गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड = (2*वेग संपृक्तता)/इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता
Ec = (2*Vsat)/µe
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड - (मध्ये मोजली व्होल्ट प्रति मीटर) - क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्डची व्याख्या प्रति युनिट चार्ज इलेक्ट्रिक फोर्स म्हणून केली जाते.
वेग संपृक्तता - (मध्ये मोजली मीटर प्रति सेकंद) - वेग संपृक्तता ही अशी घटना आहे जिथे उच्च फील्ड लागू केल्यावर वाहक कमाल वेग vsat पर्यंत पोहोचतात.
इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता प्रति युनिट इलेक्ट्रिक फील्डच्या सरासरी प्रवाह गतीची परिमाण म्हणून परिभाषित केली जाते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
वेग संपृक्तता: 10.12 मिलीमीटर/सेकंद --> 0.01012 मीटर प्रति सेकंद (रूपांतरण तपासा ​येथे)
इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता: 49.8 चौरस सेंटीमीटर प्रति व्होल्ट सेकंद --> 0.00498 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Ec = (2*Vsat)/µe --> (2*0.01012)/0.00498
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Ec = 4.06425702811245
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
4.06425702811245 व्होल्ट प्रति मीटर -->0.00406425702811245 व्होल्ट प्रति मिलीमीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
0.00406425702811245 0.004064 व्होल्ट प्रति मिलीमीटर <-- गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित शोभित दिमरी
बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान (बीटीकेआयटी), द्वाराहाट
शोभित दिमरी यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 900+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

15 CMOS सर्किट वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

सीएमओएसमध्ये प्रभावी कॅपेसिटन्स
​ जा CMOS मध्ये प्रभावी क्षमता = कार्यकालचक्र*(चालू बंद*(10^(बेस कलेक्टर व्होल्टेज)))/(गेट्स ऑन क्रिटिकल पाथ*[BoltZ]*बेस कलेक्टर व्होल्टेज)
ऑक्साइड लेयरची परवानगी
​ जा ऑक्साइड लेयरची परवानगी = ऑक्साईड थर जाडी*इनपुट गेट कॅपेसिटन्स/(गेट रुंदी*गेटची लांबी)
ऑक्साईड थर जाडी
​ जा ऑक्साईड थर जाडी = ऑक्साइड लेयरची परवानगी*गेट रुंदी*गेटची लांबी/इनपुट गेट कॅपेसिटन्स
गेटची रुंदी
​ जा गेट रुंदी = इनपुट गेट कॅपेसिटन्स/(गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता*गेटची लांबी)
स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती
​ जा स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती = (2*संक्रमण रुंदी)+(2*स्त्रोताची लांबी)
किमान EDP वर व्होल्टेज
​ जा किमान EDP वर व्होल्टेज = (3*थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)/(3-क्रियाकलाप घटक)
CMOS ची संक्रमण रुंदी
​ जा संक्रमण रुंदी = एमओएस गेट ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/एमओएस गेट कॅपेसिटन्स
CMOS क्रिटिकल व्होल्टेज
​ जा CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज = गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड*मीन फ्री पाथ
गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड
​ जा गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड = (2*वेग संपृक्तता)/इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता
CMOS म्हणजे फ्री पाथ
​ जा मीन फ्री पाथ = CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज/गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड
क्षीणता प्रदेश रुंदी
​ जा क्षीणता प्रदेश रुंदी = पीएन जंक्शन लांबी-प्रभावी चॅनेलची लांबी
प्रभावी चॅनेल लांबी
​ जा प्रभावी चॅनेलची लांबी = पीएन जंक्शन लांबी-क्षीणता प्रदेश रुंदी
पीएन जंक्शन लांबी
​ जा पीएन जंक्शन लांबी = क्षीणता प्रदेश रुंदी+प्रभावी चॅनेलची लांबी
स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र
​ जा स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र = स्त्रोताची लांबी*संक्रमण रुंदी
स्त्रोत प्रसाराची रुंदी
​ जा संक्रमण रुंदी = स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र/स्त्रोताची लांबी

गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड सुत्र

गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड = (2*वेग संपृक्तता)/इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता
Ec = (2*Vsat)/µe

वेग संपृक्तता म्हणजे काय?

वेग संपृक्तता म्हणजे सेमीकंडक्टरमधील चार्ज वाहक, सामान्यत: इलेक्ट्रॉन, अत्यंत उच्च विद्युत क्षेत्राच्या उपस्थितीत प्राप्त होणारा जास्तीत जास्त वेग आहे. जेव्हा हे घडते, तेव्हा अर्धसंवाहक वेग संपृक्ततेच्या स्थितीत असल्याचे म्हटले जाते.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!