Strom, der in die Drain-Source an der Sättigungsgrenze und im Triodenbereich des NMOS eintritt Taschenrechner

✖Der Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.ⓘ Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten [k'_n]			+10% -10%
✖Die Kanalbreite bezieht sich auf die Bandbreite, die für die Übertragung von Daten innerhalb eines Kommunikationskanals zur Verfügung steht.ⓘ Breite des Kanals [W_c]			+10% -10%
✖Die Länge des Kanals kann als Abstand zwischen seinem Anfangs- und seinem Endpunkt definiert werden und kann je nach Zweck und Standort stark variieren.ⓘ Länge des Kanals [L]			+10% -10%
✖Drain-Source-Spannung ist ein elektrischer Begriff, der in der Elektronik und insbesondere bei Feldeffekttransistoren verwendet wird. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen des FET.ⓘ Drain-Quellenspannung [V_ds]			+10% -10%

✖Der Drain-Strom im NMOS ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.ⓘ Strom, der in die Drain-Source an der Sättigungsgrenze und im Triodenbereich des NMOS eintritt [I_d]

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Formel

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Strom, der in die Drain-Source an der Sättigungsgrenze und im Triodenbereich des NMOS eintritt

Formel

`"I"_{"d"} = 1/2*"k'"_{"n"}*"W"_{"c"}/"L"*("V"_{"ds"})^2`

Beispiel

`"236.883mA"=1/2*"2mS"*"10μm"/"3μm"*("8.43V")^2`

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Strom, der in die Drain-Source an der Sättigungsgrenze und im Triodenbereich des NMOS eintritt Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Drain-Quellenspannung)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Drainstrom im NMOS - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom im NMOS ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.
Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten - (Gemessen in Siemens) - Der Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Breite des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite bezieht sich auf die Bandbreite, die für die Übertragung von Daten innerhalb eines Kommunikationskanals zur Verfügung steht.
Länge des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Länge des Kanals kann als Abstand zwischen seinem Anfangs- und seinem Endpunkt definiert werden und kann je nach Zweck und Standort stark variieren.
Drain-Quellenspannung - (Gemessen in Volt) - Drain-Source-Spannung ist ein elektrischer Begriff, der in der Elektronik und insbesondere bei Feldeffekttransistoren verwendet wird. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen des FET.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Breite des Kanals: 10 Mikrometer --> 1E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Länge des Kanals: 3 Mikrometer --> 3E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Drain-Quellenspannung: 8.43 Volt --> 8.43 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.43)^2

Auswerten ... ...

I_d = 0.236883

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.236883 Ampere -->236.883 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

236.883 Milliampere <-- Drainstrom im NMOS

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*(Drain-Quellenspannung)^2)

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*Drain-Quellenspannung^2)

Körpereffekt in NMOS

Gehen Änderung der Schwellenspannung = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter))

Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*Drain-Quellenspannung*(Übersteuerungsspannung im NMOS-1/2*Drain-Quellenspannung)

NMOS als linearer Widerstand

Gehen Linearer Widerstand = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))

Drainstrom, wenn NMOS als spannungsgesteuerte Stromquelle arbeitet

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Stromeintritt in Drain-Source im Sättigungsbereich von NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Herstellungsprozessparameter von NMOS

Gehen Herstellungsprozessparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dotierungskonzentration des P-Substrats*[Permitivity-vacuum])/Oxidkapazität

Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Übersteuerungsspannung im NMOS)^2

Strom, der in die Drain-Source an der Sättigungsgrenze und im Triodenbereich des NMOS eintritt

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Drain-Quellenspannung)^2

Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor

Gehen Elektronendriftgeschwindigkeit = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Elektrisches Feld über die Länge des Kanals

Gelieferte Gesamtleistung in NMOS

Gehen Stromversorgung = Versorgungsspannung*(Drainstrom im NMOS+Aktuell)

Drain-Strom gegeben NMOS arbeitet als spannungsgesteuerte Stromquelle

Gehen Transkonduktanzparameter = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis

Ausgangswiderstand der Stromquelle NMOS bei gegebenem Drain-Strom

Gehen Ausgangswiderstand = Geräteparameter/Drainstrom ohne Kanallängenmodulation

Gesamte Verlustleistung in NMOS

Gehen Verlustleistung = Drainstrom im NMOS^2*ON-Kanalwiderstand

Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS

Gehen Stromspannung = Geräteparameter*Länge des Kanals

Oxidkapazität von NMOS

Gehen Oxidkapazität = (3.45*10^(-11))/Oxiddicke

Strom, der in die Drain-Source an der Sättigungsgrenze und im Triodenbereich des NMOS eintritt Formel

Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Drain-Quellenspannung)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2

Was ist NMOS?

NMOS (MOSFET) ist eine Art MOSFET. Ein NMOS-Transistor besteht aus einer Source und Drain vom n-Typ und einem Substrat vom p-Typ. Wenn eine Spannung an das Gate angelegt wird, werden Löcher im Körper (Substrat vom p-Typ) vom Gate weggetrieben. Dies ermöglicht die Bildung eines Kanals vom n-Typ zwischen der Source und dem Drain, und ein Strom wird von Elektronen von der Source zum Drain durch einen induzierten Kanal vom n-Typ geleitet. Logikgatter und andere digitale Geräte, die unter Verwendung von NMOS implementiert sind, sollen NMOS-Logik haben. In einem NMOS gibt es drei Betriebsmodi, die als Abschaltung, Triode und Sättigung bezeichnet werden. Die NMOS-Logik ist einfach zu entwerfen und herzustellen. Schaltungen mit NMOS-Logikgattern verbrauchen jedoch statische Energie, wenn die Schaltung im Leerlauf ist, da Gleichstrom durch das Logikgatter fließt, wenn der Ausgang niedrig ist.

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