Эффективная плотность состояний в зоне проводимости Калькулятор

✖Эффективная масса электрона — это концепция, используемая в физике твердого тела для описания поведения электронов в кристаллической решетке или полупроводниковом материале.ⓘ Эффективная масса электрона [m_eff]			+10% -10%
✖Абсолютная температура представляет температуру системы.ⓘ Абсолютная температура [T]			+10% -10%

✖Эффективная плотность состояний относится к плотности доступных электронных состояний на единицу объема внутри зонной структуры материала.ⓘ Эффективная плотность состояний в зоне проводимости [N_eff]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Эффективная плотность состояний в зоне проводимости

Формула

`"N"_{"eff"} = 2*(2*pi*"m"_{"eff"}*"[BoltZ]"*"T"/"[hP]"^2)^(3/2)`

Пример

`"3.9E^24"=2*(2*pi*"0.2e-30kg"*"[BoltZ]"*"393K"/"[hP]"^2)^(3/2)`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Устройства с оптическими компонентами Формулы PDF PDF Image

Эффективная плотность состояний в зоне проводимости Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Эффективная плотность состояний = 2*(2*pi*Эффективная масса электрона*[BoltZ]*Абсолютная температура/[hP]^2)^(3/2)
N_eff = 2*(2*pi*m_eff*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2)
В этой формуле используются 3 Константы, 3 Переменные

Используемые константы

[BoltZ] - постоянная Больцмана Значение, принятое как 1.38064852E-23
[hP] - Постоянная Планка Значение, принятое как 6.626070040E-34
pi - постоянная Архимеда Значение, принятое как 3.14159265358979323846264338327950288

Используемые переменные

Эффективная плотность состояний - Эффективная плотность состояний относится к плотности доступных электронных состояний на единицу объема внутри зонной структуры материала.
Эффективная масса электрона - (Измеряется в Килограмм) - Эффективная масса электрона — это концепция, используемая в физике твердого тела для описания поведения электронов в кристаллической решетке или полупроводниковом материале.
Абсолютная температура - (Измеряется в Кельвин) - Абсолютная температура представляет температуру системы.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Эффективная масса электрона: 2E-31 Килограмм --> 2E-31 Килограмм Конверсия не требуется
Абсолютная температура: 393 Кельвин --> 393 Кельвин Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

N_eff = 2*(2*pi*m_eff*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2) --> 2*(2*pi*2E-31*[BoltZ]*393/[hP]^2)^(3/2)

Оценка ... ...

N_eff = 3.87070655661186E+24

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

3.87070655661186E+24 --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

3.87070655661186E+24 ≈ 3.9E+24 <-- Эффективная плотность состояний

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Оптоэлектронные устройства » Устройства с оптическими компонентами » Эффективная плотность состояний в зоне проводимости

Кредиты

Сделано Приянка Дж. Чаликар

Национальный инженерный институт (НИЕ), Майсуру

Приянка Дж. Чаликар создал этот калькулятор и еще 10+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 14 Устройства с оптическими компонентами Калькуляторы

Емкость PN-перехода

Идти Емкость перехода = Зона соединения PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Относительная диэлектрическая проницаемость*[Permitivity-silicon])/(Напряжение на PN-переходе-(Напряжение обратного смещения))*((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Концентрация акцептора+Концентрация доноров)))

Концентрация электронов в несбалансированном состоянии

Идти Электронная концентрация = Собственная концентрация электронов*exp((Квазифермиевский уровень электронов-Внутренний энергетический уровень полупроводника)/([BoltZ]*Абсолютная температура))

Диффузионная длина переходной области

Идти Диффузионная длина переходной области = Оптический ток/(Заряжать*Зона соединения PN*Скорость оптической генерации)-(Ширина перехода+Длина соединения стороны P)

Ток из-за оптически генерируемой несущей

Идти Оптический ток = Заряжать*Зона соединения PN*Скорость оптической генерации*(Ширина перехода+Диффузионная длина переходной области+Длина соединения стороны P)

Пиковое замедление

Идти Пиковое замедление = (2*pi)/Длина волны света*Длина волокна*Показатель преломления^3*Модуляционное напряжение

Максимальный угол приема составной линзы

Идти Угол приема = asin(Показатель преломления среды 1*Радиус линзы*sqrt(Положительная константа))

Эффективная плотность состояний в зоне проводимости

Идти Эффективная плотность состояний = 2*(2*pi*Эффективная масса электрона*[BoltZ]*Абсолютная температура/[hP]^2)^(3/2)

Коэффициент диффузии электрона

Идти Коэффициент диффузии электронов = Мобильность электрона*[BoltZ]*Абсолютная температура/[Charge-e]

Угол Брюстера

Идти Угол Брюстера = arctan(Показатель преломления среды 1/Показатель преломления)

Энергия возбуждения

Идти Энергия возбуждения = 1.6*10^-19*13.6*(Эффективная масса электрона/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)

Дифракция с использованием формулы Френеля-Кирхгофа.

Идти Угол дифракции = asin(1.22*Длина волны видимого света/Диаметр апертуры)

Расстояние между краями с учетом угла вершины

Идти Граничное пространство = Длина волны видимого света/(2*tan(Угол помех))

Угол поворота плоскости поляризации

Идти Угол поворота = 1.8*Плотность магнитного потока*Длина среды

Угол при вершине

Идти Угол вершины = tan(Альфа)

Эффективная плотность состояний в зоне проводимости формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!