MOSFET च्या चॅनेल-लांबी मॉड्युलेशनशिवाय प्रवाह काढून टाका उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
ड्रेन करंट = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स*प्रसर गुणोत्तर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2
id = 1/2*k'p*WL*(Vgs-Vth)^2
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
ड्रेन करंट - (मध्ये मोजली अँपिअर) - ड्रेन करंट म्हणजे ड्रेन आणि फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या स्रोत टर्मिनल्समध्ये वाहणारा प्रवाह, जो सामान्यतः इलेक्ट्रॉनिक सर्किट्समध्ये वापरला जाणारा एक प्रकारचा ट्रान्झिस्टर आहे.
PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - पीएमओएस मधील प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स म्हणजे पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या गेट-स्रोत व्होल्टेजच्या संदर्भात फायदा.
प्रसर गुणोत्तर - आस्पेक्ट रेशो हे ट्रान्झिस्टरच्या चॅनेलच्या लांबीच्या रुंदीचे गुणोत्तर म्हणून परिभाषित केले जाते. हे गेटच्या रुंदीचे स्त्रोतापासूनच्या अंतराचे गुणोत्तर आहे
गेट-स्रोत व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - गेट-स्रोत व्होल्टेज हे एक गंभीर पॅरामीटर आहे जे FET च्या ऑपरेशनवर परिणाम करते आणि ते सहसा डिव्हाइसचे वर्तन नियंत्रित करण्यासाठी वापरले जाते.
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - थ्रेशोल्ड व्होल्टेज, ज्याला गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज किंवा फक्त Vth असेही म्हटले जाते, हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या ऑपरेशनमध्ये एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्समधील मूलभूत घटक आहेत.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स: 0.58 मिलिसीमेन्स --> 0.00058 सीमेन्स (रूपांतरण तपासा ​येथे)
प्रसर गुणोत्तर: 0.1 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
गेट-स्रोत व्होल्टेज: 4 व्होल्ट --> 4 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: 2.3 व्होल्ट --> 2.3 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
id = 1/2*k'p*WL*(Vgs-Vth)^2 --> 1/2*0.00058*0.1*(4-2.3)^2
मूल्यांकन करत आहे ... ...
id = 8.381E-05
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
8.381E-05 अँपिअर -->0.08381 मिलीअँपिअर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
0.08381 मिलीअँपिअर <-- ड्रेन करंट
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

12 चालू कॅल्क्युलेटर

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा दुसरा ड्रेन करंट
​ जा निचरा प्रवाह 2 = डीसी बायस वर्तमान/2-डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-(विभेदक इनपुट सिग्नल)^2/(4*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज^2))
मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट
​ जा ड्रेन करंट १ = डीसी बायस वर्तमान/2+डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-विभेदक इनपुट सिग्नल^2/(4*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज^2))
MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट
​ जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(प्रभावी व्होल्टेज)^2
MOSFET च्या चॅनेल-लांबी मॉड्युलेशनशिवाय प्रवाह काढून टाका
​ जा ड्रेन करंट = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स*प्रसर गुणोत्तर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2
झटपट निचरा करंट
​ जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(गेट ते सोर्स व्होल्टेजचा DC घटक-एकूण व्होल्टेज+गंभीर व्होल्टेज)^2
ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा दुसरा ड्रेन करंट
​ जा निचरा प्रवाह 2 = डीसी बायस वर्तमान/2-डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2
ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट
​ जा ड्रेन करंट १ = डीसी बायस वर्तमान/2+डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2
ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा प्रवाह काढून टाका
​ जा ड्रेन करंट = (डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज)*(विभेदक इनपुट सिग्नल/2)
Vgs च्या DC घटकाच्या संदर्भात तात्काळ ड्रेन करंट
​ जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*((गंभीर व्होल्टेज-एकूण व्होल्टेज)^2)
MOSFET च्या कॉमन-मोड नकारात वर्तमान
​ जा एकूण वर्तमान = वाढीव सिग्नल/((1/Transconductance)+(2*आउटपुट प्रतिकार))
लोड लाईनमध्ये ड्रेन करंट
​ जा ड्रेन करंट = (पुरवठा व्होल्टेज-ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)/लोड प्रतिकार
MOSFET चा शॉर्ट सर्किट करंट
​ जा आउटपुट वर्तमान = Transconductance*गेट-स्रोत व्होल्टेज

MOSFET च्या चॅनेल-लांबी मॉड्युलेशनशिवाय प्रवाह काढून टाका सुत्र

ड्रेन करंट = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स*प्रसर गुणोत्तर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2
id = 1/2*k'p*WL*(Vgs-Vth)^2

एमओएसएफईटीमध्ये ड्रेन करंट म्हणजे काय?

थ्रेशोल्ड व्होल्टेजच्या खाली असलेल्या ड्रेन प्रवाहची उपखंड धार म्हणून परिभाषित केली जाते आणि व्हीजीएसमध्ये वेगाने बदलते. लॉगच्या उतार (पारंपारिक) विरूद्ध. व्हीजीएस वैशिष्ट्य म्हणजे सबथ्रेशोल्ड स्लोप, एस म्हणून परिभाषित केले आहे आणि लॉजिक अ‍ॅप्लिकेशन्समध्ये एमओएसएफईटीईएससाठी सर्वात महत्वपूर्ण कामगिरी मेट्रिक्सपैकी एक आहे.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!