कॅलक्यूलेटर ए टू झेड
🔍
डाउनलोड करा PDF
रसायनशास्त्र
अभियांत्रिकी
आर्थिक
आरोग्य
गणित
भौतिकशास्त्र
कमाल क्षीणता खोली कॅल्क्युलेटर
अभियांत्रिकी
आरोग्य
आर्थिक
खेळाचे मैदान
गणित
भौतिकशास्त्र
रसायनशास्त्र
↳
इलेक्ट्रॉनिक्स
इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन
उत्पादन अभियांत्रिकी
दिवाणी
पदार्थ विज्ञान
यांत्रिकी
रासायनिक अभियांत्रिकी
विद्युत
⤿
अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स
CMOS डिझाइन आणि अनुप्रयोग
अँटेना
अॅनालॉग कम्युनिकेशन्स
अॅम्प्लीफायर
आरएफ मायक्रोइलेक्ट्रॉनिक
इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC)
इलेक्ट्रोमॅग्नेटिक फील्ड सिद्धांत
ईडीसी
उपग्रह संप्रेषण
एम्बेडेड प्रणाली
ऑप्टिकल फायबर डिझाइन
ऑप्टो इलेक्ट्रॉनिक्स उपकरणे
घन राज्य साधने
टेलिकम्युनिकेशन स्विचिंग सिस्टम
ट्रान्समिशन लाइन आणि अँटेना
डिजिटल कम्युनिकेशन
डिजिटल प्रतिमा प्रक्रिया
दूरदर्शन अभियांत्रिकी
नियंत्रण यंत्रणा
पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स
फायबर ऑप्टिक ट्रान्समिशन
मायक्रोवेव्ह सिद्धांत
माहिती सिद्धांत आणि कोडिंग
रडार सिस्टम
वायरलेस कम्युनिकेशन
व्हीएलएसआय फॅब्रिकेशन
सिग्नल आणि सिस्टम्स
⤿
MOSFET
बीजेटी
⤿
एमओएस ट्रान्झिस्टर
MOSFET वैशिष्ट्ये
Transconductance
अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल
एन-चॅनल सुधारणा
कॉमन मोड रिजेक्शन रेशो (सीएमआरआर)
चालू
पी-चॅनल सुधारणा
प्रतिकार
प्रवर्धन घटक/नफा
बायसिंग
लहान सिग्नल विश्लेषण
विद्युतदाब
✖
बल्क फर्मी पोटेंशियल हे एक पॅरामीटर आहे जे सेमीकंडक्टर सामग्रीच्या मोठ्या प्रमाणात (इंटिरिअर) इलेक्ट्रोस्टॅटिक संभाव्यतेचे वर्णन करते.
ⓘ
बल्क फर्मी पोटेंशियल [Φ
f
]
अबव्होल्ट
अॅटोव्होल्ट
सेंटीव्होल्ट
डेसिव्होल्ट
डेकाव्होल्ट
इएमयु विद्युत क्षमता
इएसयु विद्युत क्षमता
फेमतोव्होल्ट
गिगावोल्ट
हेक्टोव्होल्ट
किलोवोल्ट
मेगाव्होल्ट
मायक्रोव्होल्ट
मिलिव्होल्ट
नॅनोव्होल्ट
पेटाव्होल्ट
पिकोव्होल्ट
प्लांक व्होल्टेज
स्टेटव्होल्ट
टेराव्होल्ट
व्होल्ट
वॅट / अँपियर
योक्टोव्होल्ट
झेप्टोव्होल्ट
+10%
-10%
✖
डोपिंग कॉन्सन्ट्रेशन ऑफ ॲसेप्टर म्हणजे सेमीकंडक्टर मटेरियलमध्ये जाणूनबुजून जोडलेल्या स्वीकर अणूंच्या एकाग्रतेचा संदर्भ देते.
ⓘ
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता [N
A
]
इलेक्ट्रॉन्स प्रति क्यूबिक अँग्स्ट्रॉम
इलेक्ट्रॉन्स प्रति क्यूबिक अॅटोमीटर
इलेक्ट्रॉन्स प्रति घन सेंटीमीटर
इलेक्ट्रॉन्स प्रति क्यूबिक फेमटोमीटर
इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर
इलेक्ट्रॉन्स प्रति घन मायक्रोमीटर
इलेक्ट्रॉन्स प्रति घन मिलिमीटर
इलेक्ट्रॉन्स प्रति घन नॅनोमीटर
इलेक्ट्रॉन्स प्रति घन पिकोमीटर
+10%
-10%
✖
कमाल क्षीणता खोली विशिष्ट ऑपरेटिंग परिस्थितीत उपकरणाच्या सेमीकंडक्टर सामग्रीमध्ये कमी होण्याच्या क्षेत्राचा विस्तार करते त्या कमाल मर्यादेचा संदर्भ देते.
