Courant de drain dans la région de saturation du transistor MOS Calculatrice

✖La largeur du canal représente la largeur du canal conducteur dans un MOSFET, affectant directement la quantité de courant qu'il peut gérer.ⓘ Largeur de canal [W]			+10% -10%
✖La vitesse de dérive des électrons à saturation représente la vitesse de dérive des électrons à saturation dans un MOSFET qui se trouve à de faibles champs électriques.ⓘ Vitesse de dérive des électrons de saturation [V_d(sat)]			+10% -10%
✖Une charge est la propriété fondamentale des formes de matière qui présentent une attraction ou une répulsion électrostatique en présence d'une autre matière.ⓘ Charge [q]			+10% -10%
✖Le paramètre de canal court est un paramètre (potentiellement spécifique au modèle) utilisé pour décrire une caractéristique de la région du canal dans un MOSFET à canal court.ⓘ Paramètre de canal court [n_x]			+10% -10%
✖La longueur effective du canal est la partie du canal qui conduit activement le courant lorsque le transistor fonctionne.ⓘ Longueur effective du canal [L_eff]			+10% -10%

✖Le courant de drain de la région de saturation est le courant circulant de la borne de drain à la borne source lorsque le transistor fonctionne dans un mode spécifique.ⓘ Courant de drain dans la région de saturation du transistor MOS [I_D(sat)]

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Courant de drain dans la région de saturation du transistor MOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de drainage de la région de saturation = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*int(Charge*Paramètre de canal court,x,0,Longueur effective du canal)
I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 6 Variables

Fonctions utilisées

int - L'intégrale définie peut être utilisée pour calculer l'aire nette signée, qui est l'aire au-dessus de l'axe des x moins l'aire en dessous de l'axe des x., int(expr, arg, from, to)

Variables utilisées

Courant de drainage de la région de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain de la région de saturation est le courant circulant de la borne de drain à la borne source lorsque le transistor fonctionne dans un mode spécifique.
Largeur de canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal représente la largeur du canal conducteur dans un MOSFET, affectant directement la quantité de courant qu'il peut gérer.
Vitesse de dérive des électrons de saturation - (Mesuré en Mètre par seconde) - La vitesse de dérive des électrons à saturation représente la vitesse de dérive des électrons à saturation dans un MOSFET qui se trouve à de faibles champs électriques.
Charge - (Mesuré en Coulomb) - Une charge est la propriété fondamentale des formes de matière qui présentent une attraction ou une répulsion électrostatique en présence d'une autre matière.
Paramètre de canal court - Le paramètre de canal court est un paramètre (potentiellement spécifique au modèle) utilisé pour décrire une caractéristique de la région du canal dans un MOSFET à canal court.
Longueur effective du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur effective du canal est la partie du canal qui conduit activement le courant lorsque le transistor fonctionne.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Largeur de canal: 2.678 Mètre --> 2.678 Mètre Aucune conversion requise
Vitesse de dérive des électrons de saturation: 5.773 Mètre par seconde --> 5.773 Mètre par seconde Aucune conversion requise
Charge: 0.3 Coulomb --> 0.3 Coulomb Aucune conversion requise
Paramètre de canal court: 5.12 --> Aucune conversion requise
Longueur effective du canal: 7.76 Mètre --> 7.76 Mètre Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff) --> 2.678*5.773*int(0.3*5.12,x,0,7.76)

Évaluer ... ...

I_D(sat) = 184.27442601984

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

184.27442601984 Ampère --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

184.27442601984 ≈ 184.2744 Ampère <-- Courant de drainage de la région de saturation

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Vignesh Naidu

Institut de technologie de Vellore (VIT), Vellore,Tamil Nadu

Vignesh Naidu a créé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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