MOSFET चा शॉर्ट सर्किट करंट उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
आउटपुट वर्तमान = Transconductance*गेट-स्रोत व्होल्टेज
Iout = gm*Vgs
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
आउटपुट वर्तमान - (मध्ये मोजली अँपिअर) - आउटपुट करंट हा विद्युत प्रवाह आहे जो डिव्हाइस आउटपुट टर्मिनलमधून वाहतो. हे वेळेच्या प्रति युनिट आउटपुटमधून जाणारे विद्युत शुल्क आहे.
Transconductance - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.
गेट-स्रोत व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - गेट-स्रोत व्होल्टेज हे एक गंभीर पॅरामीटर आहे जे FET च्या ऑपरेशनवर परिणाम करते आणि ते सहसा डिव्हाइसचे वर्तन नियंत्रित करण्यासाठी वापरले जाते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
Transconductance: 0.5 मिलिसीमेन्स --> 0.0005 सीमेन्स (रूपांतरण तपासा ​येथे)
गेट-स्रोत व्होल्टेज: 4 व्होल्ट --> 4 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Iout = gm*Vgs --> 0.0005*4
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Iout = 0.002
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.002 अँपिअर --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
0.002 अँपिअर <-- आउटपुट वर्तमान
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित अंशिका आर्य
राष्ट्रीय तंत्रज्ञान संस्था (एनआयटी), हमीरपूर
अंशिका आर्य यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 2500+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

12 चालू कॅल्क्युलेटर

मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा दुसरा ड्रेन करंट
​ जा निचरा प्रवाह 2 = डीसी बायस वर्तमान/2-डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-(विभेदक इनपुट सिग्नल)^2/(4*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज^2))
मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट
​ जा ड्रेन करंट १ = डीसी बायस वर्तमान/2+डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-विभेदक इनपुट सिग्नल^2/(4*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज^2))
MOSFET चा ड्रेन सॅचुरेशन करंट
​ जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(प्रभावी व्होल्टेज)^2
MOSFET च्या चॅनेल-लांबी मॉड्युलेशनशिवाय प्रवाह काढून टाका
​ जा ड्रेन करंट = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स*प्रसर गुणोत्तर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2
झटपट निचरा करंट
​ जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(गेट ते सोर्स व्होल्टेजचा DC घटक-एकूण व्होल्टेज+गंभीर व्होल्टेज)^2
ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा दुसरा ड्रेन करंट
​ जा निचरा प्रवाह 2 = डीसी बायस वर्तमान/2-डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2
ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा पहिला ड्रेन करंट
​ जा ड्रेन करंट १ = डीसी बायस वर्तमान/2+डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2
ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या मोठ्या-सिग्नल ऑपरेशनवर MOSFET चा प्रवाह काढून टाका
​ जा ड्रेन करंट = (डीसी बायस वर्तमान/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज)*(विभेदक इनपुट सिग्नल/2)
Vgs च्या DC घटकाच्या संदर्भात तात्काळ ड्रेन करंट
​ जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*((गंभीर व्होल्टेज-एकूण व्होल्टेज)^2)
MOSFET च्या कॉमन-मोड नकारात वर्तमान
​ जा एकूण वर्तमान = वाढीव सिग्नल/((1/Transconductance)+(2*आउटपुट प्रतिकार))
लोड लाईनमध्ये ड्रेन करंट
​ जा ड्रेन करंट = (पुरवठा व्होल्टेज-ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)/लोड प्रतिकार
MOSFET चा शॉर्ट सर्किट करंट
​ जा आउटपुट वर्तमान = Transconductance*गेट-स्रोत व्होल्टेज

MOSFET चा शॉर्ट सर्किट करंट सुत्र

आउटपुट वर्तमान = Transconductance*गेट-स्रोत व्होल्टेज
Iout = gm*Vgs

शॉर्ट सर्किटपासून आपण एखाद्या एमओएसएफईटीचे संरक्षण कसे कराल?

अंतर्गत प्रतिकार ओलांडून व्होल्टेज एक साधा कंपॅरेटर किंवा अगदी ट्रान्झिस्टरचा वापर केला जाऊ शकतो, जो सुमारे 0.5 व्हीच्या व्होल्टेजवर स्विच करतो. अशा प्रकारे आपण सेन्स रेसिस्टर (शंट) वापरणे टाळू शकता जे सहसा अवांछित अतिरिक्त व्होल्टेज ड्रॉप तयार करते. तुलना करणार्‍याचे परीक्षण मायक्रोकंट्रोलरद्वारे केले जाऊ शकते.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!