OFF ट्रान्झिस्टरद्वारे सबथ्रेशोल्ड लीकेज कॅल्क्युलेटर

✖CMOS स्टॅटिक पॉवरची व्याख्या CMOS उपकरणांमध्ये अत्यंत कमी स्टॅटिक पॉवर वापरामुळे गळती करंट म्हणून केली जाते.ⓘ CMOS स्टॅटिक पॉवर [P_st]			+10% -10%
✖ट्रान्झिस्टर बायसिंगमध्ये बेस कलेक्टर व्होल्टेज हे एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे. हे ट्रान्झिस्टरच्या सक्रिय स्थितीत असताना बेस आणि कलेक्टर टर्मिनल्समधील व्होल्टेजच्या फरकाचा संदर्भ देते.ⓘ बेस कलेक्टर व्होल्टेज [V_bc]			+10% -10%
✖गेट करंटची व्याख्या जेव्हा गेट आणि स्त्रोत टर्मिनल्समध्ये व्होल्टेज नसते, गळती करंट वगळता नाल्यात कोणताही प्रवाह येत नाही, कारण खूप जास्त ड्रेन-स्रोत प्रतिबाधा असते.ⓘ गेट करंट [i_g]			+10% -10%
✖कंटेंशन करंट हे गुणोत्तर सर्किट्समध्ये उद्भवणारे कंटेंशन करंट म्हणून परिभाषित केले जाते.ⓘ वाद चालू [i_con]			+10% -10%
✖जंक्शन करंट म्हणजे स्त्रोत/ड्रेन डिफ्यूजनमधून जंक्शन लीकेज.ⓘ जंक्शन चालू [i_j]			+10% -10%

✖सबथ्रेशोल्ड करंट म्हणजे OFF ट्रान्झिस्टरद्वारे सबथ्रेशोल्ड गळती.ⓘ OFF ट्रान्झिस्टरद्वारे सबथ्रेशोल्ड लीकेज [i_st]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

OFF ट्रान्झिस्टरद्वारे सबथ्रेशोल्ड लीकेज

सुत्र

`"i"_{"st"} = ("P"_{"st"}/"V"_{"bc"})-("i"_{"g"}+"i"_{"con"}+"i"_{"j"})`

उदाहरण

`"1.601485mA"=("67.37mW"/"2.02V")-("4.5mA"+"25.75mA"+"1.5mA")`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा CMOS पॉवर मेट्रिक्स सूत्रे PDF PDF Image

OFF ट्रान्झिस्टरद्वारे सबथ्रेशोल्ड लीकेज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

सबथ्रेशोल्ड वर्तमान = (CMOS स्टॅटिक पॉवर/बेस कलेक्टर व्होल्टेज)-(गेट करंट+वाद चालू+जंक्शन चालू)
i_st = (P_st/V_bc)-(i_g+i_con+i_j)
हे सूत्र 6 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

सबथ्रेशोल्ड वर्तमान - (मध्ये मोजली अँपिअर) - सबथ्रेशोल्ड करंट म्हणजे OFF ट्रान्झिस्टरद्वारे सबथ्रेशोल्ड गळती.
CMOS स्टॅटिक पॉवर - (मध्ये मोजली वॅट) - CMOS स्टॅटिक पॉवरची व्याख्या CMOS उपकरणांमध्ये अत्यंत कमी स्टॅटिक पॉवर वापरामुळे गळती करंट म्हणून केली जाते.
बेस कलेक्टर व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ट्रान्झिस्टर बायसिंगमध्ये बेस कलेक्टर व्होल्टेज हे एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे. हे ट्रान्झिस्टरच्या सक्रिय स्थितीत असताना बेस आणि कलेक्टर टर्मिनल्समधील व्होल्टेजच्या फरकाचा संदर्भ देते.
गेट करंट - (मध्ये मोजली अँपिअर) - गेट करंटची व्याख्या जेव्हा गेट आणि स्त्रोत टर्मिनल्समध्ये व्होल्टेज नसते, गळती करंट वगळता नाल्यात कोणताही प्रवाह येत नाही, कारण खूप जास्त ड्रेन-स्रोत प्रतिबाधा असते.
वाद चालू - (मध्ये मोजली अँपिअर) - कंटेंशन करंट हे गुणोत्तर सर्किट्समध्ये उद्भवणारे कंटेंशन करंट म्हणून परिभाषित केले जाते.
जंक्शन चालू - (मध्ये मोजली अँपिअर) - जंक्शन करंट म्हणजे स्त्रोत/ड्रेन डिफ्यूजनमधून जंक्शन लीकेज.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

CMOS स्टॅटिक पॉवर: 67.37 मिलीवॅट --> 0.06737 वॅट (रूपांतरण तपासा येथे)
बेस कलेक्टर व्होल्टेज: 2.02 व्होल्ट --> 2.02 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
गेट करंट: 4.5 मिलीअँपिअर --> 0.0045 अँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)
वाद चालू: 25.75 मिलीअँपिअर --> 0.02575 अँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)
जंक्शन चालू: 1.5 मिलीअँपिअर --> 0.0015 अँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

i_st = (P_st/V_bc)-(i_g+i_con+i_j) --> (0.06737/2.02)-(0.0045+0.02575+0.0015)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

i_st = 0.00160148514851485

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.00160148514851485 अँपिअर -->1.60148514851485 मिलीअँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

1.60148514851485 ≈ 1.601485 मिलीअँपिअर <-- सबथ्रेशोल्ड वर्तमान

(गणना 00.020 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -