MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट कॅल्क्युलेटर

✖ओव्हरलॅप कॅपॅसिटन्स हे कॅपेसिटन्सचा संदर्भ देते जे एकमेकांच्या जवळ असलेल्या दोन प्रवाहकीय क्षेत्रांमध्ये उद्भवते, परंतु थेट कनेक्ट केलेले नाही.ⓘ ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स [C_oc]			+10% -10%
✖ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो एमओएस उपकरणांच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करतो, जसे की एकात्मिक सर्किट्सचा वेग आणि वीज वापर.ⓘ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स [C_ox]			+10% -10%
✖ओव्हरलॅप लांबी हे सरासरी अंतर आहे जे जास्तीचे वाहक पुन्हा एकत्र येण्यापूर्वी कव्हर करू शकतात.ⓘ ओव्हरलॅप लांबी [L_ov]			+10% -10%

✖चॅनेलची रुंदी वायरलेस कम्युनिकेशन चॅनेलवर डेटा प्रसारित करण्यासाठी वापरल्या जाणार्‍या फ्रिक्वेन्सीच्या श्रेणीचा संदर्भ देते. हे बँडविड्थ म्हणून देखील ओळखले जाते आणि हर्ट्झ (Hz) मध्ये मोजले जाते.ⓘ MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट [W_c]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट

सुत्र

`"W"_{"c"} = "C"_{"oc"}/("C"_{"ox"}*"L"_{"ov"})`

उदाहरण

`"9.957028μm"="3.8e-7μF"/("940μF"*"40.6μm")`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)
हे सूत्र 4 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

चॅनेल रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - चॅनेलची रुंदी वायरलेस कम्युनिकेशन चॅनेलवर डेटा प्रसारित करण्यासाठी वापरल्या जाणार्‍या फ्रिक्वेन्सीच्या श्रेणीचा संदर्भ देते. हे बँडविड्थ म्हणून देखील ओळखले जाते आणि हर्ट्झ (Hz) मध्ये मोजले जाते.
ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - ओव्हरलॅप कॅपॅसिटन्स हे कॅपेसिटन्सचा संदर्भ देते जे एकमेकांच्या जवळ असलेल्या दोन प्रवाहकीय क्षेत्रांमध्ये उद्भवते, परंतु थेट कनेक्ट केलेले नाही.
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो एमओएस उपकरणांच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करतो, जसे की एकात्मिक सर्किट्सचा वेग आणि वीज वापर.
ओव्हरलॅप लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - ओव्हरलॅप लांबी हे सरासरी अंतर आहे जे जास्तीचे वाहक पुन्हा एकत्र येण्यापूर्वी कव्हर करू शकतात.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स: 3.8E-07 मायक्रोफरॅड --> 3.8E-13 फॅरड (रूपांतरण तपासा येथे)
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स: 940 मायक्रोफरॅड --> 0.00094 फॅरड (रूपांतरण तपासा येथे)
ओव्हरलॅप लांबी: 40.6 मायक्रोमीटर --> 4.06E-05 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

W_c = C_oc/(C_ox*L_ov) --> 3.8E-13/(0.00094*4.06E-05)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

W_c = 9.95702756524473E-06

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

9.95702756524473E-06 मीटर -->9.95702756524473 मायक्रोमीटर (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

9.95702756524473 ≈ 9.957028 मायक्रोमीटर <-- चॅनेल रुंदी

(गणना 00.020 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल » MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित अंशिका आर्य

राष्ट्रीय तंत्रज्ञान संस्था (एनआयटी), हमीरपूर

अंशिका आर्य यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 2500+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 15 अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल कॅल्क्युलेटर

MOSFETs च्या चॅनेलचे संचालन

जा चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी)*ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज

MOSFET च्या चॅनेलमध्ये इलेक्ट्रॉन चार्जचे परिमाण

जा चॅनेलमध्ये इलेक्ट्रॉन चार्ज = ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी*चॅनेलची लांबी*प्रभावी व्होल्टेज

