MOSFETs च्या चॅनेलचे संचालन उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी)*ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज
G = μs*Cox*(Wc/L)*Vox
हे सूत्र 6 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
चॅनेलचे संचालन - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - वाहिनीचे प्रवाहकत्व हे सामान्यत: चॅनेलमधून जाणारे विद्युत् प्रवाह आणि त्यावरील व्होल्टेजचे गुणोत्तर म्हणून परिभाषित केले जाते.
चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता म्हणजे ट्रान्झिस्टरमधील सिलिकॉन चॅनेलसारख्या अर्धसंवाहक सामग्रीच्या पृष्ठभागावर हलविण्याची किंवा प्रवास करण्याची इलेक्ट्रॉनची क्षमता.
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो एमओएस उपकरणांच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करतो, जसे की एकात्मिक सर्किट्सचा वेग आणि वीज वापर.
चॅनेल रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - चॅनेलची रुंदी वायरलेस कम्युनिकेशन चॅनेलवर डेटा प्रसारित करण्यासाठी वापरल्या जाणार्‍या फ्रिक्वेन्सीच्या श्रेणीचा संदर्भ देते. हे बँडविड्थ म्हणून देखील ओळखले जाते आणि हर्ट्झ (Hz) मध्ये मोजले जाते.
चॅनेलची लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - चॅनेलची लांबी फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) मध्ये स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील अंतर दर्शवते.
ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ऑक्साईड-सेमीकंडक्टर इंटरफेसवरील चार्जमुळे ऑक्साईडमध्ये व्होल्टेज आणि तिसरे टर्म ऑक्साईडमधील चार्ज घनतेमुळे होते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता: 38 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद --> 38 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स: 940 मायक्रोफरॅड --> 0.00094 फॅरड (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चॅनेल रुंदी: 10 मायक्रोमीटर --> 1E-05 मीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चॅनेलची लांबी: 100 मायक्रोमीटर --> 0.0001 मीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज: 5.4 व्होल्ट --> 5.4 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
G = μs*Cox*(Wc/L)*Vox --> 38*0.00094*(1E-05/0.0001)*5.4
मूल्यांकन करत आहे ... ...
G = 0.0192888
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.0192888 सीमेन्स -->19.2888 मिलिसीमेन्स (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
19.2888 मिलिसीमेन्स <-- चॅनेलचे संचालन
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

15 अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल कॅल्क्युलेटर

MOSFETs च्या चॅनेलचे संचालन
​ जा चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी)*ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज
MOSFET च्या चॅनेलमध्ये इलेक्ट्रॉन चार्जचे परिमाण
​ जा चॅनेलमध्ये इलेक्ट्रॉन चार्ज = ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी*चॅनेलची लांबी*प्रभावी व्होल्टेज
MOSFET ची संक्रमण वारंवारता
​ जा संक्रमण वारंवारता = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स))
आउटपुट आरसी सर्किटमध्ये फेज शिफ्ट
​ जा फेज शिफ्ट = arctan(कॅपेसिटिव्ह रिएक्टन्स/(प्रतिकार+लोड प्रतिकार))
मॉस्फेटची कमी गंभीर वारंवारता
​ जा कोपरा वारंवारता = 1/(2*pi*(प्रतिकार+इनपुट प्रतिकार)*क्षमता)
आउटपुट मिलर कॅपेसिटन्स Mosfet
​ जा आउटपुट मिलर कॅपेसिटन्स = गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स*((व्होल्टेज वाढणे+1)/व्होल्टेज वाढणे)
MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट
​ जा चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)
MOSFETs च्या गेट आणि चॅनेल दरम्यान एकूण क्षमता
​ जा गेट चॅनेल कॅपेसिटन्स = ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी*चॅनेलची लांबी
MOSFET चे ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स
​ जा ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स = चॅनेल रुंदी*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी
उच्च वारंवारता इनपुट आरसी सर्किटमध्ये गंभीर वारंवारता
​ जा कोपरा वारंवारता = 1/(2*pi*इनपुट प्रतिकार*मिलर कॅपेसिटन्स)
इनपुट आरसी सर्किटमध्ये फेज शिफ्ट
​ जा फेज शिफ्ट = arctan(कॅपेसिटिव्ह रिएक्टन्स/इनपुट प्रतिकार)
मॉस्फेटची कॅपेसिटिव्ह रिएक्टन्स
​ जा कॅपेसिटिव्ह रिएक्टन्स = 1/(2*pi*वारंवारता*क्षमता)
Mosfet च्या मिलर क्षमता
​ जा मिलर कॅपेसिटन्स = गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स*(व्होल्टेज वाढणे+1)
मोस्फेटची गंभीर वारंवारता
​ जा डेसिबलमध्ये गंभीर वारंवारता = 10*log10(गंभीर वारंवारता)
आरसी सर्किटचे क्षीणीकरण
​ जा क्षीणता = बेस व्होल्टेज/इनपुट व्होल्टेज

MOSFETs च्या चॅनेलचे संचालन सुत्र

चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी)*ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज
G = μs*Cox*(Wc/L)*Vox

MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्सचे सूत्र काय आहे?

पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स डिझाइनमधील MOSFET कार्यप्रदर्शन प्रमाणित करण्यासाठी ट्रान्सकंडक्टन्स ही एक महत्त्वाची चाचणी आहे. हे सुनिश्चित करते की MOSFET योग्यरितीने कार्य करत आहे आणि अभियंत्यांना त्यांच्या सर्किट डिझाइनसाठी व्होल्टेज वाढणे ही मुख्य वैशिष्ट्ये असताना सर्वोत्तम निवडण्यात मदत करते.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!