ⓘ
कमाल क्षीणता खोली [x
dm
]
ऍलन
अँगस्ट्रॉम
अरपेन्ट
खगोलीय एकक
अॅटोमीटर
लांबीचे AU
बारलीकॉर्न
अब्ज प्रकाश वर्ष
बोहर त्रिज्या
केबल (आंतरराष्ट्रीय)
केबल (यूके)
केबल (US)
कॅलिबर
सेंटीमीटर
चैन
कबिट (ग्रीक)
क्यूबिट (लांब)
क्युबीट (UK)
डेकामीटर
डेसिमीटर
चंद्रापासून पृथ्वीचे अंतर
सूर्यापासून पृथ्वीचे अंतर
पृथ्वी विषुववृत्तीय त्रिज्या
पृथ्वी ध्रुवीय त्रिज्या
इलेक्ट्रॉन त्रिज्या (शास्त्रीय)
एल
परिक्षा
फॅमन
फॅदम
फेंटोमीटर
फर्मी
फिंगर (क्लोथ )
फिन्गरब्रेडथ
फूट
फूट (US सर्वेक्षण)
फर्लांग
गिगामीटर
हॅन्ड
हॅन्डब्रेअड्थ
हेक्टोमीटर
इंच
केन
किलोमीटर
किलोपारसेक
किलोयार्ड
लीग
लीग (कायदा)
प्रकाश वर्ष
लिंक
मेगामीटर
मेगापार्सेक
मीटर
मायक्रोइंच
मायक्रोमीटर
मायक्रो
मील
माईल
माइल (रोमन)
माईल (US सर्वेक्षण)
मिलिमीटर
दशलक्ष प्रकाश वर्ष
नेल (क्लोथ )
नॅनोमीटर
नॉटिकल लीग (इंट)
नॉटिकल लीग यूके
नाविक माईल (आंतरराष्ट्रीय)
नाविक माईल (UK)
पार्सेक
पर्च
पेटामीटर
पिका
पिकोमीटर
प्लांक लांबी
पॉइंट
पोल
क्वार्टर
रीड
रीड (लांब)
रॉड
रोमन अक्टस
रोप
रशियन अर्चिन
स्पॅन (क्लोथ )
सूर्य त्रिज्या
टेरामीटर
ट्विप
वेरा कॅस्टिल्लाना
वेरा कॉनूएरा
वेरा दे तारिआ
यार्ड
योक्टोमीटर
योग
झेपटोमीटर
झेटाचा व्यास
⎘ कॉपी
पायर्या
👎
सुत्र
✖
कमाल क्षीणता खोली
सुत्र
`"x"_{"dm"} = sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*"modulus"(2*"Φ"_{"f"}))/("[Charge-e]"*"N"_{"A"}))`
उदाहरण
`"7.4E^6m"=sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*"modulus"(2*"0.25V"))/("[Charge-e]"*"1.32electrons/cm³"))`
कॅल्क्युलेटर
LaTeX
रीसेट करा
👍
डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF
कमाल क्षीणता खोली उपाय
चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
कमाल क्षीणता खोली
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
बल्क फर्मी पोटेंशियल
))/(
[Charge-e]
*
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता
))
x
dm
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Φ
f
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
हे सूत्र
2
स्थिर
,
2
कार्ये
,
3
व्हेरिएबल्स
वापरते
सतत वापरलेले
[Permitivity-silicon]
- सिलिकॉनची परवानगी मूल्य घेतले म्हणून 11.7
[Charge-e]
- इलेक्ट्रॉनचा चार्ज मूल्य घेतले म्हणून 1.60217662E-19
कार्ये वापरली
sqrt
- स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते., sqrt(Number)
modulus
- जेव्हा ती संख्या दुसऱ्या संख्येने भागली जाते तेव्हा संख्येचे मापांक उरते., modulus
व्हेरिएबल्स वापरलेले
कमाल क्षीणता खोली
-
(मध्ये मोजली मीटर)
- कमाल क्षीणता खोली विशिष्ट ऑपरेटिंग परिस्थितीत उपकरणाच्या सेमीकंडक्टर सामग्रीमध्ये कमी होण्याच्या क्षेत्राचा विस्तार करते त्या कमाल मर्यादेचा संदर्भ देते.
