Effectieve capaciteit in CMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 5 Variabelen
Gebruikte constanten
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Waarde genomen als 1.38064852E-23
Variabelen gebruikt
Effectieve capaciteit in CMOS - (Gemeten in Farad) - Effectieve capaciteit in CMOS wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de hoeveelheid elektrische lading die op een geleider is opgeslagen en een verschil in elektrisch potentiaal.
Arbeidscyclus - Een duty-cycle of power-cycle is het gedeelte van één periode waarin een signaal of systeem actief is.
Uit huidige - (Gemeten in Ampère) - Uit De stroom van een schakelaar is in de realiteit een niet-bestaande waarde. Echte schakelaars hebben normaal gesproken een zeer kleine uitschakelstroom, ook wel lekstroom genoemd.
Basiscollectorspanning - (Gemeten in Volt) - Basiscollectorspanning is een cruciale parameter bij de transistorvoorspanning. Het verwijst naar het spanningsverschil tussen de basis- en collectoraansluitingen van de transistor wanneer deze zich in zijn actieve toestand bevindt.
Poorten op kritiek pad - Poorten op het kritieke pad worden gedefinieerd als het totale aantal logische poorten dat vereist is gedurende één cyclustijd in CMOS.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Arbeidscyclus: 1.3E-25 --> Geen conversie vereist
Uit huidige: 0.01 milliampère --> 1E-05 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Basiscollectorspanning: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Geen conversie vereist
Poorten op kritiek pad: 0.95 --> Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02)
Evalueren ... ...
Ceff = 5.13789525162511E-06
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
5.13789525162511E-06 Farad -->5.13789525162511 Microfarad (Bekijk de conversie hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
5.13789525162511 5.137895 Microfarad <-- Effectieve capaciteit in CMOS
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

15 Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

Effectieve capaciteit in CMOS
Gaan Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)
Permittiviteit van oxidelaag
Gaan Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)
Dikte van de oxidelaag
Gaan Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit
Breedte van poort:
Gaan Poortbreedte = Ingangspoortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Lengte van de poort)
Zijwand Omtrek van bronverspreiding
Gaan Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)
Kritisch elektrisch veld
Gaan Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen
Breedte uitputtingsgebied
Gaan Breedte uitputtingsregio = PN-verbindingslengte-Effectieve kanaallengte
Effectieve kanaallengte
Gaan Effectieve kanaallengte = PN-verbindingslengte-Breedte uitputtingsregio
CMOS betekent vrij pad
Gaan Bedoel vrij pad = Kritische spanning in CMOS/Kritisch elektrisch veld
PN-verbindingslengte
Gaan PN-verbindingslengte = Breedte uitputtingsregio+Effectieve kanaallengte
Overgangsbreedte van CMOS
Gaan Overgangsbreedte = MOS-poortoverlappingscapaciteit/MOS-poortcapaciteit
Spanning bij minimale EDP
Gaan Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)
CMOS kritische spanning
Gaan Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad
Breedte van bronverspreiding
Gaan Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron
Gebied van bronverspreiding
Gaan Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte

Effectieve capaciteit in CMOS Formule

Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)

Wat is subdrempelgeleiding?

Subdrempelgeleiding of subdrempelwaarde lekkage of subdrempelwaarde afvoerstroom is de stroom tussen de source en drain van een MOSFET wanneer de transistor zich in het subdrempelgebied of zwak-inversiegebied bevindt, dat wil zeggen voor gate-to-source spanningen onder de drempelspanning.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!