Emitterstroom van IGBT Rekenmachine

✖Gatstroom (IGBT) is de stroom die door de IGBT stroomt in de tegenovergestelde richting van de normale elektronenstroom.ⓘ Gatstroom (IGBT) [I_h(igbt)]			+10% -10%
✖Elektronische stroom (IGBT) Wanneer de poortspanning wordt toegepast, wordt de IGBT ingeschakeld en kunnen elektronen van de emitter naar de collector stromen.ⓘ Elektronische stroom (IGBT) [i_e(igbt)]			+10% -10%

✖De emitterstroom (IGBT) is de stroom die in de emitter van het apparaat stroomt. De emitterstroom wordt bepaald door de belasting die op de collector van de IGBT is aangesloten.ⓘ Emitterstroom van IGBT [I_e(igbt)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Emitterstroom van IGBT

Formule

`"I"_{"e(igbt)"} = "I"_{"h(igbt)"}+"i"_{"e(igbt)"}`

Voorbeeld

`"12.523mA"="12.2mA"+"0.323mA"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geavanceerde transistorapparaten Formules Pdf PDF Image

Emitterstroom van IGBT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Emitterstroom (IGBT) = Gatstroom (IGBT)+Elektronische stroom (IGBT)
I_e(igbt) = I_h(igbt)+i_e(igbt)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Emitterstroom (IGBT) - (Gemeten in Ampère) - De emitterstroom (IGBT) is de stroom die in de emitter van het apparaat stroomt. De emitterstroom wordt bepaald door de belasting die op de collector van de IGBT is aangesloten.
Gatstroom (IGBT) - (Gemeten in Ampère) - Gatstroom (IGBT) is de stroom die door de IGBT stroomt in de tegenovergestelde richting van de normale elektronenstroom.
Elektronische stroom (IGBT) - (Gemeten in Ampère) - Elektronische stroom (IGBT) Wanneer de poortspanning wordt toegepast, wordt de IGBT ingeschakeld en kunnen elektronen van de emitter naar de collector stromen.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Gatstroom (IGBT): 12.2 milliampère --> 0.0122 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Elektronische stroom (IGBT): 0.323 milliampère --> 0.000323 Ampère (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_e(igbt) = I_h(igbt)+i_e(igbt) --> 0.0122+0.000323

Evalueren ... ...

I_e(igbt) = 0.012523

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.012523 Ampère -->12.523 milliampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

12.523 milliampère <-- Emitterstroom (IGBT)

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektrisch » Vermogenselektronica » Geavanceerde transistorapparaten » IGBT » Emitterstroom van IGBT

Credits

Gemaakt door Mohammed Fazil V

Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru

Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< 8 IGBT Rekenmachines

Nominale continue collectorstroom van IGBT

Gaan Voorwaartse stroom (IGBT) = (-Totale spanning van collector en emitter (IGBT)+sqrt((Totale spanning van collector en emitter (IGBT))^2+4*Weerstand van collector en emitter (IGBT)*((Maximaal operationeel kruispunt (IGBT)-Behuizingstemperatuur IGBT)/Thermische weerstand (IGBT))))/(2*Weerstand van collector en emitter (IGBT))

Spanningsdaling in IGBT in AAN-status

Gaan Spanningsval OP podium (IGBT) = Voorwaartse stroom (IGBT)*N-kanaalweerstand (IGBT)+Voorwaartse stroom (IGBT)*Driftweerstand (IGBT)+Spanning Pn Junction 1 (IGBT)

Verzadigingsspanning van IGBT

Gaan Verzadigingsspanning van collector naar emitter (IGBT) = Basis-emitterspanning PNP IGBT+Afvoerstroom (IGBT)*(Geleidbaarheidsweerstand IGBT+N-kanaalweerstand (IGBT))

IGBT-uitschakeltijd

Gaan Uitschakeltijd (IGBT) = Vertragingstijd (IGBT)+Initiële valtijd (IGBT)+Laatste herfsttijd (IGBT)

Maximale vermogensdissipatie in IGBT

Gaan Maximale vermogensdissipatie (IGBT) = Maximaal operationeel kruispunt (IGBT)/Verbinding met hoek van behuizing (IGBT)

Ingangscapaciteit van IGBT

Gaan Ingangscapaciteit (IGBT) = Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT)+Poort naar collectorcapaciteit (IGBT)

Emitterstroom van IGBT

Gaan Emitterstroom (IGBT) = Gatstroom (IGBT)+Elektronische stroom (IGBT)

Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT

Gaan Doorslagspanning SOA IGBT = (5.34*10^13)/((Netto positieve lading (IGBT))^(3/4))

Emitterstroom van IGBT Formule

Emitterstroom (IGBT) = Gatstroom (IGBT)+Elektronische stroom (IGBT)
I_e(igbt) = I_h(igbt)+i_e(igbt)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!