Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor Rekenmachine

✖Kanaalbreedte vertegenwoordigt de breedte van het geleidende kanaal binnen een MOSFET, wat rechtstreeks van invloed is op de hoeveelheid stroom die het kan verwerken.ⓘ Kanaalbreedte [W]			+10% -10%
✖Verzadiging Elektronendriftsnelheid vertegenwoordigt de elektronendriftsnelheid bij verzadiging in een MOSFET met lage elektrische velden.ⓘ Verzadiging Elektronendriftsnelheid [V_d(sat)]			+10% -10%
✖Een lading is de fundamentele eigenschap van vormen van materie die elektrostatische aantrekking of afstoting vertonen in de aanwezigheid van andere materie.ⓘ Aanval [q]			+10% -10%
✖Short Channel Parameter is een parameter (mogelijk modelspecifiek) die wordt gebruikt om een kenmerk van het kanaalgebied in een kortkanaal-MOSFET te beschrijven.ⓘ Korte kanaalparameter [n_x]			+10% -10%
✖Effectieve kanaallengte is het gedeelte van het kanaal dat actief stroom geleidt wanneer de transistor in werking is.ⓘ Effectieve kanaallengte [L_eff]			+10% -10%

✖Verzadigingsgebied-drainstroom is de stroom die van de drain-terminal naar de source-terminal vloeit wanneer de transistor in een specifieke modus werkt.ⓘ Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor [I_D(sat)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor

Formule

`"I"_{"D(sat)"} = "W"*"V"_{"d(sat)"}*int("q"*"n"_{"x"},x,0,"L"_{"eff"})`

Voorbeeld

`"184.2744A"="2.678m"*"5.773m/s"*int("0.3C"*"5.12",x,0,"7.76m")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verzadigingsgebied Afvoerstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*int(Aanval*Korte kanaalparameter,x,0,Effectieve kanaallengte)
I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 6 Variabelen

Functies die worden gebruikt

int - De definitieve integraal kan worden gebruikt om het netto ondertekende gebied te berekenen, dat wil zeggen het gebied boven de x-as minus het gebied onder de x-as., int(expr, arg, from, to)

Variabelen gebruikt

Verzadigingsgebied Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Verzadigingsgebied-drainstroom is de stroom die van de drain-terminal naar de source-terminal vloeit wanneer de transistor in een specifieke modus werkt.
Kanaalbreedte - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte vertegenwoordigt de breedte van het geleidende kanaal binnen een MOSFET, wat rechtstreeks van invloed is op de hoeveelheid stroom die het kan verwerken.
Verzadiging Elektronendriftsnelheid - (Gemeten in Meter per seconde) - Verzadiging Elektronendriftsnelheid vertegenwoordigt de elektronendriftsnelheid bij verzadiging in een MOSFET met lage elektrische velden.
Aanval - (Gemeten in Coulomb) - Een lading is de fundamentele eigenschap van vormen van materie die elektrostatische aantrekking of afstoting vertonen in de aanwezigheid van andere materie.
Korte kanaalparameter - Short Channel Parameter is een parameter (mogelijk modelspecifiek) die wordt gebruikt om een kenmerk van het kanaalgebied in een kortkanaal-MOSFET te beschrijven.
Effectieve kanaallengte - (Gemeten in Meter) - Effectieve kanaallengte is het gedeelte van het kanaal dat actief stroom geleidt wanneer de transistor in werking is.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Kanaalbreedte: 2.678 Meter --> 2.678 Meter Geen conversie vereist
Verzadiging Elektronendriftsnelheid: 5.773 Meter per seconde --> 5.773 Meter per seconde Geen conversie vereist
Aanval: 0.3 Coulomb --> 0.3 Coulomb Geen conversie vereist
Korte kanaalparameter: 5.12 --> Geen conversie vereist
Effectieve kanaallengte: 7.76 Meter --> 7.76 Meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff) --> 2.678*5.773*int(0.3*5.12,x,0,7.76)

Evalueren ... ...