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता

जा संक्रमण वारंवारता = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स))

आउटपुट आरसी सर्किटमध्ये फेज शिफ्ट

जा फेज शिफ्ट = arctan(कॅपेसिटिव्ह रिएक्टन्स/(प्रतिकार+लोड प्रतिकार))

मॉस्फेटची कमी गंभीर वारंवारता

जा कोपरा वारंवारता = 1/(2*pi*(प्रतिकार+इनपुट प्रतिकार)*क्षमता)

आउटपुट मिलर कॅपेसिटन्स Mosfet

जा आउटपुट मिलर कॅपेसिटन्स = गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स*((व्होल्टेज वाढणे+1)/व्होल्टेज वाढणे)

MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट

जा चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)

MOSFETs च्या गेट आणि चॅनेल दरम्यान एकूण क्षमता

जा गेट चॅनेल कॅपेसिटन्स = ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी*चॅनेलची लांबी

MOSFET चे ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स

जा ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स = चॅनेल रुंदी*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी

उच्च वारंवारता इनपुट आरसी सर्किटमध्ये गंभीर वारंवारता

जा कोपरा वारंवारता = 1/(2*pi*इनपुट प्रतिकार*मिलर कॅपेसिटन्स)

इनपुट आरसी सर्किटमध्ये फेज शिफ्ट

जा फेज शिफ्ट = arctan(कॅपेसिटिव्ह रिएक्टन्स/इनपुट प्रतिकार)

मॉस्फेटची कॅपेसिटिव्ह रिएक्टन्स

जा कॅपेसिटिव्ह रिएक्टन्स = 1/(2*pi*वारंवारता*क्षमता)

Mosfet च्या मिलर क्षमता

जा मिलर कॅपेसिटन्स = गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स*(व्होल्टेज वाढणे+1)

मोस्फेटची गंभीर वारंवारता

जा डेसिबलमध्ये गंभीर वारंवारता = 10*log10(गंभीर वारंवारता)

आरसी सर्किटचे क्षीणीकरण

जा क्षीणता = बेस व्होल्टेज/इनपुट व्होल्टेज

< 16 MOSFET वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण

जा चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

जा MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स = sqrt(2*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(ट्रान्झिस्टरची रुंदी/ट्रान्झिस्टरची लांबी)*ड्रेन करंट)

MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे

जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता

बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ

जा कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)

लहान सिग्नल वापरून व्होल्टेज वाढवणे

जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*1/(1/लोड प्रतिकार+1/मर्यादित प्रतिकार)

MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट

जा चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)

ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन

जा व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज

MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज

जा ड्रेन आणि स्त्रोत संपृक्तता व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज

Transconductance वर शरीर प्रभाव

जा बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance

MOSFET चे बायस व्होल्टेज

जा एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज = डीसी बायस व्होल्टेज+डीसी व्होल्टेज

सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ

जा कमाल व्होल्टेज वाढ = (पुरवठा व्होल्टेज-0.3)/थर्मल व्होल्टेज

MOSFET चे ट्रेशोल्ड व्होल्टेज

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज

MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलमध्ये प्रवर्धन घटक

जा प्रवर्धन घटक = Transconductance*आउटपुट प्रतिकार

MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण

जा चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार

MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट सुत्र

चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)

मॉस्फेट म्हणजे काय आणि ते कसे कार्य करते?

सर्वसाधारणपणे, एमओएसएफईटी स्विच म्हणून कार्य करते, एमओएसएफईटी स्त्रोत आणि निचरा दरम्यान व्होल्टेज आणि वर्तमान प्रवाह नियंत्रित करते. एमओएसएफईटीचे कार्य एमओएस कॅपेसिटरवर अवलंबून असते, जे स्त्रोत आणि निचरा टर्मिनल दरम्यान ऑक्साइड थरांच्या खाली अर्धवाहक पृष्ठभाग आहे.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!