Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS Calculadora

✖O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.ⓘ Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.ⓘ Largura do Canal [W_c]			+10% -10%
✖O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.ⓘ Comprimento do Canal [L]			+10% -10%
✖Drain Source Voltage é um termo elétrico usado em eletrônica e especificamente em transistores de efeito de campo. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais Drain e Source do FET.ⓘ Tensão da Fonte de Dreno [V_ds]			+10% -10%

✖A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).ⓘ Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS [I_d]

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Fórmula

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Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS

Fórmula

`"I"_{"d"} = 1/2*"k'"_{"n"}*"W"_{"c"}/"L"*("V"_{"ds"})^2`

Exemplo

`"236.883mA"=1/2*"2mS"*"10μm"/"3μm"*("8.43V")^2`

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Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da Fonte de Dreno)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Drenar corrente em NMOS - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Largura do Canal - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.
Comprimento do Canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.
Tensão da Fonte de Dreno - (Medido em Volt) - Drain Source Voltage é um termo elétrico usado em eletrônica e especificamente em transistores de efeito de campo. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais Drain e Source do FET.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Largura do Canal: 10 Micrômetro --> 1E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento do Canal: 3 Micrômetro --> 3E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Tensão da Fonte de Dreno: 8.43 Volt --> 8.43 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.43)^2

Avaliando ... ...

I_d = 0.236883

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.236883 Ampere -->236.883 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

236.883 Miliamperes <-- Drenar corrente em NMOS

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 17 Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)

Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*Tensão da Fonte de Dreno*(Tensão Overdrive em NMOS-1/2*Tensão da Fonte de Dreno)

Efeito Corporal em NMOS

Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))

NMOS como resistência linear

Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))

Drenar corrente quando o NMOS opera como fonte de corrente controlada por tensão

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2

Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS

Vai Parâmetro do Processo de Fabricação = sqrt(2*[Charge-e]*Concentração de Dopagem do Substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitância de Óxido

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão Overdrive em NMOS)^2

Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da Fonte de Dreno)^2

Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Potência total fornecida em NMOS

Vai Fonte de alimentação = Tensão de alimentação*(Drenar corrente em NMOS+Atual)

Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno

Vai Resistência de saída = Parâmetro do dispositivo/Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal

Corrente de dreno dada NMOS Opera como fonte de corrente controlada por tensão

Vai Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela

Potência total dissipada em NMOS

Vai Poder Dissipado = Drenar corrente em NMOS^2*Resistência do Canal LIGADO

Tensão positiva dada comprimento do canal em NMOS

Vai Tensão = Parâmetro do dispositivo*Comprimento do Canal

Capacitância de óxido de NMOS

Vai Capacitância de Óxido = (3.45*10^(-11))/Espessura De Óxido

Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS Fórmula

Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da Fonte de Dreno)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2

O que é NMOS?

NMOS (MOSFET) é um tipo de MOSFET. Um transistor NMOS consiste em uma fonte e dreno do tipo n e um substrato do tipo p. Quando uma voltagem é aplicada ao portão, orifícios no corpo (substrato tipo p) são afastados do portão. Isso permite a formação de um canal do tipo n entre a fonte e o dreno, e uma corrente é conduzida dos elétrons da fonte para o dreno através de um canal do tipo n induzido. Diz-se que portas lógicas e outros dispositivos digitais implementados usando NMOSs têm lógica NMOS. Existem três modos de operação em um NMOS, chamados de corte, triodo e saturação. A lógica NMOS é fácil de projetar e fabricar. Os circuitos com portas lógicas NMOS, entretanto, consomem energia estática quando o circuito está ocioso, pois a corrente CC flui pela porta lógica quando a saída é baixa.

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