Effectieve toestandsdichtheid in geleidingsband Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Apparaten met optische componenten

Fotonica-apparaten

Lasers

✖Effectieve massa van elektronen is een concept dat in de vastestoffysica wordt gebruikt om het gedrag van elektronen in een kristalrooster of halfgeleidermateriaal te beschrijven.ⓘ Effectieve massa van elektronen [m_eff]			+10% -10%
✖Absolute temperatuur vertegenwoordigt de temperatuur van het systeem.ⓘ Absolute temperatuur [T]			+10% -10%

✖Effectieve toestandsdichtheid verwijst naar de dichtheid van beschikbare elektronentoestanden per volume-eenheid binnen de energiebandstructuur van een materiaal.ⓘ Effectieve toestandsdichtheid in geleidingsband [N_eff]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Effectieve toestandsdichtheid in geleidingsband

Formule

`"N"_{"eff"} = 2*(2*pi*"m"_{"eff"}*"[BoltZ]"*"T"/"[hP]"^2)^(3/2)`

Voorbeeld

`"3.9E^24"=2*(2*pi*"0.2e-30kg"*"[BoltZ]"*"393K"/"[hP]"^2)^(3/2)`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Apparaten met optische componenten Formules Pdf PDF Image

Effectieve toestandsdichtheid in geleidingsband Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Effectieve dichtheid van staten = 2*(2*pi*Effectieve massa van elektronen*[BoltZ]*Absolute temperatuur/[hP]^2)^(3/2)
N_eff = 2*(2*pi*m_eff*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2)
Deze formule gebruikt 3 Constanten, 3 Variabelen

Gebruikte constanten

[BoltZ] - Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23
[hP] - Planck-constante Waarde genomen als 6.626070040E-34
pi - De constante van Archimedes Waarde genomen als 3.14159265358979323846264338327950288

Variabelen gebruikt

Effectieve dichtheid van staten - Effectieve toestandsdichtheid verwijst naar de dichtheid van beschikbare elektronentoestanden per volume-eenheid binnen de energiebandstructuur van een materiaal.
Effectieve massa van elektronen - (Gemeten in Kilogram) - Effectieve massa van elektronen is een concept dat in de vastestoffysica wordt gebruikt om het gedrag van elektronen in een kristalrooster of halfgeleidermateriaal te beschrijven.
Absolute temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Absolute temperatuur vertegenwoordigt de temperatuur van het systeem.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Effectieve massa van elektronen: 2E-31 Kilogram --> 2E-31 Kilogram Geen conversie vereist
Absolute temperatuur: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

N_eff = 2*(2*pi*m_eff*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2) --> 2*(2*pi*2E-31*[BoltZ]*393/[hP]^2)^(3/2)

Evalueren ... ...

N_eff = 3.87070655661186E+24

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3.87070655661186E+24 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

3.87070655661186E+24 ≈ 3.9E+24 <-- Effectieve dichtheid van staten

(Berekening voltooid in 00.005 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Opto-elektronica-apparaten » Apparaten met optische componenten » Effectieve toestandsdichtheid in geleidingsband

Credits

Gemaakt door Priyanka G Chalikar

Het Nationaal Instituut voor Techniek (NIE), Mysuru

Priyanka G Chalikar heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 10+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 14 Apparaten met optische componenten Rekenmachines

PN-verbindingscapaciteit

Gaan Verbindingscapaciteit = PN-verbindingsgebied/2*sqrt((2*[Charge-e]*Relatieve permittiviteit*[Permitivity-silicon])/(Spanning over PN-verbinding-(Omgekeerde voorspanning))*((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Acceptorconcentratie+Donorconcentratie)))

Elektronenconcentratie onder onevenwichtige omstandigheden

Gaan Elektronenconcentratie = Intrinsieke elektronenconcentratie*exp((Quasi Fermi-niveau van elektronen-Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders)/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Diffusielengte van overgangsgebied

Gaan Verspreidingslengte van het overgangsgebied = Optische stroom/(Aanval*PN-verbindingsgebied*Optische generatiesnelheid)-(Overgangsbreedte+Lengte van P-zijverbinding)

Stroom door optisch gegenereerde draaggolf

Gaan Optische stroom = Aanval*PN-verbindingsgebied*Optische generatiesnelheid*(Overgangsbreedte+Verspreidingslengte van het overgangsgebied+Lengte van P-zijverbinding)

Piekvertraging

Gaan Piekvertraging = (2*pi)/Golflengte van licht*Lengte van vezels*Brekingsindex^3*Modulatie spanning

Maximale acceptatiehoek van samengestelde lens

Gaan Acceptatiehoek = asin(Brekingsindex van medium 1*Straal van lens*sqrt(Positieve constante))

Effectieve toestandsdichtheid in geleidingsband

Gaan Effectieve dichtheid van staten = 2*(2*pi*Effectieve massa van elektronen*[BoltZ]*Absolute temperatuur/[hP]^2)^(3/2)

Diffusiecoëfficiënt van elektron

Gaan Elektronendiffusiecoëfficiënt = Mobiliteit van elektronen*[BoltZ]*Absolute temperatuur/[Charge-e]

Diffractie met behulp van de Fresnel-Kirchoff-formule

Gaan Diffractiehoek = asin(1.22*Golflengte van zichtbaar licht/Diameter van diafragma)

Excitatie-energie

Gaan Excitatie-energie = 1.6*10^-19*13.6*(Effectieve massa van elektronen/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Randafstand gegeven tophoek

Gaan Randruimte = Golflengte van zichtbaar licht/(2*tan(Hoek van interferentie))

Brewsters hoek

Gaan Brewsters Hoek = arctan(Brekingsindex van medium 1/Brekingsindex)

Rotatiehoek van het polarisatievlak

Gaan Hoek van rotatie = 1.8*Magnetische fluxdichtheid*Lengte van gemiddeld

Apex-hoek

Gaan Tophoek = tan(Alfa)

Effectieve toestandsdichtheid in geleidingsband Formule

Effectieve dichtheid van staten = 2*(2*pi*Effectieve massa van elektronen*[BoltZ]*Absolute temperatuur/[hP]^2)^(3/2)
N_eff = 2*(2*pi*m_eff*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!