गेट सोर्स कॅपेसिटन्स दिलेली ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
गेट सोर्स कॅपेसिटन्स = (2/3*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*ट्रान्झिस्टरची लांबी*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स)+(ट्रान्झिस्टरची रुंदी*ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स)
Cgs = (2/3*Wt*Lt*Cox)+(Wt*Cov)
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
गेट सोर्स कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - गेट सोर्स कॅपेसिटन्स म्हणजे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या गेट आणि सोर्स टर्मिनल्समधील कॅपेसिटन्सचा संदर्भ आहे.
ट्रान्झिस्टरची रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - ट्रान्झिस्टरची रुंदी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या रुंदीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.
ट्रान्झिस्टरची लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - ट्रान्झिस्टरची लांबी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या लांबीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - ऑक्साइड कॅपेसिटन्स म्हणजे मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर (एमओएस) स्ट्रक्चरमधील इन्सुलेटिंग ऑक्साइड लेयरशी संबंधित कॅपेसिटन्स, जसे की MOSFETs मध्ये.
ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - ओव्हरलॅप कॅपॅसिटन्स हा एक परजीवी कॅपेसिटन्स आहे जो गेट आणि स्त्रोत/ड्रेन क्षेत्रांमधील भौतिक ओव्हरलॅपमुळे उद्भवतो.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
ट्रान्झिस्टरची रुंदी: 5.5 मायक्रोमीटर --> 5.5E-06 मीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
ट्रान्झिस्टरची लांबी: 3.2 मायक्रोमीटर --> 3.2E-06 मीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स: 3.9 फॅरड --> 3.9 फॅरड कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स: 2.5 फॅरड --> 2.5 फॅरड कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Cgs = (2/3*Wt*Lt*Cox)+(Wt*Cov) --> (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5)
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Cgs = 1.375004576E-05
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
1.375004576E-05 फॅरड -->13.75004576 मायक्रोफरॅड (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
13.75004576 13.75005 मायक्रोफरॅड <-- गेट सोर्स कॅपेसिटन्स
(गणना 00.005 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित बानुप्रकाश
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर
बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित संतोष यादव
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर
संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

19 बायपोलर आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

आयताकृती समांतर पाईपचा प्रतिकार
​ जा प्रतिकार = ((प्रतिरोधकता*लेयरची जाडी)/(डिफ्यूज्ड लेयरची रुंदी*डिफ्यूज्ड लेयरची लांबी))*(ln(तळाच्या आयताची रुंदी/तळाच्या आयताची लांबी)/(तळाच्या आयताची रुंदी-तळाच्या आयताची लांबी))
अशुद्धता अणू प्रति युनिट क्षेत्र
​ जा एकूण अशुद्धता = प्रभावी प्रसार*(एमिटर बेस जंक्शन क्षेत्र*((चार्ज करा*आंतरिक एकाग्रता^2)/जिल्हाधिकारी वर्तमान)*exp(व्होल्टेज बेस एमिटर/थर्मल व्होल्टेज))
पी-प्रकारची चालकता
​ जा ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*(आंतरिक एकाग्रता^2/पी-टाइपची समतोल एकाग्रता)+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*पी-टाइपची समतोल एकाग्रता)
N-प्रकारची चालकता
​ जा ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*(आंतरिक एकाग्रता^2/एन-टाइपची समतोल एकाग्रता))
गेट सोर्स कॅपेसिटन्स दिलेली ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स
​ जा गेट सोर्स कॅपेसिटन्स = (2/3*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*ट्रान्झिस्टरची लांबी*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स)+(ट्रान्झिस्टरची रुंदी*ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स)
अशुद्धतेची ओमिक चालकता
​ जा ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*भोक एकाग्रता)
पीएनपी ट्रान्झिस्टरचे कलेक्टर-करंट
​ जा जिल्हाधिकारी वर्तमान = (चार्ज करा*एमिटर बेस जंक्शन क्षेत्र*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता*PNP साठी प्रसार स्थिरांक)/पाया रुंदी
ट्रान्झिस्टरमध्ये संपृक्तता प्रवाह
​ जा संपृक्तता वर्तमान = (चार्ज करा*एमिटर बेस जंक्शन क्षेत्र*प्रभावी प्रसार*आंतरिक एकाग्रता^2)/एकूण अशुद्धता
पुरवठा व्होल्टेज दिलेला कॅपेसिटिव्ह लोड वीज वापर
​ जा कॅपेसिटिव्ह लोड पॉवर वापर = लोड कॅपेसिटन्स*पुरवठा व्होल्टेज^2*आउटपुट सिग्नल वारंवारता*आउटपुट स्विचिंगची एकूण संख्या
थर च्या शीट प्रतिकार
​ जा पत्रक प्रतिकार = 1/(चार्ज करा*इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता*लेयरची जाडी)
डिफ्यूज्ड लेयरचा प्रतिकार
​ जा प्रतिकार = (1/ओमिक चालकता)*(डिफ्यूज्ड लेयरची लांबी/(डिफ्यूज्ड लेयरची रुंदी*लेयरची जाडी))
वर्तमान घनता भोक
​ जा भोक वर्तमान घनता = चार्ज करा*PNP साठी प्रसार स्थिरांक*(भोक समतोल एकाग्रता/पाया रुंदी)
कलेक्टर एमिटरचे ब्रेकआउट व्होल्टेज
​ जा कलेक्टर एमिटर ब्रेकआउट व्होल्टेज = कलेक्टर बेस ब्रेकआउट व्होल्टेज/(BJT चा सध्याचा फायदा)^(1/रूट क्रमांक)
आंतरिक एकाग्रतेसह अशुद्धता
​ जा आंतरिक एकाग्रता = sqrt((इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*भोक एकाग्रता)/तापमान अशुद्धता)
एमिटर इंजेक्शन कार्यक्षमता
​ जा एमिटर इंजेक्शन कार्यक्षमता = एमिटर करंट/(इलेक्ट्रॉन्समुळे उत्सर्जक करंट+छिद्रांमुळे उत्सर्जक करंट)
डोपिंग स्थिरांक दिलेली एमिटर इंजेक्शनची कार्यक्षमता
​ जा एमिटर इंजेक्शन कार्यक्षमता = एन-साइड वर डोपिंग/(एन-साइड वर डोपिंग+पी-साइड वर डोपिंग)
जेनर डायोडमध्ये प्रवाही प्रवाह
​ जा डायोड करंट = (इनपुट संदर्भ व्होल्टेज-स्थिर आउटपुट व्होल्टेज)/जेनर प्रतिकार
ICs मध्ये व्होल्टेज ते वारंवारता रूपांतरण घटक
​ जा ICs मध्ये व्होल्टेज ते वारंवारता रूपांतरण घटक = आउटपुट सिग्नल वारंवारता/इनपुट व्होल्टेज
बेस ट्रान्सपोर्ट फॅक्टर दिलेली बेस रुंदी
​ जा बेस ट्रान्सपोर्ट फॅक्टर = 1-(1/2*(भौतिक रुंदी/इलेक्ट्रॉन प्रसार लांबी)^2)

गेट सोर्स कॅपेसिटन्स दिलेली ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स सुत्र

गेट सोर्स कॅपेसिटन्स = (2/3*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*ट्रान्झिस्टरची लांबी*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स)+(ट्रान्झिस्टरची रुंदी*ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स)
Cgs = (2/3*Wt*Lt*Cox)+(Wt*Cov)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!