बल्क फर्मी पोटेंशियल
-
(मध्ये मोजली व्होल्ट)
- बल्क फर्मी पोटेंशियल हे एक पॅरामीटर आहे जे सेमीकंडक्टर सामग्रीच्या मोठ्या प्रमाणात (इंटिरिअर) इलेक्ट्रोस्टॅटिक संभाव्यतेचे वर्णन करते.
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता
-
(मध्ये मोजली इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर)
- डोपिंग कॉन्सन्ट्रेशन ऑफ ॲसेप्टर म्हणजे सेमीकंडक्टर मटेरियलमध्ये जाणूनबुजून जोडलेल्या स्वीकर अणूंच्या एकाग्रतेचा संदर्भ देते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
बल्क फर्मी पोटेंशियल:
0.25 व्होल्ट --> 0.25 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता:
1.32 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घन सेंटीमीटर --> 1320000 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर
(रूपांतरण तपासा
येथे
)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
x
dm
= sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Φ
f
))/([Charge-e]*N
A
)) -->
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*0.25))/(
[Charge-e]
*1320000))
मूल्यांकन करत आहे ... ...
x
dm
= 7437907.45302539
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
7437907.45302539 मीटर --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
7437907.45302539
≈
7.4E+6 मीटर
<--
कमाल क्षीणता खोली
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)
आपण येथे आहात
-
होम
»
अभियांत्रिकी
»
इलेक्ट्रॉनिक्स
»
MOSFET
»
अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स
»
एमओएस ट्रान्झिस्टर
»
कमाल क्षीणता खोली
जमा
ने निर्मित
बानुप्रकाश
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय
(DSCE)
,
बंगलोर
बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
द्वारे सत्यापित
दिपांजोना मल्लिक
हेरिटेज इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी
(HITK)
,
कोलकाता
दिपांजोना मल्लिक यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।
<
21 एमओएस ट्रान्झिस्टर कॅल्क्युलेटर
साइडवॉल व्होल्टेज समतुल्यता घटक
जा
साइडवॉल व्होल्टेज समतुल्यता घटक
= -(2*
sqrt
(
साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले
)/(
अंतिम व्होल्टेज
-
प्रारंभिक व्होल्टेज
)*(
sqrt
(
साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले
-
अंतिम व्होल्टेज
)-
sqrt
(
साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले
-
प्रारंभिक व्होल्टेज
)))
रेखीय प्रदेशात प्रवाह खाली खेचा
जा
रेखीय प्रदेश प्रवाह खाली खेचा
=
sum
(x,0,
समांतर ड्रायव्हर ट्रान्झिस्टरची संख्या
,(
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता
*
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
/2)*(
चॅनेल रुंदी
/
चॅनेलची लांबी
)*(2*(
गेट स्त्रोत व्होल्टेज
-
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
)*
आउटपुट व्होल्टेज
-
आउटपुट व्होल्टेज
^2))
संपृक्तता क्षेत्रामध्ये प्रवाह खाली खेचा
जा
संपृक्तता प्रदेश प्रवाह खाली खेचा
=
sum
(x,0,
समांतर ड्रायव्हर ट्रान्झिस्टरची संख्या
,(
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता
*
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
/2)*(
चॅनेल रुंदी
/
चॅनेलची लांबी
)*(
गेट स्त्रोत व्होल्टेज
-
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
)^2)
दिलेल्या उदाहरणावर नोड व्होल्टेज
जा
दिलेल्या उदाहरणावर नोड व्होल्टेज
= (
ट्रान्सकंडक्टन्स फॅक्टर
/
नोड कॅपेसिटन्स
)*
int
(
exp
(-(1/(
नोड प्रतिकार
*
नोड कॅपेसिटन्स
))*(
कालावधी
-x))*
नोड मध्ये प्रवाह प्रवाह
*x,x,0,
कालावधी
)
संपृक्तता वेळ
जा
संपृक्तता वेळ
= -2*
लोड कॅपेसिटन्स
/(
ट्रान्सकंडक्टन्स प्रोसेस पॅरामीटर
*(
उच्च आउटपुट व्होल्टेज
-
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
)^2)*
int
(1,x,
उच्च आउटपुट व्होल्टेज
,
उच्च आउटपुट व्होल्टेज
-
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
)
एमओएस ट्रान्झिस्टरद्वारे प्रवाही प्रवाह काढून टाका
जा
ड्रेन करंट
= (
चॅनेल रुंदी
/
चॅनेलची लांबी
)*
