Kritisches elektrisches Feld Taschenrechner

↳

Elektronik

Bürgerlich

Chemieingenieurwesen

Elektrisch

Elektronik und Instrumentierung

Fertigungstechnik

Materialwissenschaften

Mechanisch

⤿

Eigenschaften der CMOS-Schaltung

Array-Datenpfad-Subsystem

CMOS-Designmerkmale

CMOS-Leistungsmetriken

CMOS-Spezialsubsystem

CMOS-Verzögerungseigenschaften

CMOS-Wechselrichter

CMOS-Zeiteigenschaften

✖Geschwindigkeitssättigung ist das Phänomen, bei dem sich Träger einer maximalen Geschwindigkeit vsat nähern, wenn hohe Felder angelegt werden.ⓘ Geschwindigkeitssättigung [V_sat]			+10% -10%
✖Die Mobilität von Elektronen ist definiert als die Größe der durchschnittlichen Driftgeschwindigkeit pro elektrischer Feldeinheit.ⓘ Mobilität des Elektrons [µ_e]			+10% -10%

✖Das kritische elektrische Feld ist definiert als die elektrische Kraft pro Ladungseinheit.ⓘ Kritisches elektrisches Feld [E_c]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Kritisches elektrisches Feld

Formel

`"E"_{"c"} = (2*"V"_{"sat"})/"µ"_{"e"}`

Beispiel

`"0.004064V/mm"=(2*"10.12mm/s")/"49.8cm²/V*s"`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen Eigenschaften der CMOS-Schaltung Formeln Pdf PDF Image

Kritisches elektrisches Feld Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kritisches elektrisches Feld = (2*Geschwindigkeitssättigung)/Mobilität des Elektrons
E_c = (2*V_sat)/µ_e
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Kritisches elektrisches Feld - (Gemessen in Volt pro Meter) - Das kritische elektrische Feld ist definiert als die elektrische Kraft pro Ladungseinheit.
Geschwindigkeitssättigung - (Gemessen in Meter pro Sekunde) - Geschwindigkeitssättigung ist das Phänomen, bei dem sich Träger einer maximalen Geschwindigkeit vsat nähern, wenn hohe Felder angelegt werden.
Mobilität des Elektrons - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Mobilität von Elektronen ist definiert als die Größe der durchschnittlichen Driftgeschwindigkeit pro elektrischer Feldeinheit.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Geschwindigkeitssättigung: 10.12 Millimeter / Sekunde --> 0.01012 Meter pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Mobilität des Elektrons: 49.8 Quadratzentimeter pro Voltsekunde --> 0.00498 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

E_c = (2*V_sat)/µ_e --> (2*0.01012)/0.00498

Auswerten ... ...

E_c = 4.06425702811245

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

4.06425702811245 Volt pro Meter -->0.00406425702811245 Volt pro Millimeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.00406425702811245 ≈ 0.004064 Volt pro Millimeter <-- Kritisches elektrisches Feld

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » CMOS-Design und Anwendungen » Eigenschaften der CMOS-Schaltung » Kritisches elektrisches Feld

Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 Eigenschaften der CMOS-Schaltung Taschenrechner

Effektive Kapazität im CMOS

Gehen Effektive Kapazität im CMOS = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^(Basiskollektorspannung)))/(Gates auf kritischem Weg*[BoltZ]*Basiskollektorspannung)

Permittivität der Oxidschicht

Gehen Permittivität der Oxidschicht = Dicke der Oxidschicht*Eingangs-Gate-Kapazität/(Torbreite*Länge des Tors)

Dicke der Oxidschicht

Gehen Dicke der Oxidschicht = Permittivität der Oxidschicht*Torbreite*Länge des Tors/Eingangs-Gate-Kapazität

Breite des Tors

Gehen Torbreite = Eingangs-Gate-Kapazität/(Kapazität der Gate-Oxidschicht*Länge des Tors)

Kritisches elektrisches Feld

Gehen Kritisches elektrisches Feld = (2*Geschwindigkeitssättigung)/Mobilität des Elektrons

Seitenwandumfang der Quelldiffusion

Gehen Seitenwandumfang der Quellendiffusion = (2*Übergangsbreite)+(2*Länge der Quelle)

CMOS mittlerer freier Pfad

Gehen Mittlerer freier Pfad = Kritische Spannung im CMOS/Kritisches elektrisches Feld

Kritische CMOS-Spannung

Gehen Kritische Spannung im CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad

Breite des Verarmungsbereichs

Gehen Breite der Verarmungsregion = PN-Verbindungslänge-Effektive Kanallänge

Effektive Kanallänge

Gehen Effektive Kanallänge = PN-Verbindungslänge-Breite der Verarmungsregion

PN-Verbindungslänge

Gehen PN-Verbindungslänge = Breite der Verarmungsregion+Effektive Kanallänge

Spannung bei minimaler EDV

Gehen Spannung bei minimaler EDP = (3*Grenzspannung)/(3-Aktivitätsfaktor)

Übergangsbreite des CMOS

Gehen Übergangsbreite = MOS-Gate-Überlappungskapazität/MOS-Gate-Kapazität

Bereich der Quellendiffusion

Gehen Bereich der Quellendiffusion = Länge der Quelle*Übergangsbreite

Breite der Quellendiffusion

Gehen Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle

Kritisches elektrisches Feld Formel

Kritisches elektrisches Feld = (2*Geschwindigkeitssättigung)/Mobilität des Elektrons
E_c = (2*V_sat)/µ_e

Was ist Geschwindigkeitssättigung?

Die Geschwindigkeitssättigung ist die maximale Geschwindigkeit, die ein Ladungsträger in einem Halbleiter, im Allgemeinen ein Elektron, in Gegenwart sehr hoher elektrischer Felder erreicht. In diesem Fall befindet sich der Halbleiter in einem Zustand der Geschwindigkeitssättigung.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!