Breedte van bronverspreiding Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron
W = As/Ds
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Overgangsbreedte - (Gemeten in Meter) - Overgangsbreedte wordt gedefinieerd als de toename in breedte wanneer de drain-naar-source-spanning toeneemt, waardoor het triodegebied overgaat naar het verzadigingsgebied.
Gebied van bronverspreiding - (Gemeten in Plein Meter) - Gebied van brondiffusie wordt gedefinieerd als de netto beweging van alles van een gebied met een hogere concentratie naar een gebied met een lagere concentratie in de bronpoort.
Lengte van de bron - (Gemeten in Meter) - De lengte van de bron wordt gedefinieerd als de totale lengte die wordt waargenomen bij de bronverbinding van de MOSFET.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Gebied van bronverspreiding: 5479 Plein Millimeter --> 0.005479 Plein Meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van de bron: 61 Millimeter --> 0.061 Meter (Bekijk de conversie hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
W = As/Ds --> 0.005479/0.061
Evalueren ... ...
W = 0.0898196721311476
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.0898196721311476 Meter -->89.8196721311476 Millimeter (Bekijk de conversie hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
89.8196721311476 89.81967 Millimeter <-- Overgangsbreedte
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

15 Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

Effectieve capaciteit in CMOS
Gaan Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)
Permittiviteit van oxidelaag
Gaan Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)
Dikte van de oxidelaag
Gaan Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit
Breedte van poort:
Gaan Poortbreedte = Ingangspoortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Lengte van de poort)
Zijwand Omtrek van bronverspreiding
Gaan Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)
Kritisch elektrisch veld
Gaan Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen
Breedte uitputtingsgebied
Gaan Breedte uitputtingsregio = PN-verbindingslengte-Effectieve kanaallengte
Effectieve kanaallengte
Gaan Effectieve kanaallengte = PN-verbindingslengte-Breedte uitputtingsregio
CMOS betekent vrij pad
Gaan Bedoel vrij pad = Kritische spanning in CMOS/Kritisch elektrisch veld
PN-verbindingslengte
Gaan PN-verbindingslengte = Breedte uitputtingsregio+Effectieve kanaallengte
Overgangsbreedte van CMOS
Gaan Overgangsbreedte = MOS-poortoverlappingscapaciteit/MOS-poortcapaciteit
Spanning bij minimale EDP
Gaan Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)
CMOS kritische spanning
Gaan Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad
Breedte van bronverspreiding
Gaan Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron
Gebied van bronverspreiding
Gaan Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte

Breedte van bronverspreiding Formule

Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron
W = As/Ds

Wat zijn de toepassingen van Brondiffusie?

Brondiffusie is een cruciaal proces in de CMOS-technologie, met talloze toepassingen. Het wordt gebruikt om de afmetingen van transistors te verkleinen, de prestaties van opeenvolgende circuits te verbeteren en de algehele snelheid van de chips te verhogen. Bovendien vergemakkelijkt brondiffusie de integratie van meerdere transistors op één enkele chip, waardoor de fabricage van complexe geïntegreerde schakelingen met hoge dichtheid mogelijk wordt.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!