MOSFET स्मॉल सिग्नलचा ड्रेन करंट उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
ड्रेन करंट = 1/(इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ*आउटपुट प्रतिकार)
id = 1/(λ*Rout)
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
ड्रेन करंट - (मध्ये मोजली अँपिअर) - ड्रेन करंट म्हणजे ड्रेन आणि फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या स्रोत टर्मिनल्समध्ये वाहणारा प्रवाह, जो सामान्यतः इलेक्ट्रॉनिक सर्किट्समध्ये वापरला जाणारा एक प्रकारचा ट्रान्झिस्टर आहे.
इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ - इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ जो घन अवस्थेतील उपकरणामध्ये अशुद्धता, पराभव किंवा इतर अडथळ्यांसह विखुरल्याशिवाय इलेक्ट्रॉन प्रवास करू शकतो असे सरासरी अंतर दर्शवतो.
आउटपुट प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - आउटपुट रेझिस्टन्स म्हणजे इलेक्ट्रोनिक सर्किटच्या विद्युत् प्रवाहाच्या प्रतिरोधनाचा संदर्भ आहे जेव्हा लोड त्याच्या आउटपुटशी जोडलेला असतो.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ: 2.78 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
आउटपुट प्रतिकार: 4.5 किलोहम --> 4500 ओहम (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
id = 1/(λ*Rout) --> 1/(2.78*4500)
मूल्यांकन करत आहे ... ...
id = 7.99360511590727E-05
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
7.99360511590727E-05 अँपिअर -->0.0799360511590727 मिलीअँपिअर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
0.0799360511590727 0.079936 मिलीअँपिअर <-- ड्रेन करंट
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

15 लहान सिग्नल विश्लेषण कॅल्क्युलेटर

इनपुट रेझिस्टन्सच्या संदर्भात लहान सिग्नल व्होल्टेज वाढ
​ जा व्होल्टेज वाढणे = (इनपुट अॅम्प्लीफायर प्रतिरोध/(इनपुट अॅम्प्लीफायर प्रतिरोध+स्वयंप्रेरित प्रतिकार))*((स्रोत प्रतिकार*आउटपुट प्रतिकार)/(स्रोत प्रतिकार+आउटपुट प्रतिकार))/(1/Transconductance+((स्रोत प्रतिकार*आउटपुट प्रतिकार)/(स्रोत प्रतिकार+आउटपुट प्रतिकार)))
स्मॉल सिग्नल रेझिस्टन्सच्या संदर्भात गेट टू सोर्स व्होल्टेज
​ जा गंभीर व्होल्टेज = इनपुट व्होल्टेज*((1/Transconductance)/((1/Transconductance)*((स्रोत प्रतिकार*लहान सिग्नल प्रतिकार)/(स्रोत प्रतिकार+लहान सिग्नल प्रतिकार))))
लहान सिग्नलमध्ये कॉमन ड्रेन आउटपुट व्होल्टेज
​ जा आउटपुट व्होल्टेज = Transconductance*गंभीर व्होल्टेज*((स्रोत प्रतिकार*लहान सिग्नल प्रतिकार)/(स्रोत प्रतिकार+लहान सिग्नल प्रतिकार))
लहान सिग्नल पी-चॅनेलचे आउटपुट व्होल्टेज
​ जा आउटपुट व्होल्टेज = Transconductance*गेट व्होल्टेजचा स्त्रोत*((आउटपुट प्रतिकार*निचरा प्रतिकार)/(निचरा प्रतिकार+आउटपुट प्रतिकार))
लहान सिग्नलसाठी व्होल्टेज वाढणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = (Transconductance*(1/((1/लोड प्रतिकार)+(1/निचरा प्रतिकार))))/(1+(Transconductance*स्वयंप्रेरित प्रतिकार))
ड्रेन रेझिस्टन्सच्या संदर्भात स्मॉल-सिग्नल व्होल्टेज वाढणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = (Transconductance*((आउटपुट प्रतिकार*निचरा प्रतिकार)/(आउटपुट प्रतिकार+निचरा प्रतिकार)))
लहान सिग्नलचा आउटपुट करंट
​ जा आउटपुट वर्तमान = (Transconductance*गंभीर व्होल्टेज)*(निचरा प्रतिकार/(लोड प्रतिकार+निचरा प्रतिकार))
लहान सिग्नलचा इनपुट करंट
​ जा लहान सिग्नलचा इनपुट करंट = (गंभीर व्होल्टेज*((1+Transconductance*स्वयंप्रेरित प्रतिकार)/स्वयंप्रेरित प्रतिकार))
लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलसाठी प्रवर्धन घटक
​ जा प्रवर्धन घटक = 1/इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ*sqrt((2*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर)/ड्रेन करंट)
लहान सिग्नल पॅरामीटर्स दिलेले ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = 2*ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(गेट ते सोर्स व्होल्टेजचा DC घटक-एकूण व्होल्टेज)
लहान सिग्नलमध्ये गेट टू सोर्स व्होल्टेज
​ जा गंभीर व्होल्टेज = इनपुट व्होल्टेज/(1+स्वयंप्रेरित प्रतिकार*Transconductance)
लहान सिग्नल वापरून व्होल्टेज वाढवणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*1/(1/लोड प्रतिकार+1/मर्यादित प्रतिकार)
लहान सिग्नल आउटपुट व्होल्टेज
​ जा आउटपुट व्होल्टेज = Transconductance*गेट व्होल्टेजचा स्त्रोत*लोड प्रतिकार
MOSFET स्मॉल सिग्नलचा ड्रेन करंट
​ जा ड्रेन करंट = 1/(इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ*आउटपुट प्रतिकार)
लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलमध्ये प्रवर्धन घटक
​ जा प्रवर्धन घटक = Transconductance*आउटपुट प्रतिकार

MOSFET स्मॉल सिग्नलचा ड्रेन करंट सुत्र

ड्रेन करंट = 1/(इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ*आउटपुट प्रतिकार)
id = 1/(λ*Rout)

MOSFET एक सममितीय डिव्हाइस आहे?

मॉसफ़ेट एक सममित डिव्हाइस आहे, म्हणून उत्तर होय आहे. तथापि आपल्या सर्किट डिझाइनमध्ये आपण आपले शरीर टर्मिनलंपैकी एकाशी जोडले असल्यास, आपणास ते टर्मिनल स्त्रोत पाहिजे आहे.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!