✖Parametr transkonduktancji procesu w NMOS (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.ⓘ Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS [k'n] | | | +10% -10% |
✖Szerokość kanału odnosi się do wielkości pasma dostępnego do przesyłania danych w kanale komunikacyjnym.ⓘ Szerokość kanału [Wc] | | | +10% -10% |
✖Długość kanału można zdefiniować jako odległość między jego punktem początkowym a końcowym i może się znacznie różnić w zależności od jego przeznaczenia i lokalizacji.ⓘ Długość kanału [L] | | | +10% -10% |
✖Napięcie źródła drenu to termin elektryczny używany w elektronice, a zwłaszcza w tranzystorach polowych. Odnosi się do różnicy napięcia między zaciskami drenu i źródła FET.ⓘ Napięcie źródła drenażu [Vds] | | | +10% -10% |