Effectieve capaciteit in CMOS Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van CMOS-circuits

Array Datapath-subsysteem

CMOS-omvormers

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖Een duty-cycle of power-cycle is het gedeelte van één periode waarin een signaal of systeem actief is.ⓘ Arbeidscyclus [D]			+10% -10%
✖Uit De stroom van een schakelaar is in de realiteit een niet-bestaande waarde. Echte schakelaars hebben normaal gesproken een zeer kleine uitschakelstroom, ook wel lekstroom genoemd.ⓘ Uit huidige [i_off]			+10% -10%
✖Basiscollectorspanning is een cruciale parameter bij de transistorvoorspanning. Het verwijst naar het spanningsverschil tussen de basis- en collectoraansluitingen van de transistor wanneer deze zich in zijn actieve toestand bevindt.ⓘ Basiscollectorspanning [V_bc]			+10% -10%
✖Poorten op het kritieke pad worden gedefinieerd als het totale aantal logische poorten dat vereist is gedurende één cyclustijd in CMOS.ⓘ Poorten op kritiek pad [N_g]			+10% -10%

✖Effectieve capaciteit in CMOS wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de hoeveelheid elektrische lading die op een geleider is opgeslagen en een verschil in elektrisch potentiaal.ⓘ Effectieve capaciteit in CMOS [C_eff]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Effectieve capaciteit in CMOS

Formule

`"C"_{"eff"} = "D"*("i"_{"off"}*(10^("V"_{"bc"})))/("N"_{"g"}*"[BoltZ]"*"V"_{"bc"})`

Voorbeeld

`"5.137895μF"="1.3E^-25"*("0.01mA"*(10^("2.02V")))/("0.95"*"[BoltZ]"*"2.02V")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van CMOS-circuits Formules Pdf PDF Image

Effectieve capaciteit in CMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)
C_eff = D*(i_off*(10^(V_bc)))/(N_g*[BoltZ]*V_bc)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 5 Variabelen

Gebruikte constanten

[BoltZ] - Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23

Variabelen gebruikt

Effectieve capaciteit in CMOS - (Gemeten in Farad) - Effectieve capaciteit in CMOS wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de hoeveelheid elektrische lading die op een geleider is opgeslagen en een verschil in elektrisch potentiaal.
Arbeidscyclus - Een duty-cycle of power-cycle is het gedeelte van één periode waarin een signaal of systeem actief is.
Uit huidige - (Gemeten in Ampère) - Uit De stroom van een schakelaar is in de realiteit een niet-bestaande waarde. Echte schakelaars hebben normaal gesproken een zeer kleine uitschakelstroom, ook wel lekstroom genoemd.
Basiscollectorspanning - (Gemeten in Volt) - Basiscollectorspanning is een cruciale parameter bij de transistorvoorspanning. Het verwijst naar het spanningsverschil tussen de basis- en collectoraansluitingen van de transistor wanneer deze zich in zijn actieve toestand bevindt.
Poorten op kritiek pad - Poorten op het kritieke pad worden gedefinieerd als het totale aantal logische poorten dat vereist is gedurende één cyclustijd in CMOS.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Arbeidscyclus: 1.3E-25 --> Geen conversie vereist
Uit huidige: 0.01 milliampère --> 1E-05 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Basiscollectorspanning: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Geen conversie vereist
Poorten op kritiek pad: 0.95 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_eff = D*(i_off*(10^(V_bc)))/(N_g*[BoltZ]*V_bc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02)

Evalueren ... ...

C_eff = 5.13789525162511E-06

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

5.13789525162511E-06 Farad -->5.13789525162511 Microfarad (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

5.13789525162511 ≈ 5.137895 Microfarad <-- Effectieve capaciteit in CMOS

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » Kenmerken van CMOS-circuits » Effectieve capaciteit in CMOS

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 15 Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

Effectieve capaciteit in CMOS

Gaan Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)

Permittiviteit van oxidelaag

Gaan Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)

Dikte van de oxidelaag

Gaan Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit

Breedte van poort:

Gaan Poortbreedte = Ingangspoortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Lengte van de poort)

Kritisch elektrisch veld

Gaan Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen

Zijwand Omtrek van bronverspreiding

Gaan Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)

Breedte uitputtingsgebied

Gaan Breedte uitputtingsregio = PN-verbindingslengte-Effectieve kanaallengte

Effectieve kanaallengte

Gaan Effectieve kanaallengte = PN-verbindingslengte-Breedte uitputtingsregio

PN-verbindingslengte

Gaan PN-verbindingslengte = Breedte uitputtingsregio+Effectieve kanaallengte

Overgangsbreedte van CMOS

Gaan Overgangsbreedte = MOS-poortoverlappingscapaciteit/MOS-poortcapaciteit

Spanning bij minimale EDP

Gaan Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)

CMOS kritische spanning

Gaan Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad

CMOS betekent vrij pad

Gaan Bedoel vrij pad = Kritische spanning in CMOS/Kritisch elektrisch veld

Breedte van bronverspreiding

Gaan Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron

Gebied van bronverspreiding

Gaan Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte

Effectieve capaciteit in CMOS Formule

Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)
C_eff = D*(i_off*(10^(V_bc)))/(N_g*[BoltZ]*V_bc)

Wat is subdrempelgeleiding?

Subdrempelgeleiding of subdrempelwaarde lekkage of subdrempelwaarde afvoerstroom is de stroom tussen de source en drain van een MOSFET wanneer de transistor zich in het subdrempelgebied of zwak-inversiegebied bevindt, dat wil zeggen voor gate-to-source spanningen onder de drempelspanning.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!