NMOS चे ऑक्साइड कॅपेसिटन्स उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स = (3.45*10^(-11))/ऑक्साईड जाडी
Cox = (3.45*10^(-11))/tox
हे सूत्र 2 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो एमओएस उपकरणांच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करतो, जसे की एकात्मिक सर्किट्सचा वेग आणि वीज वापर.
ऑक्साईड जाडी - (मध्ये मोजली मीटर) - ऑक्साईडची जाडी म्हणजे ऑक्साईड सामग्रीच्या पातळ थराची जाडी, जी सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर तयार होते, विशेषत: सिलिकॉन सारखी अर्धसंवाहक सामग्री.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
ऑक्साईड जाडी: 17 मायक्रोमीटर --> 1.7E-05 मीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Cox = (3.45*10^(-11))/tox --> (3.45*10^(-11))/1.7E-05
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Cox = 2.02941176470588E-06
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
2.02941176470588E-06 फॅरड -->2.02941176470588 मायक्रोफरॅड (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
2.02941176470588 2.029412 मायक्रोफरॅड <-- ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

एन चॅनेल वर्धित कॅल्क्युलेटर

एनएमओएसच्या ट्रायोड प्रदेशातील ड्रेन-स्रोत सध्या प्रवेश करत आहे
​ LaTeX ​ जा NMOS मधील प्रवाह = NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*((गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज-1/2*(ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)^2)
NMOS च्या वर्तमान एंटरिंग ड्रेन टर्मिनलला गेट सोर्स व्होल्टेज दिलेला आहे
​ LaTeX ​ जा NMOS मधील प्रवाह = NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*((गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज-1/2*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज^2)
रेखीय प्रतिकार म्हणून NMOS
​ LaTeX ​ जा रेखीय प्रतिकार = चॅनेलची लांबी/(चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेलची रुंदी*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))
एनएमओएस ट्रान्झिस्टरमधील चॅनेलचा इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग
​ LaTeX ​ जा इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*चॅनेलच्या लांबीवर इलेक्ट्रिक फील्ड

NMOS चे ऑक्साइड कॅपेसिटन्स सुत्र

​LaTeX ​जा
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स = (3.45*10^(-11))/ऑक्साईड जाडी
Cox = (3.45*10^(-11))/tox

ऑक्साईड कॅपेसिटन्स म्हणजे काय?

हे सिलिकॉन डायऑक्साइडच्या ई परवानग्याचे प्रमाण आहे जे 3.45 × 10 आहे

समांतर-प्लेट कॅपेसिटर बनविणार्‍या एमओएसएफईटीच्या चॅनेल प्रदेशाची संपूर्ण प्रक्रिया स्पष्ट करा.

मॉसफेटचा गेट आणि चॅनेल प्रदेश एक समांतर-प्लेट कॅपेसिटर बनवितो, ज्यामध्ये ऑक्साइड लेयर कपॅसिटर डायलेक्ट्रिक म्हणून काम करते. सकारात्मक गेट व्होल्टेजमुळे कॅपेसिटरच्या शीर्ष प्लेटवर (गेट इलेक्ट्रोड) सकारात्मक शुल्क जमा होते. तळाशी प्लेटवर संबंधित नकारात्मक शुल्क प्रेरित वाहिनीमधील इलेक्ट्रॉनद्वारे तयार केले जाते. अशा प्रकारे विद्युत क्षेत्र अनुलंब दिशेने विकसित होते. हे हे क्षेत्र आहे जे चॅनेलमधील शुल्काचे प्रमाण नियंत्रित करते आणि यामुळे ते चॅनेलची चालकता निश्चित करते आणि यामधून विद्युतवाहिनी लागू होते तेव्हा वाहिनीमधून वाहते जाणारे प्रवाह चालू होते.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!