गेट कॅपेसिटन्स कॅल्क्युलेटर

✖इलेक्ट्रोमॅग्नेटिक फील्डमध्ये ठेवल्यावर चॅनल चार्ज हे एखाद्या पदार्थाचा अनुभव असलेले बल म्हणून परिभाषित केले जाते.ⓘ चॅनल चार्ज [Q_ch]			+10% -10%
✖गेट टू चॅनल व्होल्टेज परिभाषित केले जाते कारण गेट व्होल्टेज थ्रेशोल्ड व्होल्टेजच्या आसपास असते तेव्हा ड्रेन-स्रोत ऑन-स्टेट रेझिस्टन्स रेट केलेल्या मूल्यापेक्षा मोठा असतो.ⓘ गेट टू चॅनल व्होल्टेज [V_gc]			+10% -10%
✖ट्रान्झिस्टरचा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हा स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्स दरम्यान चालणारा मार्ग तयार करण्यासाठी आवश्यक असलेल्या स्त्रोत व्होल्टेजचे किमान गेट आहे.ⓘ थ्रेशोल्ड व्होल्टेज [V_t]			+10% -10%

✖गेट कॅपेसिटन्स हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या गेट टर्मिनलचे कॅपॅसिटन्स आहे.ⓘ गेट कॅपेसिटन्स [C_g]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

गेट कॅपेसिटन्स

सुत्र

`"C"_{"g"} = "Q"_{"ch"}/("V"_{"gc"}-"V"_{"t"})`

उदाहरण

`"59.60364μF"="0.40mC"/("7.011V"-"0.3V")`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा इलेक्ट्रॉनिक्स सुत्र PDF PDF Image

गेट कॅपेसिटन्स उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

गेट कॅपेसिटन्स = चॅनल चार्ज/(गेट टू चॅनल व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
C_g = Q_ch/(V_gc-V_t)
हे सूत्र 4 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

गेट कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - गेट कॅपेसिटन्स हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या गेट टर्मिनलचे कॅपॅसिटन्स आहे.
चॅनल चार्ज - (मध्ये मोजली कुलम्ब ) - इलेक्ट्रोमॅग्नेटिक फील्डमध्ये ठेवल्यावर चॅनल चार्ज हे एखाद्या पदार्थाचा अनुभव असलेले बल म्हणून परिभाषित केले जाते.
गेट टू चॅनल व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - गेट टू चॅनल व्होल्टेज परिभाषित केले जाते कारण गेट व्होल्टेज थ्रेशोल्ड व्होल्टेजच्या आसपास असते तेव्हा ड्रेन-स्रोत ऑन-स्टेट रेझिस्टन्स रेट केलेल्या मूल्यापेक्षा मोठा असतो.
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ट्रान्झिस्टरचा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हा स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्स दरम्यान चालणारा मार्ग तयार करण्यासाठी आवश्यक असलेल्या स्त्रोत व्होल्टेजचे किमान गेट आहे.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

चॅनल चार्ज: 0.4 मिलिकुलॉम्ब --> 0.0004 कुलम्ब (रूपांतरण तपासा येथे)
गेट टू चॅनल व्होल्टेज: 7.011 व्होल्ट --> 7.011 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: 0.3 व्होल्ट --> 0.3 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

C_g = Q_ch/(V_gc-V_t) --> 0.0004/(7.011-0.3)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

C_g = 5.96036358217851E-05

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

5.96036358217851E-05 फॅरड -->59.6036358217851 मायक्रोफरॅड (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

59.6036358217851 ≈ 59.60364 मायक्रोफरॅड <-- गेट कॅपेसिटन्स

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » व्हीएलएसआय फॅब्रिकेशन » VLSI मटेरियल ऑप्टिमायझेशन » गेट कॅपेसिटन्स

जमा

ने निर्मित शोभित दिमरी

बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान (बीटीकेआयटी), द्वाराहाट

शोभित दिमरी यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 900+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 25 VLSI मटेरियल ऑप्टिमायझेशन कॅल्क्युलेटर

बल्क डिप्लीशन रिजन चार्ज डेन्सिटी VLSI

जा बल्क डिप्लीशन क्षेत्र चार्ज घनता = -(1-((स्त्रोतासह क्षीणता क्षेत्राची बाजूकडील विस्तार+नाल्यासह क्षीणता प्रदेशाचा पार्श्व विस्तार)/(2*चॅनेलची लांबी)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*स्वीकारणारा एकाग्रता*abs(2*पृष्ठभाग संभाव्य))

शरीर प्रभाव गुणांक

जा शरीर प्रभाव गुणांक = modulus((थ्रेशोल्ड व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL)/(sqrt(पृष्ठभाग संभाव्य+(स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक))-sqrt(पृष्ठभाग संभाव्य)))

स्रोत VLSI सह PN जंक्शन डिप्लेशन डेप्थ

जा स्रोतासह Pn जंक्शन डिप्लेशन डेप्थ = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज)/([Charge-e]*स्वीकारणारा एकाग्रता))

जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज VLSI

जा जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकारणारा एकाग्रता*दात्याची एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2)

एकूण स्त्रोत परजीवी कॅपेसिटन्स

जा स्त्रोत परजीवी क्षमता = (शरीर आणि स्त्रोताच्या जंक्शनमधील क्षमता*स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र)+(शरीराच्या जंक्शन आणि बाजूच्या भिंतीमधील क्षमता*स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती)

लहान चॅनल संपृक्तता वर्तमान VLSI

जा लहान चॅनेल संपृक्तता वर्तमान = चॅनेल रुंदी*संपृक्तता इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग*प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*संपृक्तता ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज

जंक्शन करंट

जा जंक्शन चालू = (स्थिर शक्ती/बेस कलेक्टर व्होल्टेज)-(उप थ्रेशोल्ड वर्तमान+वाद चालू+गेट करंट)

पृष्ठभाग संभाव्य

जा पृष्ठभाग संभाव्य = 2*स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक*ln(स्वीकारणारा एकाग्रता/आंतरिक एकाग्रता)

DIBL गुणांक

जा DIBL गुणांक = (थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)/स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा

थ्रेशोल्ड व्होल्टेज जेव्हा स्त्रोत शरीराच्या संभाव्यतेवर असतो

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL = DIBL गुणांक*स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा+थ्रेशोल्ड व्होल्टेज

थ्रेशोल्ड व्होल्टेज

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट टू चॅनल व्होल्टेज-(चॅनल चार्ज/गेट कॅपेसिटन्स)

गेट कॅपेसिटन्स

जा गेट कॅपेसिटन्स = चॅनल चार्ज/(गेट टू चॅनल व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

चॅनेल शुल्क

जा चॅनल चार्ज = गेट कॅपेसिटन्स*(गेट टू चॅनल व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

जा पूर्ण स्केलिंग नंतर ऑक्साइड कॅपेसिटन्स = प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*स्केलिंग फॅक्टर

गेट ऑक्साइड कॅपेसिटन्स वापरून गेटची लांबी

जा गेटची लांबी = गेट कॅपेसिटन्स/(गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता*गेट रुंदी)

गेट ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

जा गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता = गेट कॅपेसिटन्स/(गेट रुंदी*गेटची लांबी)

सबथ्रेशोल्ड उतार

जा उप थ्रेशोल्ड उतार = स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक*DIBL गुणांक*ln(10)

गंभीर व्होल्टेज

जा गंभीर व्होल्टेज = गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड*चॅनल लांबी ओलांडून इलेक्ट्रिक फील्ड

पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर गेट ऑक्साईडची जाडी

जा पूर्ण स्केलिंग नंतर गेट ऑक्साईड जाडी = गेट ऑक्साईड जाडी/स्केलिंग फॅक्टर

आंतरिक गेट कॅपेसिटन्स

जा एमओएस गेट ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स = एमओएस गेट कॅपेसिटन्स*संक्रमण रुंदी

पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर चॅनेलची लांबी

जा पूर्ण स्केलिंग नंतर चॅनेलची लांबी = चॅनेलची लांबी/स्केलिंग फॅक्टर

पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर जंक्शन डेप्थ

जा पूर्ण स्केलिंग नंतर जंक्शन खोली = जंक्शन खोली/स्केलिंग फॅक्टर

पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर चॅनल रुंदी

जा पूर्ण स्केलिंग नंतर चॅनेल रुंदी = चॅनेल रुंदी/स्केलिंग फॅक्टर

मोसफेटमध्ये गतिशीलता

जा MOSFET मध्ये गतिशीलता = के प्राइम/गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता

के-प्राइम

जा के प्राइम = MOSFET मध्ये गतिशीलता*गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता

गेट कॅपेसिटन्स सुत्र

गेट कॅपेसिटन्स = चॅनल चार्ज/(गेट टू चॅनल व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
C_g = Q_ch/(V_gc-V_t)

VLSI मध्ये गेट कॅपॅसिटन्सची गणना करण्यासाठी कोणते अनुप्रयोग आहेत?

(VLSI) मध्ये गेट कॅपॅसिटन्सची गणना करणे हे पॉवर वापर आणि सिग्नल अखंडता अनुकूल करण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहे. हे कार्यक्षम CMOS सर्किट डिझाइन करण्यात, विलंब निश्चित करण्यात आणि स्विचिंग पॉवर कमी करण्यात मदत करते. स्मार्टफोन, IoT उपकरणे आणि मायक्रोप्रोसेसर यांसारख्या अनुप्रयोगांमध्ये उच्च-कार्यक्षमता, कमी-पॉवर इंटिग्रेटेड सर्किट्स साध्य करण्यासाठी हे ज्ञान आवश्यक आहे.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!