Emitterstroom van IGBT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Zenderstroom = Gatenstroom+Elektronische stroom
Iemiy = Ih+Ie
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Zenderstroom - (Gemeten in Ampère) - De emitterstroom van een IGBT is de stroom die in de emitter van het apparaat vloeit. De emitterstroom wordt bepaald door de belasting die op de collector van de IGBT is aangesloten.
Gatenstroom - (Gemeten in Ampère) - Gatstroom in een IGBT is de stroom die door de IGBT stroomt in de tegenovergestelde richting van de normale elektronenstroom.
Elektronische stroom - (Gemeten in Ampère) - Elektronische stroom Wanneer de poortspanning wordt toegepast, wordt de IGBT ingeschakeld en kunnen elektronen van de emitter naar de collector stromen.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Gatenstroom: 12.2 milliampère --> 0.0122 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
Elektronische stroom: 0.323 milliampère --> 0.000323 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Iemiy = Ih+Ie --> 0.0122+0.000323
Evalueren ... ...
Iemiy = 0.012523
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.012523 Ampère -->12.523 milliampère (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
12.523 milliampère <-- Zenderstroom
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Mohammed Fazil V
Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru
Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Parminder Singh
Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

8 IGBT Rekenmachines

Nominale continue collectorstroom van IGBT
​ Gaan Voorwaartse stroming = (-Totale spanning van collector en emitter+sqrt((Totale spanning van collector en emitter)^2+4*Weerstand van collector en emitter*((Maximaal operationeel kruispunt-Temperatuur behuizing)/Thermische weerstand)))/(2*Weerstand van collector en emitter)
Spanningsdaling in IGBT in AAN-status
​ Gaan Spanningsdaling OP het podium = Voorwaartse stroming*N-kanaal weerstand+Voorwaartse stroming*Weerstand tegen drift+Spanning Pn-verbinding 1
Verzadigingsspanning van IGBT
​ Gaan Verzadigingsspanning van collector naar emitter = Basis-emitterspanning van PNP-transistor+Afvoerstroom*(Geleidbaarheid weerstand+N-kanaal weerstand)
IGBT-uitschakeltijd
​ Gaan Schakel de tijd UIT = Vertragingstijd+Initiële herfsttijd+Laatste herfsttijd
Maximale vermogensdissipatie in IGBT
​ Gaan Maximale vermogensdissipatie = Maximaal operationeel kruispunt/Verbinding met hoek van behuizing
Ingangscapaciteit van IGBT
​ Gaan Ingangscapaciteit = Poort naar emittercapaciteit+Poort naar collectorcapaciteit
Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT
​ Gaan Doorslagspanning op veilig werkgebied = (5.34*10^13)/((Netto positieve lading)^(3/4))
Emitterstroom van IGBT
​ Gaan Zenderstroom = Gatenstroom+Elektronische stroom

Emitterstroom van IGBT Formule

Zenderstroom = Gatenstroom+Elektronische stroom
Iemiy = Ih+Ie
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!