I_D(sat) = 184.27442601984

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

184.27442601984 Ampère --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

184.27442601984 ≈ 184.2744 Ampère <-- Verzadigingsgebied Afvoerstroom

(Berekening voltooid in 00.008 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor

Credits

Gemaakt door Vignesh Naidu

Vellore Instituut voor Technologie (VIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 21 MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Trek de stroom in het lineaire gebied naar beneden

Gaan Lineaire regio pull-downstroom = sum(x,0,Aantal parallelle drivertransistors,(Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit/2)*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*(2*(Poortbronspanning-Drempelspanning)*Uitgangsspanning-Uitgangsspanning^2))

Knooppuntspanning bij gegeven instantie

Gaan Knooppuntspanning bij gegeven instantie = (Transconductantiefactor/Knooppuntcapaciteit)*int(exp(-(1/(Knooppunt weerstand*Knooppuntcapaciteit))*(Tijdsperiode-x))*Stroom stroomt naar knooppunt*x,x,0,Tijdsperiode)

Trek de stroom in het verzadigingsgebied naar beneden

Gaan Verzadigingsregio Pull-downstroom = sum(x,0,Aantal parallelle drivertransistors,(Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit/2)*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2)

Verzadigingstijd

Gaan Verzadigingstijd = -2*Belastingscapaciteit/(Transconductantieprocesparameter*(Hoge uitgangsspanning-Drempelspanning)^2)*int(1,x,Hoge uitgangsspanning,Hoge uitgangsspanning-Drempelspanning)

Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied

Gaan Dichtheid van de lading van de uitputtingslaag = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor*modulus(Oppervlaktepotentieel-Bulk Fermi-potentieel)))

Tijdvertraging wanneer NMOS in een lineair gebied werkt

Gaan Lineair gebied in tijdvertraging = -2*Verbindingscapaciteit*int(1/(Transconductantieprocesparameter*(2*(Ingangsspanning-Drempelspanning)*x-x^2)),x,Initiële spanning,Eindspanning)

Afvoerstroom die door de MOS-transistor vloeit

Gaan Afvoerstroom = (Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit*int((Poortbronspanning-x-Drempelspanning),x,0,Afvoerbronspanning)

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met afvoer

Gaan De diepte van het uitputtingsgebied van de drain = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Ingebouwd verbindingspotentieel+Afvoerbronspanning))/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))

Fermi-potentieel voor N-type

Gaan Fermi-potentieel voor N-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Concentratie van donordoteringsmiddelen/Intrinsieke dragerconcentratie)

Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor

Gaan Verzadigingsgebied Afvoerstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*int(Aanval*Korte kanaalparameter,x,0,Effectieve kanaallengte)

Fermi-potentieel voor P-type

Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Maximale uitputtingsdiepte

Gaan Maximale uitputtingsdiepte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk Fermi-potentieel))/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))

Equivalente grote signaalcapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalcapaciteit = (1/(Eindspanning-Initiële spanning))*int(Verbindingscapaciteit*x,x,Initiële spanning,Eindspanning)

Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio

Gaan Ingebouwde spanning = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor*modulus(-2*Bulk Fermi-potentieel)))

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron

Gaan Bron's diepte van de uitputtingsregio = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Ingebouwd verbindingspotentieel)/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))

Substraat bias-coëfficiënt

Gaan Substraat bias-coëfficiënt = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor)/Oxidecapaciteit

Gemiddeld vermogen dat in de loop van de tijd wordt gedissipeerd

Gaan Gemiddeld vermogen = (1/Totale tijd besteed)*int(Spanning*Huidig,x,0,Totale tijd genomen)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Werkfunctie in MOSFET

Gaan Werk functie = Vacuümniveau+(Energieniveau van de geleidingsband-Fermi-niveau)

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor Formule

Verzadigingsgebied Afvoerstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*int(Aanval*Korte kanaalparameter,x,0,Effectieve kanaallengte)
I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!