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता
*
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
*
int
((
गेट स्त्रोत व्होल्टेज
-x-
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
),x,0,
ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज
)
NMOS रेखीय प्रदेशात कार्यरत असताना वेळ विलंब
जा
वेळ विलंब मध्ये रेखीय प्रदेश
= -2*
जंक्शन कॅपेसिटन्स
*
int
(1/(
ट्रान्सकंडक्टन्स प्रोसेस पॅरामीटर
*(2*(
इनपुट व्होल्टेज
-
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
)*x-x^2)),x,
प्रारंभिक व्होल्टेज
,
अंतिम व्होल्टेज
)
क्षीणता क्षेत्र शुल्क घनता
जा
डिप्लेशन लेयर चार्जची घनता
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता
*
modulus
(
पृष्ठभाग संभाव्य
-
बल्क फर्मी पोटेंशियल
)))
नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली
जा
नाल्याच्या क्षीणतेच्या प्रदेशाची खोली
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले
+
ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज
))/(
[Charge-e]
*
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता
))
एमओएस ट्रान्झिस्टरमध्ये संतृप्ति प्रदेशातील प्रवाह प्रवाह
जा
संपृक्तता प्रदेश निचरा वर्तमान
=
चॅनेल रुंदी
*
संपृक्तता इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग
*
int
(
चार्ज करा
*
लहान चॅनेल पॅरामीटर
,x,0,
प्रभावी चॅनेलची लांबी
)
समतुल्य मोठ्या सिग्नल कॅपेसिटन्स
जा
समतुल्य मोठे सिग्नल कॅपेसिटन्स
= (1/(
अंतिम व्होल्टेज
-
प्रारंभिक व्होल्टेज
))*
int
(
जंक्शन कॅपेसिटन्स
*x,x,
प्रारंभिक व्होल्टेज
,
अंतिम व्होल्टेज
)
क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल
जा
व्होल्टेजमध्ये बिल्ट
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता
*
modulus
(-2*
बल्क फर्मी पोटेंशियल
)))
कमाल क्षीणता खोली
जा
कमाल क्षीणता खोली
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
बल्क फर्मी पोटेंशियल
))/(
[Charge-e]
*
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता
))
पी प्रकारासाठी फर्मी पोटेंशियल
जा
पी प्रकारासाठी फर्मी पोटेंशियल
= (
[BoltZ]
*
परिपूर्ण तापमान
)/
[Charge-e]
*
ln
(
आंतरिक वाहक एकाग्रता
/
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता
)
स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली
जा
स्त्रोताची खोली कमी होण्याच्या प्रदेशाची
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले
)/(
[Charge-e]
*
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता
))
एन प्रकारासाठी फर्मी संभाव्य
जा
एन प्रकारासाठी फर्मी पोटेंशियल
= (
[BoltZ]
*
परिपूर्ण तापमान
)/
[Charge-e]
*
ln
(
दाता डोपंट एकाग्रता
/
आंतरिक वाहक एकाग्रता
)
सब्सट्रेट बायस गुणांक
जा
सब्सट्रेट बायस गुणांक
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता
)/
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
वेळेच्या कालावधीत सरासरी उर्जा नष्ट झाली
जा
सरासरी शक्ती
= (1/
एकूण घेतलेला वेळ
)*
int
(
विद्युतदाब
*
चालू
,x,0,
एकूण घेतलेला वेळ
)
समतुल्य मोठे सिग्नल जंक्शन कॅपेसिटन्स
जा
समतुल्य मोठे सिग्नल जंक्शन कॅपेसिटन्स
=
साइडवॉलची परिमिती
*
साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स
*
साइडवॉल व्होल्टेज समतुल्यता घटक
MOSFET मध्ये कार्य कार्य
जा
कार्य कार्य
=
व्हॅक्यूम पातळी
+(
कंडक्शन बँड एनर्जी लेव्हल
-
फर्मी लेव्हल
)
शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स प्रति युनिट लांबी
जा
साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स
=
शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन संभाव्य
*
साइडवॉलची खोली
कमाल क्षीणता खोली सुत्र
कमाल क्षीणता खोली
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
बल्क फर्मी पोटेंशियल
))/(
[Charge-e]
*
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता
))
x
dm
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Φ
f
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
होम
फुकट पीडीएफ
🔍
शोधा
श्रेण्या
शेयर
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!