स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र = स्त्रोताची लांबी*संक्रमण रुंदी
As = Ds*W
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र - (मध्ये मोजली चौरस मीटर) - स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र म्हणजे जास्त एकाग्रतेच्या प्रदेशापासून स्त्रोत गेटमधील कमी एकाग्रतेच्या क्षेत्रापर्यंत कोणत्याही गोष्टीची शुद्ध हालचाल म्हणून परिभाषित केले जाते.
स्त्रोताची लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - स्त्रोताची लांबी MOSFET च्या स्त्रोत जंक्शनवर पाहिलेली एकूण लांबी म्हणून परिभाषित केली जाते.
संक्रमण रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - जेव्हा ड्रेन-टू-सोर्स व्होल्टेज वाढते तेव्हा ट्रायोड क्षेत्र संपृक्ततेच्या प्रदेशात संक्रमण होते तेव्हा रुंदीमध्ये वाढ म्हणून संक्रमण रुंदीची व्याख्या केली जाते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
स्त्रोताची लांबी: 61 मिलिमीटर --> 0.061 मीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
संक्रमण रुंदी: 89.82 मिलिमीटर --> 0.08982 मीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
As = Ds*W --> 0.061*0.08982
मूल्यांकन करत आहे ... ...
As = 0.00547902
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.00547902 चौरस मीटर -->5479.02 चौरस मिलिमीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
5479.02 चौरस मिलिमीटर <-- स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित शोभित दिमरी
बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान (बीटीकेआयटी), द्वाराहाट
शोभित दिमरी यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 900+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

15 CMOS सर्किट वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

सीएमओएसमध्ये प्रभावी कॅपेसिटन्स
​ जा CMOS मध्ये प्रभावी क्षमता = कार्यकालचक्र*(चालू बंद*(10^(बेस कलेक्टर व्होल्टेज)))/(गेट्स ऑन क्रिटिकल पाथ*[BoltZ]*बेस कलेक्टर व्होल्टेज)
ऑक्साइड लेयरची परवानगी
​ जा ऑक्साइड लेयरची परवानगी = ऑक्साईड थर जाडी*इनपुट गेट कॅपेसिटन्स/(गेट रुंदी*गेटची लांबी)
ऑक्साईड थर जाडी
​ जा ऑक्साईड थर जाडी = ऑक्साइड लेयरची परवानगी*गेट रुंदी*गेटची लांबी/इनपुट गेट कॅपेसिटन्स
गेटची रुंदी
​ जा गेट रुंदी = इनपुट गेट कॅपेसिटन्स/(गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता*गेटची लांबी)
स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती
​ जा स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती = (2*संक्रमण रुंदी)+(2*स्त्रोताची लांबी)
किमान EDP वर व्होल्टेज
​ जा किमान EDP वर व्होल्टेज = (3*थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)/(3-क्रियाकलाप घटक)
CMOS ची संक्रमण रुंदी
​ जा संक्रमण रुंदी = एमओएस गेट ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/एमओएस गेट कॅपेसिटन्स
CMOS क्रिटिकल व्होल्टेज
​ जा CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज = गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड*मीन फ्री पाथ
गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड
​ जा गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड = (2*वेग संपृक्तता)/इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता
CMOS म्हणजे फ्री पाथ
​ जा मीन फ्री पाथ = CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज/गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड
क्षीणता प्रदेश रुंदी
​ जा क्षीणता प्रदेश रुंदी = पीएन जंक्शन लांबी-प्रभावी चॅनेलची लांबी
प्रभावी चॅनेल लांबी
​ जा प्रभावी चॅनेलची लांबी = पीएन जंक्शन लांबी-क्षीणता प्रदेश रुंदी
पीएन जंक्शन लांबी
​ जा पीएन जंक्शन लांबी = क्षीणता प्रदेश रुंदी+प्रभावी चॅनेलची लांबी
स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र
​ जा स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र = स्त्रोताची लांबी*संक्रमण रुंदी
स्त्रोत प्रसाराची रुंदी
​ जा संक्रमण रुंदी = स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र/स्त्रोताची लांबी

स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र सुत्र

स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र = स्त्रोताची लांबी*संक्रमण रुंदी
As = Ds*W

CMOS मध्ये डोपिंगच्या प्रक्रियेबद्दल तुम्ही काय म्हणू शकता?

CMOS मधील डोपिंग ही अर्धसंवाहक सामग्रीमध्ये विद्युत गुणधर्म सुधारण्यासाठी अशुद्धता आणण्याची प्रक्रिया आहे. ही प्रक्रिया प्रतिकारशक्ती कमी करून, गतिशीलता वाढवून आणि भिन्न घटकांमधील अलगाव सुधारून CMOS उपकरणांची कार्यक्षमता वाढवू शकते. रोपण आणि प्रसार यासह विविध तंत्रांचा वापर करून डोपिंग केले जाऊ शकते.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!