एमओएस ट्रान्झिस्टरचे ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = ड्रेन करंट/((ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)*गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज)
Kn = id/((Vox-Vt)*Vgs)
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर - (मध्ये मोजली अँपिअर प्रति स्क्वेअर व्होल्ट) - ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर हे प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर आणि ट्रान्झिस्टर आस्पेक्ट रेशो (W/L) चे उत्पादन आहे.
ड्रेन करंट - (मध्ये मोजली अँपिअर) - थ्रेशोल्ड व्होल्टेजच्या खाली असलेल्या ड्रेन करंटची व्याख्या सबथ्रेशोल्ड करंट म्हणून केली जाते आणि गेट टू सोर्स व्होल्टेजसह वेगाने बदलते.
ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ऑक्साईडमधील व्होल्टेज हे ऑक्साईड-सेमीकंडक्टर इंटरफेसवरील चार्जमुळे होते आणि तिसरे टर्म ऑक्साईडमधील चार्ज घनतेमुळे होते.
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ट्रान्झिस्टरचे थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हे स्त्रोत व्होल्टेजचे किमान गेट आहे जे स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्स दरम्यान एक प्रवाहकीय मार्ग तयार करण्यासाठी आवश्यक आहे.
गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - गेट आणि सोर्स मधील व्होल्टेज म्हणजे ट्रांझिस्टरच्या गेट-स्रोत टर्मिनलवर पडणारा व्होल्टेज.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
ड्रेन करंट: 17.5 मिलीअँपिअर --> 0.0175 अँपिअर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज: 3.775 व्होल्ट --> 3.775 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: 2 व्होल्ट --> 2 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज: 3.34 व्होल्ट --> 3.34 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Kn = id/((Vox-Vt)*Vgs) --> 0.0175/((3.775-2)*3.34)
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Kn = 0.00295184279328667
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.00295184279328667 अँपिअर प्रति स्क्वेअर व्होल्ट -->2.95184279328667 मिलीअँपिअर प्रति स्क्वेअर व्होल्ट (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
2.95184279328667 2.951843 मिलीअँपिअर प्रति स्क्वेअर व्होल्ट <-- ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

18 ट्रान्झिस्टर अॅम्प्लीफायर वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

ऑक्साइड व्होल्टेज दिलेल्या ट्रान्झिस्टरमध्ये प्रेरित चॅनेलमधून प्रवाह
​ जा आउटपुट वर्तमान = (इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी)*(ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))*ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान संपृक्तता व्होल्टेज
MOSFET Transconductance चे एकूण प्रभावी व्होल्टेज
​ जा प्रभावी व्होल्टेज = sqrt(2*संपृक्तता निचरा वर्तमान/(प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी)))
एमओएस ट्रान्झिस्टरचे ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर
​ जा ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = ड्रेन करंट/((ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)*गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज)
ड्रेन आणि स्त्रोत यांच्यातील व्होल्टेज वापरून तात्काळ ड्रेन करंट
​ जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)*गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज
संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल
​ जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी)*(प्रभावी व्होल्टेज)^2
इनपुट व्होल्टेज दिलेला सिग्नल व्होल्टेज
​ जा मूलभूत घटक व्होल्टेज = (मर्यादित इनपुट प्रतिकार/(मर्यादित इनपुट प्रतिकार+सिग्नल प्रतिकार))*लहान सिग्नल व्होल्टेज
ट्रान्झिस्टर एम्पलीफायर्सचे ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा MOSFET प्राथमिक ट्रान्सकंडक्टन्स = (2*ड्रेन करंट)/(ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
ट्रान्झिस्टरचा प्रवाह काढून टाका
​ जा ड्रेन करंट = (मूलभूत घटक व्होल्टेज+एकूण तात्काळ ड्रेन व्होल्टेज)/निचरा प्रतिकार
ट्रान्झिस्टरमध्ये इनपुट व्होल्टेज
​ जा मूलभूत घटक व्होल्टेज = निचरा प्रतिकार*ड्रेन करंट-एकूण तात्काळ ड्रेन व्होल्टेज
एकूण तात्काळ ड्रेन व्होल्टेज
​ जा एकूण तात्काळ ड्रेन व्होल्टेज = मूलभूत घटक व्होल्टेज-निचरा प्रतिकार*ड्रेन करंट
ट्रान्झिस्टर अॅम्प्लिफायरचे कलेक्टर करंट वापरून ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा MOSFET प्राथमिक ट्रान्सकंडक्टन्स = जिल्हाधिकारी वर्तमान/थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
दिलेला इनपुट सिग्नल एमिटरमध्ये सिग्नल करंट
​ जा एमिटरमध्ये सिग्नल करंट = मूलभूत घटक व्होल्टेज/उत्सर्जक प्रतिकार
टेस्ट-व्होल्टेज दिलेल्या कॉमन गेट सर्किटचा आउटपुट रेझिस्टन्स
​ जा मर्यादित आउटपुट प्रतिकार = चाचणी व्होल्टेज/चाचणी वर्तमान
ट्रान्झिस्टर अॅम्प्लीफायरचे अॅम्प्लीफायर इनपुट
​ जा अॅम्प्लीफायर इनपुट = इनपुट प्रतिकार*इनपुट वर्तमान
अॅम्प्लीफायरचा DC वर्तमान लाभ
​ जा डीसी वर्तमान लाभ = जिल्हाधिकारी वर्तमान/बेस करंट
कॉमन-कलेक्टर अॅम्प्लीफायरचा इनपुट रेझिस्टन्स
​ जा इनपुट प्रतिकार = मूलभूत घटक व्होल्टेज/बेस करंट
ट्रान्झिस्टर अॅम्प्लीफायरची चाचणी करंट
​ जा चाचणी वर्तमान = चाचणी व्होल्टेज/इनपुट प्रतिकार
कॉमन-गेट सर्किटचे इनपुट प्रतिरोध
​ जा इनपुट प्रतिकार = चाचणी व्होल्टेज/चाचणी वर्तमान

एमओएस ट्रान्झिस्टरचे ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर सुत्र

ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = ड्रेन करंट/((ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)*गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज)
Kn = id/((Vox-Vt)*Vgs)

आपण transconductance कसे वाढवू?

एफईटीसाठी गुणवत्तेची एक सामान्य व्यक्ती म्हणजे ट्रान्सकंडक्टन्स, आणि हेवी डोपिंगद्वारे चॅनेल प्रतिरोध कमी करून ते वाढवता येते. परंतु ही रणनीती आयनीकृत अशुद्धतेद्वारे वाहक विखुरल्यामुळे इलेक्ट्रॉन गतिशीलता खराब करते.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!