Calcolatrice da A a Z
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La massa effettiva dell'elettrone è un concetto utilizzato nella fisica dello stato solido per descrivere il comportamento degli elettroni in un reticolo cristallino o in un materiale semiconduttore.
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Massa effettiva dell'elettrone [m
eff
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Assarion (Biblical romano)
Unità di massa atomica
Attogramma
Avoirdupois dramma
Bekan (ebraico biblico)
carati
Centigrammo
Dalton
Decagrammo
Decigrammo
Denario (Biblical romano)
Didramma (biblico greco)
Dracma (biblico greco)
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esagramma
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Gigatonnellata
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Quintale (US)
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Chilogrammo
Chilogrammo-forza quadrato secondo per metro
chilogrammo
Kiloton (metrico)
Leptone (Biblical romano)
Messa di Deuterone
Massa della Terra
Messa di Neuton
Massa di Protone
Messa del Sole
Megagramma
Megatonnellata
Microgrammo
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Mina (ebraico biblico)
Mina (ebraico biblico)
Massa Muon
Nanogramma
Oncia
pennyweight
Petagram
picogrammo
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Libbra
Libbre (Troy o Farmacista)
libbra
libbra-forza quadrato secondo per piede
Quadrans (Biblical romano)
Quarto (UK)
Quarto (US)
Quintale (metrico)
Scrupolo (farmacia)
Shekel (ebraico biblico)
lumaca
Messa solare
Pietra (UK)
Pietra (US)
Talento (ebraico biblico)
Talent (ebraico biblico)
Teragramma
Tetradrachma (biblico greco)
Ton (Assay) (UK)
Ton (Assay) (US)
Tonnellata (lungo)
Ton (Metrico)
Tonnellata (breve)
Tonnellata
+10%
-10%
✖
La temperatura assoluta rappresenta la temperatura del sistema.
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Temperatura assoluta [T]
Centigrado
Delisle
Fahrenheit
Kelvin
Newton
Rankine
Reaumur
Romero
punto triplo dell'acqua
+10%
-10%
✖
La densità effettiva degli stati si riferisce alla densità degli stati elettronici disponibili per unità di volume all'interno della struttura a bande di energia di un materiale.
ⓘ
Densità effettiva degli stati in banda di conduzione [N
eff
]
⎘ Copia
Passi
👎
Formula
✖
Densità effettiva degli stati in banda di conduzione
Formula
`"N"_{"eff"} = 2*(2*pi*"m"_{"eff"}*"[BoltZ]"*"T"/"[hP]"^2)^(3/2)`
Esempio
`"3.9E^24"=2*(2*pi*"0.2e-30kg"*"[BoltZ]"*"393K"/"[hP]"^2)^(3/2)`
Calcolatrice
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Scaricamento Dispositivi con componenti ottici Formule PDF
Densità effettiva degli stati in banda di conduzione Soluzione
FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Densità effettiva degli Stati
= 2*(2*
pi
*
Massa effettiva dell'elettrone
*
[BoltZ]
*
Temperatura assoluta
/[hP]^2)^(3/2)
N
eff
= 2*(2*
pi
*
m
eff
*
[BoltZ]
*
T
/[hP]^2)^(3/2)
Questa formula utilizza
3
Costanti
,
3
Variabili
Costanti utilizzate
[BoltZ]
- Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23
[hP]
- Costante di Planck Valore preso come 6.626070040E-34
pi
- Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288
Variabili utilizzate
Densità effettiva degli Stati
- La densità effettiva degli stati si riferisce alla densità degli stati elettronici disponibili per unità di volume all'interno della struttura a bande di energia di un materiale.
Massa effettiva dell'elettrone
-
(Misurato in Chilogrammo)
- La massa effettiva dell'elettrone è un concetto utilizzato nella fisica dello stato solido per descrivere il comportamento degli elettroni in un reticolo cristallino o in un materiale semiconduttore.
Temperatura assoluta
-
(Misurato in Kelvin)
- La temperatura assoluta rappresenta la temperatura del sistema.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Massa effettiva dell'elettrone:
2E-31 Chilogrammo --> 2E-31 Chilogrammo Nessuna conversione richiesta
Temperatura assoluta:
393 Kelvin --> 393 Kelvin Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
N
eff
= 2*(2*pi*m
eff
*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2) -->
2*(2*
pi
*2E-31*
[BoltZ]
*393/[hP]^2)^(3/2)
Valutare ... ...
