CMOS kritische spanning Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van CMOS-circuits

Array Datapath-subsysteem

CMOS-omvormers

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖Kritisch elektrisch veld wordt gedefinieerd als de elektrische kracht per ladingseenheid.ⓘ Kritisch elektrisch veld [E_c]			+10% -10%
✖Mean Free Path wordt gedefinieerd als de gemiddelde afstand die een bewegend deeltje aflegt tussen opeenvolgende botsingen, waardoor de richting, energie of andere deeltjeseigenschappen worden gewijzigd.ⓘ Bedoel vrij pad [L]			+10% -10%

✖Kritieke spanning in CMOS is de minimale fase ten opzichte van de neutrale spanning die gloeit en langs de hele lijngeleider verschijnt.ⓘ CMOS kritische spanning [V_c]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

CMOS kritische spanning

Formule

`"V"_{"c"} = "E"_{"c"}*"L"`

Voorbeeld

`"2.79028V"="0.004V/mm"*"697.57mm"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van CMOS-circuits Formules Pdf PDF Image

CMOS kritische spanning Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad
V_c = E_c*L
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Kritische spanning in CMOS - (Gemeten in Volt) - Kritieke spanning in CMOS is de minimale fase ten opzichte van de neutrale spanning die gloeit en langs de hele lijngeleider verschijnt.
Kritisch elektrisch veld - (Gemeten in Volt per meter) - Kritisch elektrisch veld wordt gedefinieerd als de elektrische kracht per ladingseenheid.
Bedoel vrij pad - (Gemeten in Meter) - Mean Free Path wordt gedefinieerd als de gemiddelde afstand die een bewegend deeltje aflegt tussen opeenvolgende botsingen, waardoor de richting, energie of andere deeltjeseigenschappen worden gewijzigd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Kritisch elektrisch veld: 0.004 Volt per millimeter --> 4 Volt per meter (Bekijk de conversie hier)
Bedoel vrij pad: 697.57 Millimeter --> 0.69757 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_c = E_c*L --> 4*0.69757

Evalueren ... ...

V_c = 2.79028

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.79028 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.79028 Volt <-- Kritische spanning in CMOS

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » Kenmerken van CMOS-circuits » CMOS kritische spanning

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 15 Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

Effectieve capaciteit in CMOS

Gaan Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)

Permittiviteit van oxidelaag

Gaan Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)

Dikte van de oxidelaag

Gaan Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit

Breedte van poort:

Gaan Poortbreedte = Ingangspoortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Lengte van de poort)

Kritisch elektrisch veld

Gaan Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen

Zijwand Omtrek van bronverspreiding

Gaan Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)

Breedte uitputtingsgebied

Gaan Breedte uitputtingsregio = PN-verbindingslengte-Effectieve kanaallengte

Effectieve kanaallengte

Gaan Effectieve kanaallengte = PN-verbindingslengte-Breedte uitputtingsregio

PN-verbindingslengte

Gaan PN-verbindingslengte = Breedte uitputtingsregio+Effectieve kanaallengte

Overgangsbreedte van CMOS

Gaan Overgangsbreedte = MOS-poortoverlappingscapaciteit/MOS-poortcapaciteit

Spanning bij minimale EDP

Gaan Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)

CMOS kritische spanning

Gaan Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad

CMOS betekent vrij pad

Gaan Bedoel vrij pad = Kritische spanning in CMOS/Kritisch elektrisch veld

Breedte van bronverspreiding

Gaan Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron

Gebied van bronverspreiding

Gaan Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte

CMOS kritische spanning Formule

Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad
V_c = E_c*L

Wat is mobiliteitsdegradatie?

Een hoge spanning aan de gate van de transistor trekt de dragers naar de rand van het kanaal, waardoor botsingen met de oxide-interface ontstaan die de dragers vertragen. Dit wordt mobiliteitsdegradatie genoemd.

Wat is snelheidsverzadiging?

Dragers benaderen een maximale snelheid vsat wanneer hoge velden worden toegepast. Dit fenomeen wordt snelheidsverzadiging genoemd.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!