड थर जाडी
​ जा ऑक्साईड थर जाडी = ऑक्साइड लेयरची परवानगी*गेट रुंदी*गेटची लांबी/इनपुट गेट कॅपेसिटन्स
गेटची रुंदी
​ जा गेट रुंदी = इनपुट गेट कॅपेसिटन्स/(गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता*गेटची लांबी)
स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती
​ जा स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती = (2*संक्रमण रुंदी)+(2*स्त्रोताची लांबी)
किमान EDP वर व्होल्टेज
​ जा किमान EDP वर व्होल्टेज = (3*थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)/(3-क्रियाकलाप घटक)
CMOS ची संक्रमण रुंदी
​ जा संक्रमण रुंदी = एमओएस गेट ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/एमओएस गेट कॅपेसिटन्स
CMOS क्रिटिकल व्होल्टेज
​ जा CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज = गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड*मीन फ्री पाथ
गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड
​ जा गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड = (2*वेग संपृक्तता)/इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता
CMOS म्हणजे फ्री पाथ
​ जा मीन फ्री पाथ = CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज/गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड
क्षीणता प्रदेश रुंदी
​ जा क्षीणता प्रदेश रुंदी = पीएन जंक्शन लांबी-प्रभावी चॅनेलची लांबी
प्रभावी चॅनेल लांबी
​ जा प्रभावी चॅनेलची लांबी = पीएन जंक्शन लांबी-क्षीणता प्रदेश रुंदी
पीएन जंक्शन लांबी
​ जा पीएन जंक्शन लांबी = क्षीणता प्रदेश रुंदी+प्रभावी चॅनेलची लांबी
स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र
​ जा स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र = स्त्रोताची लांबी*संक्रमण रुंदी
स्त्रोत प्रसाराची रुंदी
​ जा संक्रमण रुंदी = स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र/स्त्रोताची लांबी

CMOS म्हणजे फ्री पाथ सुत्र

मीन फ्री पाथ = CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज/गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड
L = Vc/Ec

रिव्हर्स सॅचुरेशन करंट आणि बॅरियर व्होल्टेजवर तापमानाचा काय परिणाम होतो?

पातळ फिल्म ट्रान्झिस्टरमधील रिव्हर्स सॅचुरेशन करंट आणि बॅरियर व्होल्टेजवर तापमानाचा महत्त्वपूर्ण प्रभाव पडतो. तापमानात होणारी वाढ सामान्यत: रिव्हर्स सॅचुरेशन करंटमध्ये वाढ आणि बॅरियर व्होल्टेज कमी होण्यात परिणाम होतो. याचे कारण असे आहे की उच्च तापमानामुळे गॅस गतिज ऊर्जा वाढते, ज्यामुळे ट्रान्झिस्टरच्या कमी होण्याच्या प्रदेशात चार्ज वाहकांना इंजेक्शन देणे सुलभ होते.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!