N
eff
= 3.87070655661186E+24
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
3.87070655661186E+24 --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
3.87070655661186E+24
≈
3.9E+24
<--
Densità effettiva degli Stati
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Densità effettiva degli stati in banda di conduzione
Titoli di coda
Creato da
Priyanka G. Chalikar
L'Istituto Nazionale di Ingegneria
(NIE)
,
Mysuru
Priyanka G. Chalikar ha creato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!
Verificato da
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
<
14 Dispositivi con componenti ottici Calcolatrici
Capacità di giunzione PN
Partire
Capacità di giunzione
=
Area di giunzione PN
/2*
sqrt
((2*
[Charge-e]
*
Permittività relativa
*
[Permitivity-silicon]
)/(
Tensione attraverso la giunzione PN
-(
Tensione di polarizzazione inversa
))*((
Concentrazione dell'accettore
*
Concentrazione dei donatori
)/(
Concentrazione dell'accettore
+
Concentrazione dei donatori
)))
Concentrazione di elettroni in condizioni sbilanciate
Partire
Concentrazione di elettroni
=
Concentrazione elettronica intrinseca
*
exp
((
Livello di elettroni quasi Fermi
-
Livello energetico intrinseco del semiconduttore
)/(
[BoltZ]
*
Temperatura assoluta
))
Lunghezza di diffusione della regione di transizione
Partire
Lunghezza di diffusione della regione di transizione
=
Corrente ottica
/(
Carica
*
Area di giunzione PN
*
Tasso di generazione ottica
)-(
Larghezza di transizione
+
Lunghezza della giunzione lato P
)
Corrente dovuta alla portante generata otticamente
Partire
Corrente ottica
=
Carica
*
Area di giunzione PN
*
Tasso di generazione ottica
*(
Larghezza di transizione
+
Lunghezza di diffusione della regione di transizione
+
Lunghezza della giunzione lato P
)
Picco di ritardo
Partire
Picco di ritardo
= (2*
pi
)/
Lunghezza d'onda della luce
*
Lunghezza della fibra
*
Indice di rifrazione
^3*
Tensione di modulazione
Angolo di accettazione massimo della lente composta
Partire
Angolo di accettazione
=
asin
(
Indice di rifrazione del mezzo 1
*
Raggio della lente
*
sqrt
(
Costante positiva
))
Densità effettiva degli stati in banda di conduzione
Partire
Densità effettiva degli Stati
= 2*(2*
pi
*
Massa effettiva dell'elettrone
*
[BoltZ]
*
Temperatura assoluta
/[hP]^2)^(3/2)
Coefficiente di diffusione dell'elettrone
Partire
Coefficiente di diffusione degli elettroni
=
Mobilità dell'elettrone
*
[BoltZ]
*
Temperatura assoluta
/
[Charge-e]
Diffrazione mediante la formula di Fresnel-Kirchoff
Partire
Angolo di diffrazione
=
asin
(1.22*
Lunghezza d'onda della luce visibile
/
Diametro dell'apertura
)
Spaziatura della frangia dato l'angolo dell'apice
Partire
Spazio marginale
=
Lunghezza d'onda della luce visibile
/(2*
tan
(
Angolo di interferenza
))
Angolo di Brewsters
Partire
L'angolo di Brewster
=
arctan
(
Indice di rifrazione del mezzo 1
/
Indice di rifrazione
)
Energia di eccitazione
Partire
Energia di eccitazione
= 1.6*10^-19*13.6*(
Massa effettiva dell'elettrone
/
[Mass-e]
)*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Angolo di rotazione del piano di polarizzazione
Partire
Angolo di rotazione
= 1.8*
Densità del flusso magnetico
*
Lunghezza del mezzo
Angolo dell'apice
Partire
Angolo dell'apice
=
tan
(
Alfa
)
Densità effettiva degli stati in banda di conduzione Formula
Densità effettiva degli Stati
= 2*(2*
pi
*
Massa effettiva dell'elettrone
*
[BoltZ]
*
Temperatura assoluta
/[hP]^2)^(3/2)
N
eff
= 2*(2*
pi
*
m
eff
*
[BoltZ]
*
T
/[hP]^2)^(3/2)
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