Stroom die de afvoerbron binnenkomt bij de grens van verzadiging en het triodegebied van NMOS Rekenmachine

✖De Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.ⓘ Procestransconductantieparameter in NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖De breedte van het kanaal verwijst naar de hoeveelheid bandbreedte die beschikbaar is voor het verzenden van gegevens binnen een communicatiekanaal.ⓘ Breedte van kanaal [W_c]			+10% -10%
✖De lengte van het kanaal kan worden gedefinieerd als de afstand tussen het begin- en eindpunt en kan sterk variëren, afhankelijk van het doel en de locatie.ⓘ Lengte van het kanaal [L]			+10% -10%
✖Drain Source Voltage is een elektrische term die wordt gebruikt in de elektronica en in het bijzonder in veldeffecttransistors. Het verwijst naar het spanningsverschil tussen de aansluitklemmen Drain en Source van de FET.ⓘ Bronspanning afvoeren [V_ds]			+10% -10%

✖Afvoerstroom in NMOS is de elektrische stroom die van de afvoer naar de bron van een veldeffecttransistor (FET) of een metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistor (MOSFET) vloeit.ⓘ Stroom die de afvoerbron binnenkomt bij de grens van verzadiging en het triodegebied van NMOS [I_d]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Stroom die de afvoerbron binnenkomt bij de grens van verzadiging en het triodegebied van NMOS

Formule

`"I"_{"d"} = 1/2*"k'"_{"n"}*"W"_{"c"}/"L"*("V"_{"ds"})^2`

Voorbeeld

`"236.883mA"=1/2*"2mS"*"10μm"/"3μm"*("8.43V")^2`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Stroom die de afvoerbron binnenkomt bij de grens van verzadiging en het triodegebied van NMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Bronspanning afvoeren)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Afvoerstroom in NMOS - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom in NMOS is de elektrische stroom die van de afvoer naar de bron van een veldeffecttransistor (FET) of een metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistor (MOSFET) vloeit.
Procestransconductantieparameter in NMOS - (Gemeten in Siemens) - De Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.
Breedte van kanaal - (Gemeten in Meter) - De breedte van het kanaal verwijst naar de hoeveelheid bandbreedte die beschikbaar is voor het verzenden van gegevens binnen een communicatiekanaal.
Lengte van het kanaal - (Gemeten in Meter) - De lengte van het kanaal kan worden gedefinieerd als de afstand tussen het begin- en eindpunt en kan sterk variëren, afhankelijk van het doel en de locatie.
Bronspanning afvoeren - (Gemeten in Volt) - Drain Source Voltage is een elektrische term die wordt gebruikt in de elektronica en in het bijzonder in veldeffecttransistors. Het verwijst naar het spanningsverschil tussen de aansluitklemmen Drain en Source van de FET.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Procestransconductantieparameter in NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Bekijk de conversie hier)
Breedte van kanaal: 10 Micrometer --> 1E-05 Meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van het kanaal: 3 Micrometer --> 3E-06 Meter (Bekijk de conversie hier)
Bronspanning afvoeren: 8.43 Volt --> 8.43 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.43)^2

Evalueren ... ...

I_d = 0.236883

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.236883 Ampère -->236.883 milliampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

236.883 milliampère <-- Afvoerstroom in NMOS

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » N-Channel-verbetering » Stroom die de afvoerbron binnenkomt bij de grens van verzadiging en het triodegebied van NMOS

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 17 N-Channel-verbetering Rekenmachines

Huidige binnenkomende afvoerbron in triodegebied van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*(Bronspanning afvoeren)^2)

Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning

Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*Bronspanning afvoeren^2)

Lichaamseffect in NMOS

Gaan Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))

Huidige invoer van afvoeraansluiting van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*Bronspanning afvoeren*(Overdrive-spanning in NMOS-1/2*Bronspanning afvoeren)

NMOS als lineaire weerstand

Gaan Lineaire weerstand = Lengte van het kanaal/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxide capaciteit*Breedte van kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning))

Afvoerstroom wanneer NMOS werkt als spanningsgestuurde stroombron

Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2

Huidige binnenkomende afvoerbron in verzadigingsgebied van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2

Fabricageprocesparameter van NMOS

Gaan Fabricageprocesparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dopingconcentratie van P-substraat*[Permitivity-vacuum])/Oxide capaciteit

Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Overdrive-spanning in NMOS)^2

Stroom die de afvoerbron binnenkomt bij de grens van verzadiging en het triodegebied van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Bronspanning afvoeren)^2

Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor

Gaan Electron Drift Snelheid = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Elektrisch veld over de lengte van het kanaal

Totaal geleverd vermogen in NMOS

Gaan Voeding geleverd = Voedingsspanning*(Afvoerstroom in NMOS+Huidig)

Afvoerstroom gegeven NMOS Werkt als spanningsgestuurde stroombron

Gaan Transconductantieparameter = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding

Uitgangsweerstand van stroombron NMOS gegeven afvoerstroom

Gaan Uitgangsweerstand = Apparaatparameter/Afvoerstroom zonder kanaallengtemodulatie

Totaal gedissipeerd vermogen in NMOS

Gaan Vermogen gedissipeerd = Afvoerstroom in NMOS^2*AAN Kanaalweerstand

Positieve spanning gegeven kanaallengte in NMOS

Gaan Spanning = Apparaatparameter*Lengte van het kanaal

Oxidecapaciteit van NMOS

Gaan Oxide capaciteit = (3.45*10^(-11))/Oxide Dikte

Stroom die de afvoerbron binnenkomt bij de grens van verzadiging en het triodegebied van NMOS Formule

Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Bronspanning afvoeren)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2

Wat is NMOS?

NMOS (MOSFET) is een soort MOSFET. Een NMOS-transistor bestaat uit een n-type source en drain en een p-type substraat. Wanneer een spanning op de poort wordt toegepast, worden gaten in het lichaam (p-type substraat) weggedreven van de poort. Dit maakt de vorming mogelijk van een n-type kanaal tussen de source en de drain, en een stroom wordt geleid van elektronen van de source naar de drain via een geïnduceerd n-type kanaal. Logische poorten en andere digitale apparaten die zijn geïmplementeerd met behulp van NMOS's, zouden NMOS-logica hebben. Er zijn drie bedieningsmodi in een NMOS genaamd cut-off, triode en saturation. NMOS-logica is eenvoudig te ontwerpen en te vervaardigen. Circuits met logische NMOS-poorten verbruiken echter statisch vermogen wanneer het circuit inactief is, aangezien gelijkstroom door de logische poort vloeit wanneer de uitvoer laag is.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!